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公開番号2025171519
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-20
出願番号2024076956
出願日2024-05-10
発明の名称熱処理装置及び熱処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人弥生特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20251113BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板に膜を形成するにあたり、泡による欠陥を低減させること。
【解決手段】熱処理装置は、本開示の熱処理装置は、形成された膜が固化する前の基板が載置される載置部と、前記膜に含まれる溶剤の沸点未満の温度で、前記載置部に載置された前記基板を加熱する加熱部と、を備える。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
形成された膜が固化する前の基板が載置される載置部と、
前記膜に含まれる溶剤の沸点未満の温度で、前記載置部に載置された前記基板を加熱する加熱部と、
を備える熱処理装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記載置部を囲んで処理空間を形成し、前記加熱部によって前記基板を加熱する加熱期間中に閉じられると共に、排気口を備える処理容器と、
前記加熱期間における第１時点での前記処理空間における前記溶剤の濃度よりも、当該加熱期間における前記第１時点よりも後の第２時点での前記処理空間における前記溶剤の濃度の方が高くなるように、前記排気口から当該処理空間を排気する排気部と、
を備える請求項１記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記膜は、前記基板に供給される前の粘度が５０ｃＰ～１００００ｃＰの液体であり、ｉ線露光用レジストであるかまたはポリイミドを含む液体が当該基板に供給されて形成される膜である請求項１または２記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記膜は、前記基板に形成された段差を有するパターンに接して形成される請求項３記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記膜は、互いに同じ種類の複数の膜が重ねられた積層膜である請求項３記載の熱処理装置。
【請求項６】
前記加熱部を第１加熱部とすると、
前記基板は前記載置部からの搬送先で前記溶剤除去用の第２加熱部によって加熱される基板であり、
前記第１加熱部は、前記第２加熱部による前記基板の加熱温度よりも低い温度で前記基板を加熱する請求項１または２記載の熱処理装置。
【請求項７】
前記載置部を囲んで処理空間を形成し、前記加熱部によって前記基板を加熱する加熱期間中に閉じられると共に、排気口及びガス供給口を備える処理容器と、
前記加熱期間のうちの半分の長さ以上の第１期間における前記排気口からの第１排気量が、前記加熱期間のうちの前記第１期間の後の第２期間の前記排気口からの第２排気量よりも小さくなるように、前記排気口から前記処理空間を排気する排気部と、
前記第２期間に前記ガス供給口から前記処理空間にガスを供給して、前記処理空間の雰囲気を前記溶剤雰囲気から前記ガス雰囲気に置換するガス供給部と、
を備える請求項１または２記載の熱処理装置。
【請求項８】
前記排気部は、前記処理容器内への前記基板の搬入前の期間と、前記第２期間と、を含む期間において前記排気口から排気を行う請求項７記載の熱処理装置。
【請求項９】
前記載置部は、前記加熱部であるヒータを備える熱板であり、
前記ガス供給口は平面視で前記熱板の外側に開口し、
前記排気口は前記ガス供給口よりも前記熱板の中心部寄りに位置して、平面視で前記熱板の周縁部側へ向けて開口する請求項７または８記載の熱処理装置。
【請求項１０】
前記ガス供給口に対向する位置に、前記熱板を囲むと共に当該熱板に接続されるサポートリングが設けられる請求項７または８記載の熱処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、熱処理装置及び熱処理方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造するにあたり、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に対して液が供給されることで膜が形成され、膜中の溶剤を除去するために、ウエハの加熱処理が行われる。特許文献１については、この加熱処理について異なる温度で段階的に加熱することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０００－９１２１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板に膜を形成するにあたり、泡による欠陥を低減させる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の熱処理装置は、形成された膜が固化する前の基板が載置される載置部と、
前記膜に含まれる溶剤の沸点未満の温度で、前記載置部に載置された前記基板を加熱する加熱部と、
を備える
【発明の効果】
【０００６】
本開示は、基板に膜を形成するにあたり、泡による欠陥を低減させる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示の熱処理装置を含むウエハ処理システムの平面図である。
前記ウエハ処理システムの正面図である。
前記ウエハ処理システムの処理のフロー図である。
前記熱処理装置の縦断側面図である。
前記熱処理装置における処理容器の部分横断平面図である。
前記処理容器の縦断側面図である。
前記熱処理装置による処理のフロー図である。
前記熱処理装置の動作を示す説明図である。
前記熱処理装置の動作を示す説明図である。
前記熱処理装置の動作を示す説明図である。
前記熱処理装置の動作を示す説明図である。
前記熱処理装置で処理されるウエハの状態を示す模式図である。
前記熱処理装置で処理されるウエハの状態を示す模式図である。
前記熱処理装置で処理されるウエハの状態を示す模式図である。
前記ウエハの状態を示す模式図である。
前記ウエハの状態を示す模式図である。
変形例の熱処理装置を示す縦断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウエハ処理システムについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【０００９】
＜ウエハ処理システム＞
先ず、本実施形態にかかるウエハ処理システムの構成について説明する。図１、図２は、それぞれウエハ処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図、正面図である。本実施形態においては、ウエハ処理システム１がウエハＷに対してレジスト膜の形成処理および現像処理を行うフォトリソグラフィー処理システムである場合を一例として説明する。
【００１０】
ウエハ処理システム１は、図１に示すように複数枚のウエハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、ウエハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション３と、を有する。そしてウエハ処理システム１は、カセットステーション２と、処理ステーション３と処理ステーション３とは反対側に隣接する露光装置（図示せず）との間でウエハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション４とを一体に接続した構成を有している。なお、処理ステーション３は図１に示すようにカセットステーション２とインターフェイスステーション４の間に２基設置されているが、１基でもよく３基以上設置されてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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