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公開番号2025072572
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-09
出願番号2025019524,2023502421
出願日2025-02-07,2022-02-22
発明の名称テンプレート基板、半導体基板、半導体デバイスの製造方法
出願人京セラ株式会社
代理人弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
主分類C30B 25/18 20060101AFI20250430BHJP(結晶成長)
要約【課題】テンプレート基板、半導体基板および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】エッジ(E)、エッジを含む周縁部(1S)、および周縁部よりも内側に位置する非周縁部(1P)を有する主基板と、主基板よりも上方に位置するマスクパターンとを備えるテンプレート基板(7)であって、マスクパターンは、マスク部(5)と、第1方向を幅方向、第2方向を長手方向とし、平面視において非周縁部(1P)と重なる複数の第1開口部(KF)と、平面視において前記エッジに沿うように配された、1つ以上の第2開口部(KB)とを有している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
エッジ、前記エッジを含む周縁部、および前記周縁部よりも内側に位置する非周縁部を有する主基板と、前記主基板よりも上方に位置し、マスク部を有するマスクパターンと、を備え、
前記マスクパターンは、平面視において前記非周縁部と重なる複数の第１開口部と、平面視において前記周縁部と重なる複数の第２開口部と、を含み、
前記複数の第１開口部は、第１方向に並び、ストライプ形状をなす、テンプレート基板。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
前記複数の第２開口部の面積の合計は、前記複数の第１開口部の面積の合計よりも小さい、請求項１に記載のテンプレート基板。
【請求項３】
前記複数の第１開口部と、前記複数の第２開口部とが分離している、請求項１または２に記載のテンプレート基板。
【請求項４】
前記複数の第２開口部は、前記第１方向を長手方向とする長手形状である、請求項１～３のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
【請求項５】
前記複数の第２開口部の幅は、前記複数の第１開口部の幅よりも大きい、請求項４に記載のテンプレート基板。
【請求項６】
前記マスクパターンは、前記主基板の中央を通り、前記複数の第１開口部の長手方向に平行な線に対して線対称である、請求項１～５のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
【請求項７】
前記複数の第２開口部は隣り合う２つの開口部を含み、前記２つの開口部の間隔は、前記複数の第１開口部の隣り合う間隔よりも小さい、請求項１～６のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
【請求項８】
前記複数の第１開口部の少なくとも１つが、前記複数の第２開口部に隣接し、かつ前記複数の第１開口部の長手方向に視たときに、前記複数の第１開口部の少なくとも１つと前記複数の第２開口部の少なくとも１つとが重なる、請求項１～７のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
【請求項９】
前記周縁部は前記エッジに沿う環状の形状であり、前記非周縁部は前記周縁部に囲まれた領域である、請求項１～８のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
【請求項１０】
平面視で前記複数の第１開口部と重なるシード層を有する、請求項１～９のいずれか１項に記載のテンプレート基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、テンプレート基板等に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）法を用いて、複数のマスクの開口部それぞれに対応する複数の半導体部を形成する手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
日本国公開特許公報「特開２０１１－６６３９０号」公報
【発明の概要】
【０００４】
本開示にかかるテンプレート基板は、エッジ、前記エッジを含む周縁部、および前記周縁部よりも内側に位置する非周縁部を有する主基板と、前記主基板よりも上方に位置するマスクパターンとを備え、前記マスクパターンは、マスク部と、第１方向を幅方向、第２方向を長手方向とし、平面視において前記非周縁部と重なる複数の第１開口部と、平面視において前記エッジに沿うように配された、１つまたは複数の第２開口部とを有している。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
本実施形態に係るテンプレート基板の構成を示す平面図である。
図１のａ－ａ矢視断面図（非周縁部）である。
図１のｂ－ｂ矢視断面図（周縁部）である。
本実施形態に係る半導体基板の構成を示す平面図である。
図４のＡ－Ａ矢視断面図である。
図４のｃ－ｃ矢視断面図である。
本実施形態に係る半導体基板の別構成を示す断面図である。
本実施形態に係る半導体基板の別構成を示す断面図である。
本実施形態にかかるテンプレート基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。
本実施形態にかかるテンプレート基板の製造装置の一例を示すブロック図である。
本実施形態にかかる半導体基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。
本実施形態にかかる半導体基板の製造装置の一例を示すブロック図である。
本実施形態にかかる半導体デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。
素子部の分離の一例を示す平面図である。
素子部の分離および離隔の一例を示す断面図である。
本実施形態に係る電子機器の構成を示す模式図である。
本実施形態に係る電子機器の別構成を示す模式図である。
実施例１に係るテンプレート基板の構成を示す平面図である。
図１７のｄ－ｄ矢視断面図である。
実施例１に係る半導体基板の構成を示す平面図である。
ＥＬＯ半導体部の横成長の一例を示す断面図である。
実施例１に係るテンプレート基板の別構成を示す平面図である。
図２１のテンプレート基板を含む半導体基板の構成を示す平面図である。
実施例１に係るテンプレート基板の別構成を示す平面図である。
実施例１に係るテンプレート基板の別構成を示す平面図である。
実施例２に係るテンプレート基板の構成を示す平面図である。
実施例２に係る半導体基板の構成を示す平面図である。
実施例２に係るテンプレート基板の別構成を示す平面図である。
実施例２に係るテンプレート基板の別構成を示す平面図である。
実施例４の構成を示す模式的断面図である
実施例４の電子機器への適用例を示す断面図である。
実施例５の構成を示す模式的断面図である。
実施例６の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
〔テンプレート基板〕
図１は、本実施形態に係るテンプレート基板の構成を示す平面図である。図２は、図１のａ－ａ矢視断面図（非周縁部）である。図３は、図１のｂ－ｂ矢視断面図（周縁部）である。
【０００７】
図１に示すように、本実施形態に係るテンプレート基板７は、エッジＥ（端面、側面）、エッジＥを含む周縁部１Ｓ、および周縁部１Ｓよりも内側に位置する非周縁部１Ｐを有する主基板１と、主基板１よりも上方に位置するマスクパターン６（マスク層）と、を備え、マスクパターン６は、マスク部５と、第１方向（Ｘ方向）を幅方向、第２方向（Ｙ方向）を長手方向とし、平面視において非周縁部１Ｐと重なる複数の第１開口部ＫＦと、平面視においてエッジＥに沿うように配された、複数の第２開口部ＫＢとを有している。テンプレート基板７は、半導体部（半導体層）の形成、例えば、ＥＬＯ法（Epitaxial Lateral Overgrowth）によるＧａＮ系半導体部（ＧａＮ系半導体結晶）の成膜に用いることができる。
【０００８】
図１では、主基板１のエッジＥ（側面、端面）が曲面Ｅｒおよび平面Ｅｆを含んでいるが、これに限定されず、エッジＥが曲面あるいは平面だけで構成されていてもよい。
【０００９】
各第１開口部ＫＦは、平面視において非周縁部１Ｐと重なればよく、その全体が非周縁部１Ｐに位置に位置していてもよいし、その一部が周縁部１Ｓに位置し、残余の部分が非周縁部１Ｐに位置していてもよい。
【００１０】
複数の第２開口部ＫＢは、平面視においてエッジＥに沿っていればよい。各第２開口部ＫＢは、全体が非周縁部１Ｐに位置に位置していてもよいし、全体が周縁部１Ｓに位置に位置していてもよいし、その一部が非周縁部１Ｐに位置し、残余の部分が周縁部１Ｓに位置していてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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