TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2025064571
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-04-17
出願番号
2023174438
出願日
2023-10-06
発明の名称
弾性波装置
出願人
京セラ株式会社
代理人
弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
主分類
H03H
9/145 20060101AFI20250410BHJP(基本電子回路)
要約
【課題】温度変化による周波数特性の変動が小さい、弾性波装置を実現する。
【解決手段】圧電体と、圧電体に直接または間接的に接し、第1合金~第12合金のいずれかである第1金属材料を含んでいるIDT電極と、を備えている。
【選択図】図5
特許請求の範囲
【請求項1】
圧電体と、
前記圧電体に直接または間接的に接し、第1合金~第12合金のいずれかである第1金属材料を含んでいるIDT電極と、を備えている、弾性波装置。
第1合金:ベースがNiであり、第1合金に含まれるPd原子数が、第1合金に含まれる全原子数の46%以上かつ60%以下である
第2合金:ベースがNiであり、第2合金に含まれるPt原子数が、第2合金に含まれる全原子数の50%以上かつ61%以下である
第3合金:ベースがNiであり、第3合金に含まれるSi原子数が、第3合金に含まれる全原子数の3.0%以上かつ4.5%以下である
第4合金:ベースがNiであり、第4合金に含まれるV原子数が、第4合金に含まれる全原子数の4.0%以上かつ5.2%以下である
第5合金:ベースがNiであり、第5合金に含まれるMn原子数が、第5合金に含まれる全原子数の8.0%以上かつ13.0%以下である
第6合金:ベースがNiであり、第6合金に含まれるTi原子数が、第6合金に含まれる全原子数の5.0%以上かつ6.4%以下である
第7合金:ベースがNiであり、第7合金に含まれるTi原子数が、第7合金に含まれる全原子数の40%以上かつ70%以下である
第8合金:ベースがNiであり、第8合金に含まれるCr原子数が、第8合金に含まれる全原子数の4.5%以上かつ6.3%以下である
第9合金:ベースがFeであり、第9合金に含まれるPd原子数が、第9合金に含まれる全原子数の25%以上かつ35%以下である
第10合金:ベースがFeであり、第10合金に含まれるMn原子数が、第10合金に含まれる全原子数の15%以上かつ31%以下である
第11合金:ベースがFeであり、第11合金に含まれるNi原子数が、第11合金に含まれる全原子数の26%以上かつ44%以下である
第12合金:ベースがMnであり、第12合金に含まれるCu原子数が、第12合金に含まれる全原子数の10%以上かつ32%以下である
続きを表示(約 1,900 文字)
【請求項2】
圧電体と、
前記圧電体に直接または間接的に接するIDT電極と、を備えており、
前記圧電体におけるヤング率の温度係数の符号と、前記IDT電極におけるヤング率の温度係数の符号と、が異なっている、弾性波装置。
【請求項3】
圧電体と、
前記圧電体に直接または間接的に接するIDT電極と、
前記圧電体に直接または間接的に接し、第1合金~第12合金のいずれかである第1金属材料を含んでいる合金層と、を備えている、弾性波装置。
第1合金:ベースがNiであり、第1合金に含まれるPd原子数が、第1合金に含まれる全原子数の46%以上かつ60%以下である
第2合金:ベースがNiであり、第2合金に含まれるPt原子数が、第2合金に含まれる全原子数の50%以上かつ61%以下である
第3合金:ベースがNiであり、第3合金に含まれるSi原子数が、第3合金に含まれる全原子数の3.0%以上かつ4.5%以下である
第4合金:ベースがNiであり、第4合金に含まれるV原子数が、第4合金に含まれる全原子数の4.0%以上かつ5.2%以下である
第5合金:ベースがNiであり、第5合金に含まれるMn原子数が、第5合金に含まれる全原子数の8.0%以上かつ13.0%以下である
第6合金:ベースがNiであり、第6合金に含まれるTi原子数が、第6合金に含まれる全原子数の5.0%以上かつ6.4%以下である
第7合金:ベースがNiであり、第7合金に含まれるTi原子数が、第7合金に含まれる全原子数の40%以上かつ70%以下である
第8合金:ベースがNiであり、第8合金に含まれるCr原子数が、第8合金に含まれる全原子数の4.5%以上かつ6.3%以下である
