TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2025160433
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-22
出願番号2025129204,2023524350
出願日2025-08-01,2021-10-22
発明の名称再成長によって製作される小サイズ発光ダイオード
出願人ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア,The Regents of the University of California
代理人個人,個人
主分類H10H 20/825 20250101AFI20251015BHJP()
要約【課題】快適な再成長によって製作される小サイズ発光ダイオードを提供する。
【解決手段】エピタキシャル側方過成長(ELO)および孤立方法を使用して、小サイズ発光ダイオード(μLED)等の高品質かつ製造可能発光素子を製作および転写する方法。III族窒化物ELO層が、成長制限マスクを使用して、ホスト基板上に成長させられ、III族窒化物素子層が、III族窒化物ELO層のウィング上に成長させられる。結果として生じる素子は、エピタキシャルまたは非エピタキシャルブリッジを備えている接続連結部によって取り付けられている間、ホスト基板から孤立させられる。再成長が、ブリッジの助けを借りて、素子層の選択されたメサ上で実施され、改良された素子を実現する。ブリッジは、切断され、素子は、次いで、ホスト基板から引き抜かれ、ディスプレイパネル上に設置される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
本明細書に記載の発明。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
(関連出願の相互参照)
本願は、以下の同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡された出願の35 U.S.C.Section 119(e)(米国特許法第119条(e))下の利益を主張する:
続きを表示(約 4,400 文字)【0002】
Srinivas GandrothulaおよびTakeshi Kamikawaによって、2020年10月23日に出願され、「SMALL SIZE LIGHT EMITING DIODES FABRICATED VIA REGROWTH」と題された米国仮出願第63/104,580号(弁理士整理番号第G&C30794.0784USP1(UC 2020-561-1)号)。その出願は、参照することによって本明細書に組み込まれる。
【0003】
本願は、以下の同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡された出願に関する。
【0004】
Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li、およびDaniel A.Cohenによって2019年10月24日に出願され、「METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE」と題された米国実用特許出願第16/608,071号(弁理士整理番号第30794.0653USWO(UC2017-621-2)号)であり、その出願は、35U.S.C.Section 365(c)(米国特許法第365条(c))下、Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li、およびDaniel A.Cohenによって、2018年5月7日に出願され、「METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE」と題された同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡されたPCT国際特許出願第PCT/US18/31393号(弁理士整理番号第30794.0653WOU1(UC2017-621-2)号)の利益を主張するものであり、その出願は、35 U.S.C.Section 119(e)(米国特許法第119条(e))下、Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li、およびDaniel A.Cohenによって、2017年5月5日に出願され、「METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE」と題された同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡された米国仮特許出願第62/502,205号(弁理士整理番号第30794.0653USP1(UC2017-621-1)号)の利益を主張する。
【0005】
Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、およびHongjian Liによって、2020年2月26日に出願され、「METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE」と題された米国実用特許出願第16/642,298号(弁理士整理番号第30794.0659USWO(UC2018-086-2)号)であり、その出願は、35U.S.C.Section 365(c)(米国特許法第365条(c))下、Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、およびHongjian Liによって、2018年9月17日に出願され、「METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE」と題された同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡されたPCT国際特許出願第PCT/US18/51375号(弁理士整理番号第30794.0659WOU1(UC2018-086-2)号)の利益を主張するものであり、その出願は、35 U.S.C.Section 119(e)(米国特許法第119条(e))下、Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、およびHongjian Liによって、2017年9月15日に出願され、「METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE」と題された同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡された米国仮特許出願第62/559,378号(弁理士整理番号第30794.0659USP1(UC2018-086-1)号)の利益を主張する。
【0006】
Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、およびHongjian Liによって、2020年9月4日に出願され、「METHOD OF FABRICATING NON-POLAR AND SEMI-POLAR DEVICES USING EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH」と題された米国実用特許出願第16/978,493号(弁理士整理番号第30794.0680USWO(UC2018-427-2)号)であり、その出願は、35U.S.C.Section 365(c)(米国特許法第365条(c))下、Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、およびHongjian Liによって、2019年4月1日に出願され、「METHOD OF FABRICATING NON-POLAR AND SEMI-POLAR DEVICES USING EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH」と題された同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡されたPCT国際特許出願第PCT/US19/25187号(弁理士整理番号第30794.0680WOU1(UC2018-427-2)号)の利益を主張するものであり、その出願は、35 U.S.C.Section 119(e)(米国特許法第119条(e))下、Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、およびHongjian Liによって、2018年3月30日に出願され、「METHOD OF FABRICATING NON-POLAR AND SEMI-POLAR DEVICES USING EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH」と題された同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡された米国仮特許出願第62/650,487号(弁理士整理番号第G&C30794.0680USP1(UC2018-427-1)号)の利益を主張する。
【0007】
Takeshi KamikawaおよびSrinivas Gandrothulaによって、2020年10月16日に出願され、「METHOD FOR DIVIDING A BAR OF ONE OR MORE DEVICES」と題された米国実用特許出願第17/048,383号(弁理士整理番号第30794.0681USWO(UC2018-605-2)号)であり、その出願は、35U.S.C.Section 365(c)(米国特許法第365条(c))下、Takeshi KamikawaおよびSrinivas Gandrothulaによって、2019年5月17日に出願され、「METHOD FOR DIVIDING A BAR OF ONE OR MORE DEVICES」と題された同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡されたPCT国際特許出願第PCT/US19/32936号(弁理士整理番号第30794.0681WOU1(UC2018-605-2)号)の利益を主張するものであり、その出願は、35 U.S.C.Section 119(e)(米国特許法第119条(e))下、Takeshi KamikawaおよびSrinivas Gandrothulaによって、2018年5月17日に出願され、「METHOD FOR DIVIDING A BAR OF ONE OR MORE DEVICES」と題された同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡された米国仮出願第62/672,913号(弁理士整理番号第G&C30794.0681USP1(UC2018-605-1)号)の利益を主張する。
【0008】
Srinivas GandrothulaおよびTakeshi Kamikawaによって、2020年10月20日に出願され、「METHOD OF REMOVING SEMICONDUCTING LAYERS FROM A SEMICONDUCTING SUBSTRATE」と題された米国実用特許出願第17/049,156号(弁理士整理番号第30794.0682USWO(UC 2018-614-2)号)、その出願は、35 U.S.C.Section 365(c)(米国特許法第365条(c))下、Srinivas GandrothulaおよびTakeshi Kamikawaによって、2019年5月30日に出願され、「METHOD OF REMOVING SEMICONDUCTING LAYERS FROM A SEMICONDUCTING SUBSTRATE」と題された同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡されたPCT国際特許出願第PCT/US19/34868号(弁理士整理番号第G&C30794.0682WOU1(UC 2018-614-2)号)の利益を主張するものであり、その出願は、35 U.S.C.Section 119(e)(米国特許法第119条(e))下、Srinivas GandrothulaおよびTakeshi Kamikawaによって、2018年5月30日に出願され、「METHOD OF REMOVING SEMICONDUCTING LAYERS FROM A SEMICONDUCTING SUBSTRATE」と題された同時係属中かつ本発明の譲受人に譲渡された米国仮出願第62/677,833号(弁理士整理番号第G&C30794.0682USP1(UC2018-614-1)号)の利益を主張する。
【0009】
それらの出願の全てが、参照することによって本明細書に組み込まれる。
【0010】
(発明の分野)
本発明は、再成長によって製作される小サイズ発光ダイオード(LED)を対象とする。
【背景技術】
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する

関連特許

個人
半導体装置
28日前
東レ株式会社
太陽電池モジュール
28日前
エイブリック株式会社
縦型ホール素子
22日前
旭化成株式会社
発光素子
8日前
エイブリック株式会社
縦型ホール素子
22日前
富士通株式会社
半導体装置
27日前
ローム株式会社
抵抗チップ
13日前
ローム株式会社
半導体装置
29日前
三菱電機株式会社
半導体装置
7日前
三菱電機株式会社
半導体装置
27日前
富士電機株式会社
半導体装置
19日前
株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置
22日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
26日前
TDK株式会社
圧電素子
27日前
ローム株式会社
半導体集積回路
7日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
27日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
8日前
ローム株式会社
半導体装置
14日前
ローム株式会社
半導体装置
12日前
ローム株式会社
窒化物半導体装置
22日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
6日前
富士電機株式会社
半導体装置の製造方法
21日前
ローム株式会社
窒化物半導体装置
13日前
沖電気工業株式会社
発光装置及び表示装置
28日前
大日本印刷株式会社
太陽電池
15日前
株式会社カネカ
太陽電池モジュール
26日前
サンケン電気株式会社
発光装置
26日前
日本電気株式会社
超伝導量子回路装置
27日前
株式会社MARUWA
発光装置及び照明器具
26日前
日本ゼオン株式会社
構造体
今日
日亜化学工業株式会社
発光装置
今日
日亜化学工業株式会社
発光装置
7日前
今泉工業株式会社
光発電装置及びその製造方法
12日前
ローム株式会社
光センサ
20日前
ローム株式会社
RAM
26日前
一般財団法人電力中央研究所
熱化学電池
28日前
続きを見る