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公開番号2025172174
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-20
出願番号2025153943,2024129764
出願日2025-09-17,2020-12-17
発明の名称基板処理方法及び基板処理システム
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20251113BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】金属含有塗布膜の現像処理時に生じる基板表面の残渣物の量を低減させる。
【解決手段】基板の処理方法であって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された前記基板を現像する工程と、現像後に前記基板を洗浄する工程と、洗浄された前記基板に波長が190～400nmの紫外線を照射する工程と、前記紫外線を照射する工程の後に、前記基板に有機溶剤を含むパターン洗浄液を供給する工程と、を備える。
【選択図】図8

特許請求の範囲【請求項１】
基板の処理方法であって、
金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された前記基板を現像する工程と、
現像後に前記基板を洗浄する工程と、
洗浄された前記基板に波長が１９０～４００ｎｍの紫外線を照射する工程と、
前記紫外線を照射する工程の後に、前記基板に有機溶剤を含むパターン洗浄液を供給する工程と、を備える、基板処理方法。
続きを表示（約 360 文字）【請求項２】
基板の処理を行う基板処理システムであって、
前記基板を現像する現像部と、
前記基板を洗浄する洗浄部と、
前記現像部及び前記洗浄部の動作を制御する制御部と、
前記基板に波長が１９０～４００ｎｍの紫外線を照射する紫外線照射部と、
前記基板にパターン洗浄液を供給するパターン洗浄液供給部と、を備え、
前記制御部は、
金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された前記基板を現像する工程と、
現像後に前記基板を洗浄する工程と、
洗浄された前記基板に波長が１９０～４００ｎｍの紫外線を照射する工程と、
前記紫外線を照射する工程の後に、前記基板に有機溶剤を含むパターン洗浄液を供給する工程と、を行うように構成された、基板処理システム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法及び基板処理システムに関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、基板の表面に金属を含有するレジストを塗布してレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光する工程と、前記基板の表面に現像液を供給して前記レジスト膜を現像する現像工程と、前記現像工程の前において、前記レジスト膜が形成されていない基板の周縁部であって、少なくとも周端面及び裏面側周縁部に前記現像液に接することを防ぐ第１の保護膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－０４７１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、金属含有塗布膜の現像処理時に生じる基板表面の残渣物の量を低減させる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、基板の処理方法であって、金属含有塗布膜が所定のパターンに露光された前記基板を現像する工程と、現像後に前記基板を洗浄する工程と、洗浄された前記基板に波長が１９０～４００ｎｍの紫外線を照射する工程と、前記紫外線を照射する工程の後に、前記基板に有機溶剤を含むパターン洗浄液を供給する工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、金属含有塗布膜の現像処理時に生じる基板表面の残渣物の量を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
図１の基板処理システムの構成の概略を模式的に示す正面図である。
図１の基板処理システムの構成の概略を模式的に示す背面図である。
実施の形態にかかる現像液供給装置の構成の概略を模式的に示す側面断面図である。
実施の形態にかかる洗浄液供給装置の構成の概略を模式的に示す側面断面図である。
実施の形態にかかる熱処理装置の構成の概略を模式的に示す側面断面図である。
実施の形態にかかる紫外線照射装置の構成の概略を模式的に示す側面断面図である。
実施の形態にかかる基板処理方法における基板上の金属含有塗布膜の状態を示す説明図である。
露光部と未露光部の金属含有塗布膜の状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
半導体装置の製造プロセスにおいては、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」と記載する）へのレジスト塗布によるレジスト膜の形成と、レジスト膜の露光と、露光後のレジスト膜の現像によるレジストパターンの形成からなるフォトリソグラフィ工程が行われる。近年は、そのフォトリソグラフィ工程において、より微細なレジストパターンを形成するために金属を含有するレジスト液を用いることが検討されている。
【０００９】
しかしながら、所定のパターンに露光された金属含有レジスト膜の現像処理においては、現像液で十分に溶解されなかったレジスト溶解物がウェハ上に残渣物として残存しやすく、このような残渣物が、その後のエッチング工程におけるパターン欠陥の原因となっていた。特に、金属含有レジスト膜は、未露光部においても露光部との境界で金属原子と酸素原子の重合反応が少しずつ進行しやすく、この重合反応部が現像液に対して難溶であるために、ウェハ上に残渣物が残存しやすい。従来の現像方法では、そのような残渣物を除去することが困難であったことから、金属含有レジスト液を用いた半導体の量産化が困難であった。
【００１０】
そこで、本開示にかかる技術は、金属含有塗布膜の現像処理時に生じる基板表面の残渣物の量を低減させる。
（【００１１】以降は省略されています）

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