第9合金:ベースがFeであり、第9合金に含まれるPd原子数が、第9合金に含まれる全原子数の25%以上かつ35%以下である
第10合金:ベースがFeであり、第10合金に含まれるMn原子数が、第10合金に含まれる全原子数の15%以上かつ31%以下である
第11合金:ベースがFeであり、第11合金に含まれるNi原子数が、第11合金に含まれる全原子数の26%以上かつ44%以下である
第12合金:ベースがMnであり、第12合金に含まれるCu原子数が、第12合金に含まれる全原子数の10%以上かつ32%以下である
【請求項4】
圧電体と、
前記圧電体に直接または間接的に接するIDT電極と、
前記圧電体に直接または間接的に接する、高音響インピーダンス層である合金層および低音響インピーダンス層と、を備えており、
前記圧電体におけるヤング率の温度係数の符号と、前記合金層におけるヤング率の温度係数の符号と、が異なっている、弾性波装置。
【請求項5】
前記第1金属材料は、前記第1合金であり、
前記第1合金に含まれるPd原子数は、前記第1合金に含まれる全原子数の47%以上かつ54%以下である、請求項1または3に記載の弾性波装置。
【請求項6】
前記第1金属材料は、前記第2合金であり、
前記第2合金に含まれるPt原子数は、前記第2合金に含まれる全原子数の55%以上かつ60%以下である、請求項1または3に記載の弾性波装置。
【請求項7】
前記第1金属材料は、前記第3合金であり、
前記第3合金に含まれるSi原子数は、前記第3合金に含まれる全原子数の3.5%以上かつ4.4%以下である、請求項1または3に記載の弾性波装置。
【請求項8】
前記第1金属材料は、前記第4合金であり、
前記第4合金に含まれるV原子数は、前記第4合金に含まれる全原子数の4.2%以上かつ5.0%以下である、請求項1または3に記載の弾性波装置。
【請求項9】
前記第1金属材料は、前記第5合金であり、
前記第5合金に含まれるMn原子数は、前記第5合金に含まれる全原子数の9.0%以上かつ11.0%以下である、請求項1または3に記載の弾性波装置。
【請求項10】
前記第1金属材料は、前記第6合金であり、
前記第6合金に含まれるTi原子数は、前記第6合金に含まれる全原子数の5.1%以上かつ6.2%以下である、請求項1または3に記載の弾性波装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、弾性波装置に関する。
続きを表示(約 2,700 文字)
【背景技術】
【0002】
弾性波装置においては、IDT電極が合金を含んでいる構成が知られている。特許文献1には、IDT電極が、副成分10%以下のAlからなる第1層とCuAl
2
合金からなる第2層との積層構造を備える構成が開示されている。IDTは、interdigital transducerの略である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
国際公開番号WO2019/009373A1
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来の技術においては、弾性波装置の温度変化によって、弾性波装置の周波数特性が大きく変動しやすい。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様に係る弾性波装置は、圧電体と、前記圧電体に直接または間接的に接し、第1合金~第12合金のいずれかである第1金属材料を含んでいるIDT電極と、を備えている。
【0006】
第1合金:ベースがNiであり、第1合金に含まれるPd原子数が、第1合金に含まれる全原子数の46%以上かつ60%以下である
第2合金:ベースがNiであり、第2合金に含まれるPt原子数が、第2合金に含まれる全原子数の50%以上かつ61%以下である
第3合金:ベースがNiであり、第3合金に含まれるSi原子数が、第3合金に含まれる全原子数の3.0%以上かつ4.5%以下である
第4合金:ベースがNiであり、第4合金に含まれるV原子数が、第4合金に含まれる全原子数の4.0%以上かつ5.2%以下である
第5合金:ベースがNiであり、第5合金に含まれるMn原子数が、第5合金に含まれる全原子数の8.0%以上かつ13.0%以下である
第6合金:ベースがNiであり、第6合金に含まれるTi原子数が、第6合金に含まれる全原子数の5.0%以上かつ6.4%以下である
