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公開番号2025155676
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-14
出願番号2024193545
出願日2024-11-05
発明の名称縦型ホール素子
出願人エイブリック株式会社
代理人
主分類H10N 52/00 20230101AFI20251002BHJP()
要約【課題】磁気検出感度を調整することができる縦型ホール素子の提供。
【解決手段】縦型ホール素子100は、P型半導体基板10と、P型半導体基板10の表面に形成されているN型エピタキシャル層30と、N型エピタキシャル層30の表面に配置され、電極111～115が直線上に配置されている電極群110と、電極群110における電極111～115の間に定電流を流す定電流源と、平面視した際に定電流における電流経路の少なくとも一部に重なるように配置され、所定の電圧が印加可能な導体120と、を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成されている第２導電型の不純物拡散層と、
前記不純物拡散層の表面に配置され、３つ以上の電極が直線上に配置されている電極群と、
前記電極群における前記電極の間に定電流を流す定電流源と、
平面視した際に前記定電流における電流経路の少なくとも一部に重なるように配置され、所定の電圧が印加可能な第１の導体と、
を有することを特徴とする縦型ホール素子。
続きを表示（約 400 文字）【請求項２】
前記第１の導体は、前記電極群の上方に配置されている請求項１に記載の縦型ホール素子。
【請求項３】
前記第１の導体は、金属層又はポリシリコンによる高濃度不純物導体である請求項２に記載の縦型ホール素子。
【請求項４】
前記第１の導体は、前記電極群の下方に配置されている第１導電型の埋込層である請求項１に記載の縦型ホール素子。
【請求項５】
断面視した際に前記定電流における電流経路の少なくとも一部に重なるように配置され、前記第１導電型のポリシリコンで形成されている第２の導体を更に有する請求項１に記載の縦型ホール素子。
【請求項６】
前記第１導電型がＰ型、前記第２導電型がＮ型であって、
前記電極群がポリシリコンによるＰ型の高濃度不純物導体で形成されている請求項１から５のいずれかに記載の縦型ホール素子。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、縦型ホール素子に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
ホール素子は、半導体基板の表面に容易に形成でき、磁気センサとして非接触での位置検知、角度検知が可能であることから様々な用途に用いられている。
ホール素子のなかでも、半導体基板の表面に対して垂直な磁界成分を検出する横型ホール素子が一般的に良く知られているが、半導体基板の表面に対して平行な磁界成分を検出する縦型ホール素子についても各種提案されている。
【０００３】
たとえば、所定の電位に固定された導体プレートが素子表面を覆うように設けた構造とすることにより、ホール素子としての検出精度が高く維持されるとともに、当該ホール素子のノイズ耐性を高めることができる縦型ホール素子が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００６－１２８４００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの側面では、磁気検出感度を調整することができる縦型ホール素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態における縦型ホール素子は、
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成されている第２導電型の不純物拡散層と、
前記不純物拡散層の表面に配置され、３つ以上の電極が直線上に配置されている電極群と、
前記電極群における前記電極の間に定電流を流す定電流源と、
平面視した際に前記定電流における電流経路の少なくとも一部に重なるように配置され、所定の電圧が印加可能な導体と、
を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの側面によれば、磁気検出感度を調整することができる縦型ホール素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、本発明の第１の実施形態における縦型ホール素子の平面を示す説明図である。
図２は、本発明の第１の実施形態における縦型ホール素子の断面を示す説明図である。
図３は、本発明の第１の実施形態における縦型ホール素子の断面を示す説明図である。
図４は、本発明の第２の実施形態における縦型ホール素子の平面を示す説明図である。
図５は、本発明の第２の実施形態における縦型ホール素子の断面を示す説明図である。
図６は、本発明の第３の実施形態における縦型ホール素子の平面を示す説明図である。
図７は、本発明の第３の実施形態における縦型ホール素子の断面を示す説明図である。
図８は、本発明の第４の実施形態における縦型ホール素子の断面を示す説明図である。
図９は、本発明の第５の実施形態における縦型ホール素子の断面を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
なお、図面においては、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。また、図面において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに直交する。Ｘ方向と、当該Ｘ方向の反対の方向（－Ｘ方向）とを含む方向を「Ｘ軸方向」といい、Ｙ方向と、当該Ｙ方向の反対の方向（－Ｙ方向）とを含む方向を「Ｙ軸方向」といい、Ｚ方向と、当該Ｚ方向の反対の方向（－Ｚ方向、深さ方向）とを含む方向を「Ｚ軸方向」（高さ方向、厚さ方向）という。この点、以下の各実施形態において、各膜のＺ方向側の面を「表面」と称する場合がある。
図面は模式的なものであり、幅、長さ及び奥行きの比率などは図面で示したとおりではない。
なお、以下では、第１導電型をＰ型とし、第２導電型をＮ型として説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態における縦型ホール素子の平面を示す説明図である。図２は、図１のII－II線に沿った概略断面図であり、本発明の第１の実施形態における縦型ホール素子の断面を示す説明図である。図３は、図１のIII－III線に沿った概略断面図であり、本発明の第１の実施形態における縦型ホール素子の断面を示す説明図である。
本実施形態の縦型ホール素子１００は、電極群１１０と、その外周に配置されているＰ型ウェル層５０と、電極群１１０の上方に配置されている導体１２０と、を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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