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公開番号2025149011
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-08
出願番号2024049433
出願日2024-03-26
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20251001BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ワイヤどうしの干渉を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置A1は第1方向zの第1側z1を向く第1面101を有する第1リード1と、第1面101に搭載され且つ複数の電極41を有する半導体素子4と、半導体素子4に導通する複数の第2リード2と、複数の電極41および複数の第2リード2に個別に接続された複数のワイヤ6と、第1リード1および第2リード2の少なくとも一部ずつと半導体素子4および複数のワイヤ6とを覆う封止樹脂7と、を備え、複数のワイヤ6は、第2リード2に接続されたファーストボンディング部611および電極41に接続されたセカンドボンディング部612を有する1以上の第1ワイヤ61を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１方向の第１側を向く第１面を有する第１リードと、
前記第１面に搭載され且つ複数の電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子に導通する複数の第２リードと、
前記複数の電極および前記複数の第２リードに個別に接続された複数のワイヤと、
前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一部ずつと前記半導体素子および前記複数のワイヤとを覆う封止樹脂と、を備え、
前記複数のワイヤは、前記第２リードに接続されたファーストボンディング部および前記電極に接続されたセカンドボンディング部を有する１以上の第１ワイヤを含む、半導体装置。
続きを表示（約 740 文字）【請求項２】
前記第１ワイヤは、バンプ部をさらに有し、
前記セカンドボンディング部は、前記バンプ部を介して前記電極に接続されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電極および前記第２リードが離隔する方向における前記第１ワイヤの長さである第１長さと前記第１ワイヤのループ高さとの比は、７００：８以上７００：１０５以下である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１長さは、１．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ループ高さは、７０μｍ以上１２０μｍ以下である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２リードの前記ファーストボンディング部が接続された面と前記電極との前記第１方向における距離は、５０μｍ以下である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電極は、前記第２リードの前記ファーストボンディング部が接続された面より、前記第１方向の前記第１側に位置する、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１ワイヤの直径は、１０μｍ以上３０μｍ以下である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１長さと前記離隔する方向における前記半導体素子の端縁と前記第１面の端縁との距離である第２長さとの比は、１４０：１以上１４０：１２０以下である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の第２リードのピッチは、前記複数の電極のピッチより大きい、請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、ダイパッド、半導体素子、複数のリード、複数のワイヤおよび樹脂部材を備える。半導体素子は、ダイパッドに搭載されている。半導体素子は、複数のワイヤを介して複数のリードに個別に接続されている。封止樹脂は、半導体素子および複数のワイヤとダイパッドおよび複数のリードの一部ずつとを覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１４６２７０号公報
【０００４】
［概要］
半導体素子および複数のリードの配置は、種々に設定されうる。半導体素子および複数のリードの配置によって、複数のワイヤの長さが長くなる場合がある。ワイヤの長さが長いほど、隣り合うワイヤ、半導体素子等との干渉が生じうる。
【０００５】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ワイヤどうしの干渉を抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【０００６】
本開示によって提供される半導体装置は、第１方向の第１側を向く第１面を有する第１リードと、前記第１面に搭載され且つ複数の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子に導通する第２リードと、前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一部ずつと前記半導体素子とを覆う封止樹脂と、を備え、絶縁層および１以上の配線部を含む導電層と、前記電極および前記配線部に接続された第１ワイヤと、前記第２リードに接続された第２ワイヤと、をさらに備え、前記電極および前記第２リードの導通経路に、前記第１ワイヤ、前記配線部および前記第２ワイヤが含まれる。
【０００７】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。
図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。
図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す部分拡大断面図である。
図５は、図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。
図６は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図７は、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。
【０００９】
［詳細な説明］
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１０】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
（【００１１】以降は省略されています）

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