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公開番号2025122721
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-22
出願番号2024018317
出願日2024-02-09
発明の名称基板の製造方法
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250815BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】被加工物から被加工物よりも薄い基板を製造する際の基板の生産性を向上させることが可能な基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、被加工物の素材を透過する波長のレーザービームを被加工物に照射することによって被加工物の内部に剥離層を形成する剥離層形成ステップと、剥離層形成ステップの後に、剥離層を分離起点として被加工物を分離することによって基板を製造する分離ステップと、を備える。剥離層形成ステップにおいては、レーザービームが集光される集光点を被加工物の内部に位置付けた状態で、被加工物と集光点とを第一の方向に沿って相対的に移動させるレーザービーム照射ステップと、被加工物と集光点が形成される位置とを第一の方向と直交する第二の方向に沿って相対的に移動させる移動ステップと、を交互に繰り返すことによって、第二の方向において交互に並ぶ第一の改質部と第二の改質部とを含む剥離層が形成される。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
被加工物から該被加工物よりも薄い基板を製造する基板の製造方法であって、
該被加工物の素材を透過する波長のレーザービームを該被加工物に照射することによって該被加工物の内部に剥離層を形成する剥離層形成ステップと、
該剥離層形成ステップの後に、該剥離層を分離起点として該被加工物を分離することによって該基板を製造する分離ステップと、を備え、
該剥離層形成ステップにおいては、
該レーザービームが集光される集光点を該被加工物の内部に位置付けた状態で、該被加工物と該集光点とを第一の方向に沿って相対的に移動させるレーザービーム照射ステップと、
該被加工物と該集光点が形成される位置とを該第一の方向と直交する第二の方向に沿って相対的に移動させる移動ステップと、
を交互に繰り返すことによって、該第二の方向において交互に並ぶ第一の改質部と第二の改質部とを含む該剥離層が形成され、
該第一の改質部は、第一の出力を有する第一のレーザービームが集光される第一の集光点において形成され、
該第二の改質部は、該第一の出力よりも大きい第二の出力を有する第二のレーザービームが集光される第二の集光点において形成される、基板の製造方法。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
該レーザービーム照射ステップにおいては、該被加工物の素材を透過する波長の元のレーザービームを該第一のレーザービームと該第二のレーザービームとに分岐するとともに、該第二の方向において離隔した該第一の集光点と該第二の集光点とを該被加工物の内部に位置付けた状態で、該被加工物と該第一の集光点及び該第二の集光点とを該第一の方向に沿って相対的に移動させる、請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
該レーザービーム照射ステップにおいては、該第一の方向において該第一の集光点が該第二の集光点よりも先行して該被加工物の内部を移動する、請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
該第一の改質部から伸展するクラックは、該第二の改質部から伸展するクラックよりも小さい、請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
該第一の改質部からはクラックが伸展せず、該第二の改質部からはクラックが伸展する、請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
該被加工物の該第二の方向における一端に最も近接する改質部が該第二の改質部となり、かつ、他端に最も近接する改質部が該第一の改質部となるように実施された該剥離層形成ステップの後、かつ、該分離ステップの前に、該第二の集光点を該他端に最も近接する該第一の改質部と重ねるように位置付けた状態で、該被加工物と該第二の集光点とを該第一の方向に沿って相対的に移動させる最終レーザービーム照射ステップをさらに備える、請求項１乃至５のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項７】
該被加工物の該第二の方向における両端のそれぞれに最も近接する改質部が該第二の改質部となるように該剥離層形成ステップが実施される、請求項１乃至５のいずれかに記載の基板の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物から被加工物よりも薄い基板を製造する基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスは、一般的に、円盤状の基板を利用して形成される。そして、この基板は、例えば、インゴットと呼ばれる円柱状のブロック等の被加工物に含まれる所定の厚みを有する部分を分離させるようにワイヤーソーを用いて被加工物を切断することによって製造される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－１３９２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体デバイスの形成には、例えば、その厚みが約１５０μｍの基板が利用される。また、ワイヤーソーの厚みは、例えば、約３００μｍである。そのため、ワイヤーソーを利用して被加工物から基板を製造する場合には、例えば、被加工物の６０％～７０％が切り代として廃棄され、その生産性が低くなる。
【０００５】
この点に鑑み、本発明の目的は、被加工物から被加工物よりも薄い基板を製造する際の基板の生産性を向上させることが可能な基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、被加工物から該被加工物よりも薄い基板を製造する基板の製造方法であって、該被加工物の素材を透過する波長のレーザービームを該被加工物に照射することによって該被加工物の内部に剥離層を形成する剥離層形成ステップと、該剥離層形成ステップの後に、該剥離層を分離起点として該被加工物を分離することによって該基板を製造する分離ステップと、を備え、該剥離層形成ステップにおいては、該レーザービームが集光される集光点を該被加工物の内部に位置付けた状態で、該被加工物と該集光点とを第一の方向に沿って相対的に移動させるレーザービーム照射ステップと、該被加工物と該集光点が形成される位置とを該第一の方向と直交する第二の方向に沿って相対的に移動させる移動ステップと、を交互に繰り返すことによって、該第二の方向において交互に並ぶ第一の改質部と第二の改質部とを含む該剥離層が形成され、該第一の改質部は、第一の出力を有する第一のレーザービームが集光される第一の集光点において形成され、該第二の改質部は、該第一の出力よりも大きい第二の出力を有する第二のレーザービームが集光される第二の集光点において形成される、基板の製造方法が提供される。
【０００７】
なお、好ましくは、該レーザービーム照射ステップにおいては、該被加工物の素材を透過する波長の元のレーザービームを該第一のレーザービームと該第二のレーザービームとに分岐するとともに、該第二の方向において離隔した該第一の集光点と該第二の集光点とを該被加工物の内部に位置付けた状態で、該被加工物と該第一の集光点及び該第二の集光点とを該第一の方向に沿って相対的に移動させる。さらに好ましくは、該レーザービーム照射ステップにおいては、該第一の方向において該第一の集光点が該第二の集光点よりも先行して該被加工物の内部を移動する。
【０００８】
また、該第一の改質部から伸展するクラックは、該第二の改質部から伸展するクラックよりも小さくてもよい。あるいは、該第一の改質部からはクラックが伸展せず、該第二の改質部からはクラックが伸展してもよい。
【０００９】
さらに、本発明の基板の製造方法は、該被加工物の該第二の方向における一端に最も近接する改質部が該第二の改質部となり、かつ、他端に最も近接する改質部が該第一の改質部となるように実施された該剥離層形成ステップの後、かつ、該分離ステップの前に、該第二の集光点を該他端に最も近接する該第一の改質部と重ねるように位置付けた状態で、該被加工物と該第二の集光点とを該第一の方向に沿って相対的に移動させる最終レーザービーム照射ステップをさらに備えてもよい。あるいは、本発明の基板の製造方法においては、該被加工物の該第二の方向における両端のそれぞれに最も近接する改質部が該第二の改質部となるように該剥離層形成ステップが実施されてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明においては、剥離層を被加工物の内部に形成した後、この剥離層を分離起点として被加工物を分離することによって基板を製造する。これにより、被加工物からワイヤーソーを用いて基板を製造する場合と比較して、基板の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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