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公開番号2025141543
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-29
出願番号2024041534
出願日2024-03-15
発明の名称保証装置、保証方法、および保証プログラム
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 1/84 20120101AFI20250919BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】フォトマスクのパタンの形状を適切に保証することが可能な保証装置、保証方法、および保証プログラムを提供する。
【解決手段】一の実施形態によれば、保証装置は、フォトマスクのパタンの2次モーメントまたは前記2次モーメントに応じて変化する値を取得または計算する処理部であって、前記フォトマスクの設計データに含まれる前記パタンの前記2次モーメントまたは前記値を取得または計算し、かつ、前記フォトマスクの画像データに含まれる前記パタンの前記2次モーメントまたは前記値を取得または計算する処理部を備える。前記装置はさらに、前記設計データに含まれる前記パタンの前記2次モーメントまたは前記値と、前記画像データに含まれる前記パタンの前記2次モーメントまたは前記値との差を計算し出力する比較部を備える。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
フォトマスクのパタンの２次モーメントまたは前記２次モーメントに応じて変化する値を取得または計算する処理部であって、前記フォトマスクの設計データに含まれる前記パタンの前記２次モーメントまたは前記値を取得または計算し、かつ、前記フォトマスクの画像データに含まれる前記パタンの前記２次モーメントまたは前記値を取得または計算する処理部と、
前記設計データに含まれる前記パタンの前記２次モーメントまたは前記値と、前記画像データに含まれる前記パタンの前記２次モーメントまたは前記値との差を計算し出力する比較部と、
を備える保証装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記処理部は、前記設計データまたは前記画像データを取得する取得部と、前記設計データまたは前記画像データに基づいて、前記２次モーメントまたは前記値を計算する計算部とを備える、請求項１に記載の保証装置。
【請求項３】
前記処理部はさらに、前記設計データまたは前記画像データから前記パタンの輪郭を抽出する抽出部を備え、
前記計算部は、前記設計データまたは前記画像データから抽出された前記輪郭を利用して、前記２次モーメントまたは前記値を計算する、請求項２に記載の保証装置。
【請求項４】
前記計算部は、前記輪郭をポリゴンで近似することで、前記２次モーメントまたは前記値を計算する、請求項３に記載の保証装置。
【請求項５】
前記計算部は、前記２次モーメントまたは前記値をグリーンの定理を用いて計算する、請求項２に記載の保証装置。
【請求項６】
前記取得部は、前記フォトマスクを撮像して得られた前記画像データを取得する、請求項２に記載の保証装置。
【請求項７】
前記処理部は、前記パタンの面積および重心をさらに取得または計算し、前記パタンの前記面積、前記重心、および前記２次モーメントに基づいて、前記パタンの前記面積および前記重心と同じ面積および重心を有する長方形の幅および高さを計算し、
前記比較部は、前記設計データに含まれる前記パタンに対応する前記長方形の前記幅および前記高さと、前記画像データに含まれる前記パタンに対応する前記長方形の前記幅および前記高さとの差を計算し出力する、請求項１に記載の保証装置。
【請求項８】
前記パタンの前記面積は、前記パタンの０次モーメントであり、前記パタンの前記重心は、前記パタンの１次モーメントである、請求項７に記載の保証装置。
【請求項９】
前記処理部は、前記フォトマスクが複数のパタンを含み、前記複数のパタンが、同じ形状を有するとみなせる２つ以上のパタンを含む場合に、前記２つ以上のパタンの前記２次モーメントの平均を取得または計算し、
前記比較部は、前記設計データに含まれる前記２つ以上のパタンに関する前記平均と、前記画像データに含まれる前記２つ以上のパタンに関する前記平均との差を計算し出力する、請求項１に記載の保証装置。
【請求項１０】
前記処理部はさらに、前記２つ以上のパタンの前記２次モーメントのバラツキを取得または計算し、
前記比較部はさらに、前記設計データに含まれる前記２つ以上のパタンに関する前記バラツキと、前記画像データに含まれる前記２つ以上のパタンに関する前記バラツキとの差を計算し出力する、請求項９に記載の保証装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、保証装置、保証方法、および保証プログラムに関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置のパタンを微細化するため、ＩＬＴ（Inverse Lithography Technology）が注目されている。しかしながら、半導体装置のリソグラフィ用のフォトマスクをＩＬＴにより設計すると、一般に、フォトマスクのパタンの形状が複雑になる。その結果、フォトマスクのパタンの形状を保証することが難しくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００８－１８１１２４号公報
特開２００４－０１３０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フォトマスクのパタンの形状を適切に保証することが可能な保証装置、保証方法、および保証プログラムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一の実施形態によれば、保証装置は、フォトマスクのパタンの２次モーメントまたは前記２次モーメントに応じて変化する値を取得または計算する処理部であって、前記フォトマスクの設計データに含まれる前記パタンの前記２次モーメントまたは前記値を取得または計算し、かつ、前記フォトマスクの画像データに含まれる前記パタンの前記２次モーメントまたは前記値を取得または計算する処理部を備える。前記装置はさらに、前記設計データに含まれる前記パタンの前記２次モーメントまたは前記値と、前記画像データに含まれる前記パタンの前記２次モーメントまたは前記値との差を計算し出力する比較部を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態のフォトマスクの製造方法を示す断面図である。
第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
第１実施形態のフォトマスクおよび半導体装置の構造を示す平面図である。
第１比較例、第２比較例、および第１実施形態のマスクパタンのＳＥＭ画像の例を示す平面図である。
第１実施形態のマスクパタンのＳＥＭ画像と、このＳＥＭ画像から抽出されたマスクパタンの形状とを示す平面図である。
第１実施形態のマスクパタンの形状について説明するための平面図である。
第１実施形態のｎ次モーメントについて説明するためのグラフである。
第１実施形態の保証装置のハードウェア構成および機能構成を示すブロック図である。
第２実施形態のマスクパタンの形状を示す平面図である。
第３実施形態のマスクパタンの形状を示す平面図である。
第３実施形態の変形例のマスクパタンの形状を示す平面図である。
第４実施形態のフォトマスクの設計データおよび補正データについて説明するための平面図である。
第５実施形態の表示方法の例を説明するための平面図である。
第５実施形態の表示方法の別の例を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１～図１４において、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態のフォトマスク（レチクル）１の製造方法を示す断面図である。
【０００９】
まず、フォトマスク１用の基板（マスクブランク）１１を用意し、基板１１上に遮光層１２を形成し、遮光層１２上にレジスト層１３を形成する（図１(ａ)）。次に、レジスト層１３にパタン描画用の電子ビームＢを照射する（図１(ａ)）。
【００１０】
基板１１は例えば、石英基板やガラス基板などの透明基板である。基板１１は、フォトマスク１に入射した光を透過させる作用を有する。遮光層１２は例えば、クロム（Ｃｒ）層などの不透明層である。遮光層１２は、フォトマスク１に入射した光を遮光する作用を有する。レジスト層１３は、ポジ型でもネガ型でもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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