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公開番号2025173302
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-27
出願番号2024078822
出願日2024-05-14
発明の名称発光素子の製造方法及び発光素子
出願人日機装株式会社
代理人弁理士法人平田国際特許事務所
主分類H10H 20/855 20250101AFI20251119BHJP()
要約【課題】生産性の向上が可能な発光素子の製造方法及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、基板の第1主面201にn型半導体層3、活性層4及びp型半導体層5を形成する半導体形成工程と、n型半導体層3の表面にn側電極6を形成するとともに、p型半導体層5の表面にp側電極7を形成する電極形成工程と、基板を第1主面201と反対側の第2主面から削って平面部211及び平面部211から隆起した複数のレンズ部212を形成するレンズ形成工程と、半導体形成工程、電極形成工程及びレンズ形成工程の後に実施され、基板200、n型半導体層3、活性層4、p型半導体層5、n側電極6及びp側電極7を備えた素子構造体10を、平面部211の位置で切断し、レンズ部212をそれぞれ備えた複数の発光素子に個片化する個片化工程と、を備える。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
基板の第１主面にｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を形成する半導体形成工程と、
前記ｎ型半導体層の表面にｎ側電極を形成するとともに、前記ｐ型半導体層の表面にｐ側電極を形成する電極形成工程と、
前記基板を前記第１主面と反対側の第２主面から削って平面部及び前記平面部から隆起した複数のレンズ部を形成するレンズ形成工程と、
前記半導体形成工程、前記電極形成工程及び前記レンズ形成工程の後に実施され、前記基板、前記ｎ型半導体層、前記活性層、前記ｐ型半導体層、前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極を備えた素子構造体を、前記平面部の位置で切断し、前記レンズ部をそれぞれ備えた複数の発光素子に個片化する個片化工程と、を備える
発光素子の製造方法。
続きを表示（約 620 文字）【請求項２】
前記レンズ形成工程後、前記半導体形成工程が実施される、
請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記半導体形成工程後、前記レンズ形成工程が実施される、
請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記電極形成工程後、前記レンズ形成工程が実施される、
請求項３に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記レンズ形成工程後の前記基板は、前記平面部が形成された部位の厚みが、前記第１主面から前記複数のレンズ部における前記第１主面から遠い側の端部の位置までの厚みの半分未満である、
請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
基板と、
前記基板の一方側に積層されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の表面に形成されたｎ側電極と、
前記ｐ型半導体層の表面に形成されたｐ側電極と、を備え、
前記基板の他方側の面は、環状の平面部と、前記平面部の中央から隆起したレンズ部とを有する、
発光素子。
【請求項７】
前記基板における前記平面部が形成された部位の厚みは、前記基板における前記ｎ型半導体層側の面である下面から前記レンズ部における前記下面から遠い側の端部の位置までの厚みの半分未満である、
請求項６に記載の発光素子。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の製造方法及び発光素子に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板上に多層膜が形成された深紫外発光素子と、基板における多層膜と反対側の面に接合されたレンズとを備える深紫外発光素子チップが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－１１１０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の深紫外発光素子チップにおいては、１つ１つの深紫外発光素子にレンズを接合する必要があり、生産性を向上させ難い。
【０００５】
本発明は、前述の事情に鑑みてなされたものであり、生産性の向上が可能な発光素子の製造方法及び発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記の目的を達成するため、基板の第１主面にｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を形成する半導体形成工程と、前記ｎ型半導体層の表面にｎ側電極を形成するとともに、前記ｐ型半導体層の表面にｐ側電極を形成する電極形成工程と、前記基板を前記第１主面と反対側の第２主面から削って平面部及び前記平面部から隆起した複数のレンズ部を形成するレンズ形成工程と、前記半導体形成工程、前記電極形成工程及び前記レンズ形成工程の後に実施され、前記基板、前記ｎ型半導体層、前記活性層、前記ｐ型半導体層、前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極を備えた素子構造体を、前記平面部の位置で切断し、前記レンズ部をそれぞれ備えた複数の発光素子に個片化する個片化工程と、を備える発光素子の製造方法を提供する。
【０００７】
また、本発明は、前記の目的を達成するため、基板と、前記基板の一方側に積層されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の表面に形成されたｎ側電極と、前記ｐ型半導体層の表面に形成されたｐ側電極と、を備え、前記基板の他方側の面は、環状の平面部と、前記平面部の中央から隆起したレンズ部とを有する、発光素子を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、生産性の向上が可能な発光素子の製造方法及び発光素子を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１の実施の形態における、発光素子の構成を示す模式的な断面図である。
第１の実施の形態における、発光素子の模式的な平面図である。
第１の実施の形態における、発光素子の製造方法のフローチャートである。
第１の実施の形態における、レンズ形成工程前の基板の模式的な断面図である。
第１の実施の形態における、マスクが形成された基板の模式的な断面図である。
第１の実施の形態における、レンズ形成工程後の基板の模式的な断面図である。
第１の実施の形態における、レンズ形成工程後の基板の模式的な平面図である。
第１の実施の形態における、半導体形成工程及び電極形成工程後の素子構造体の模式的な断面図である。
第１の実施の形態における、スクライブ工程において素子構造体にスクライブラインを形成している状態を示す模式的な断面図である。
第１の実施の形態における、スクライブ工程後の素子構造体の平面図である。
第１の実施の形態における、ブレイク工程において素子構造体を分割する様子を示す模式的な断面図である。
第２の実施の形態における、発光素子の製造方法のフローチャートである。
第３の実施の形態における、発光素子の製造方法のフローチャートである。
第４の実施の形態における、発光素子の構成を示す模式的な断面図である。
第４の実施の形態における、発光素子の模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図１１を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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