特許ウォッチ

公開番号2025162418
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-27
出願番号2024065710
出願日2024-04-15
発明の名称炭化珪素半導体装置
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20251020BHJP()
要約【課題】耐圧を向上させる炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置100は、第1主面1と反対の第2主面2と、活性領域110と終端領域120とを有する炭化珪素基板を備え、炭化珪素基板は、第1導電型を有する第1半導体領域11と、第1半導体領域内に第2導電型を有する複数の第2半導体領域14と、を有し、複数の第2半導体領域は、終端領域120内に第3半導体領域14Aを有し、第3半導体領域は、上端面14Bと下端面14Cとを有し、第1主面と上端面とは第1半導体領域により互いに離され、上端面と下端面との間に位置し、第1主面に平行な仮想平面内に、第2半導体領域に含まれる不純物の第1実効濃度ピークを有し、第1主面に垂直な第2軸Zに沿って、仮想平面と下端面間での第1実効濃度の変化の割合は、仮想平面と上端面間での第1実効濃度の変化の割合よりも小さく、上端面と下端面の間の距離は1μm以上である。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
第１主面と、前記第１主面とは反対の第２主面とを有し、前記第１主面に垂直な平面視で、活性領域と、前記活性領域を囲む終端領域とを有する炭化珪素基板を備え、
前記炭化珪素基板は、
第１導電型を有する第１半導体領域と、
前記第１半導体領域内に設けられ、第２導電型を有する複数の第２半導体領域と、
を有し、
複数の前記第２半導体領域は、前記活性領域および前記終端領域内で前記第１主面に平行な第１軸に沿って並び、
前記第２半導体領域は、前記終端領域内に第３半導体領域を有し、
前記第３半導体領域は、
前記第１主面と前記第２主面との間の上端面と、
前記上端面と前記第２主面との間の下端面と、
を有し、
前記第１主面と前記上端面とは前記第１半導体領域により互いに離されており、
前記上端面と前記下端面との間に位置し、前記第１主面に平行な仮想平面内に、前記第２半導体領域に含まれる前記第２導電型の不純物の第１実効濃度のピークがあり、
前記第１主面に垂直な第２軸に沿って、前記仮想平面と前記下端面との間での前記第１実効濃度の変化の割合の平均値は、前記仮想平面と前記上端面との間での前記第１実効濃度の変化の割合の平均値よりも小さく、
前記上端面と前記下端面との間の距離は、１μｍ以上である、炭化珪素半導体装置。
続きを表示（約 650 文字）【請求項２】
前記仮想平面と前記下端面との間の距離は、前記仮想平面と前記上端面との間の距離よりも大きい、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３】
前記第１主面と前記上端面との間の距離は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項４】
前記第１半導体領域の隣り合う前記第２半導体領域の間の部分に含まれる前記第１導電型の不純物の実効濃度は、１×１０
１６
ｃｍ
－３
以上５×１０
１７
ｃｍ
－３
以下である、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項５】
複数の前記第２半導体領域は、前記第１軸に沿って一定のピッチで設けられている、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項６】
複数の前記第２半導体領域は、前記第１軸および前記第２軸に垂直な第３軸に沿って延びる、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項７】
複数の前記第２半導体領域のうちのいずれかは、前記終端領域および前記活性領域の両方に設けられている、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項８】
前記上端面と前記下端面との間の距離は、前記第１半導体領域の厚さの１／２以上である、請求項１または請求項２に記載の炭化珪素半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、炭化珪素半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、スーパージャンクション構造を備えた半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００３－２７３３５５号公報
特開２０１９－１６５２１７号公報
特開２０１９－１０２７６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の半導体装置においては、耐圧の更なる向上が困難である。
【０００５】
本開示は、耐圧を向上できる炭化珪素半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の炭化珪素半導体装置は、第１主面と、前記第１主面とは反対の第２主面とを有し、前記第１主面に垂直な平面視で、活性領域と、前記活性領域を囲む終端領域とを有する炭化珪素基板を備え、前記炭化珪素基板は、第１導電型を有する第１半導体領域と、前記第１半導体領域内に設けられ、第２導電型を有する複数の第２半導体領域と、を有し、複数の前記第２半導体領域は、前記活性領域および前記終端領域内で前記第１主面に平行な第１軸に沿って並び、前記第２半導体領域は、前記終端領域内に第３半導体領域を有し、前記第３半導体領域は、前記第１主面と前記第２主面との間の上端面と、前記上端面と前記第２主面との間の下端面と、を有し、前記第１主面と前記上端面とは前記第１半導体領域により互いに離されており、前記上端面と前記下端面との間に位置し、前記第１主面に平行な仮想平面内に、前記第２半導体領域に含まれる前記第２導電型の不純物の第１実効濃度のピークがあり、前記第１主面に垂直な第２軸に沿って、前記仮想平面と前記下端面との間での前記第１実効濃度の変化の割合の平均値は、前記仮想平面と前記上端面との間での前記第１実効濃度の変化の割合の平均値よりも小さく、前記上端面と前記下端面との間の距離は、１μｍ以上である。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、耐圧を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置における炭化珪素基板の概要を示す模式図である。
図２は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の活性領域における層間絶縁膜および第１主面の構成を示す図である。
図３は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の活性領域の構成を示す断面図である。
図４は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の活性領域と終端領域との境界の近傍の構成を示す断面図である。
図５は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
図６は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施するための形態について、以下に説明する。
【００１０】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また結晶学上の指数が負であることは、通常、"－"（バー）を数字の上に付すことによって表現されるが、本開示では数字の前に負の符号を付している。また、以下の説明では、ＸＹＺ直交座標系を用いるが、当該座標系は、説明のために定めるものであって、炭化珪素半導体装置の姿勢について限定するものではない。また、ＸＹ面視を平面視といい、任意の点からみて、＋Ｚ方向を上方、上側または上ということがあり、－Ｚ方向を下方、下側または下ということがある。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許