第7合金:ベースがNiであり、第7合金に含まれるTi原子数が、第7合金に含まれる全原子数の40%以上かつ70%以下である
第8合金:ベースがNiであり、第8合金に含まれるCr原子数が、第8合金に含まれる全原子数の4.5%以上かつ6.3%以下である
第9合金:ベースがFeであり、第9合金に含まれるPd原子数が、第9合金に含まれる全原子数の25%以上かつ35%以下である
第10合金:ベースがFeであり、第10合金に含まれるMn原子数が、第10合金に含まれる全原子数の15%以上かつ31%以下である
第11合金:ベースがFeであり、第11合金に含まれるNi原子数が、第11合金に含まれる全原子数の26%以上かつ44%以下である
第12合金:ベースがMnであり、第12合金に含まれるCu原子数が、第12合金に含まれる全原子数の10%以上かつ32%以下である
【発明の効果】
【0007】
本開示の一態様によれば、温度変化による周波数特性の変動が小さい、弾性波装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
一般に弾性波装置において用いられ得る材料の、弾性定数(ヤング率)の温度係数を示す表である。
各種金属材料と、そのヤング率の絶対値と、そのヤング率の温度係数と、を示す表である。
圧電体およびSiO
2
層の積層構造の側面図である。
本開示の各実施形態1~4に係る弾性波装置の概略構成を示す平面図である。
本開示の実施形態1に係る、図4のA-A断面図である。
ヤング率の温度係数の符号が正である合金の一部を示す表である。
弾性波装置の、IDT電極の厚みに対する各種特性を示すグラフである。
IDT電極の厚みが30nmである場合の、周波数に対するインピーダンスの絶対値を示すグラフである。
IDT電極の厚みが50nmである場合の、周波数に対するインピーダンスの絶対値を示すグラフである。
IDT電極の厚みが70nmである場合の、周波数に対するインピーダンスの絶対値を示すグラフである。
板波以外を励振する弾性波装置における、IDT電極のヤング率の温度係数に対する、弾性波装置のTCFr変化量を示すグラフである。
板波として反対称モードのA
1
モードを励振する弾性波装置における、IDT電極のヤング率の温度係数に対する、弾性波装置のTCFr変化量を示すグラフである。
本開示の実施形態2に係る、図4のA-A断面図である。
IDT電極がAlからなる弾性波装置における、周波数に対するインピーダンスの絶対値を示すグラフである。
本開示の実施形態2に係る弾性波装置における、周波数に対するインピーダンスの絶対値を示すグラフである。
本開示の実施形態3に係る、図4のA-A断面図である。
本開示の実施形態4に係る、図4のA-A断面図である。
本開示の実施形態5に係る弾性波装置の概略構成を示す平面図である。
図18のB-B断面図である。
装置Xおよび装置Yそれぞれの構成を示す断面図である。
SiO
2
層を備えている弾性波装置における、本開示の効果について説明するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示を実施するための形態について説明する。説明の便宜上、先に説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない場合がある。
【0010】
SAWフィルタ等の弾性波装置においては概ね、共振周波数が音速に比例する。弾性波装置において、音速は、ヤング率等の弾性定数を密度で除したものの平方根を取った値である。弾性波装置においては、弾性定数の温度特性が、共振周波数、ひいてはTCF(Temperature Coefficient of Frequency)に影響を与える。TCFは、周波数温度特性とも呼ばれ、弾性波装置の弾性定数の温度係数の半分に概ね比例する。TCFは共振、もしくは反共振周波数の温度による変化率を、共振、もしくは反共振周波数の絶対値で規格化したもので、通常はppm/Kの単位が用いられる。SAWは、Surface Acoustic Waveの略である。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
京セラ株式会社
ヒータ
20日前
京セラ株式会社
弾性波装置
4日前
京セラ株式会社
粒子分離装置
11日前
京セラ株式会社
電力変換装置
18日前
京セラ株式会社
粒子分離装置
11日前
京セラ株式会社
粒子分離装置
11日前
京セラ株式会社
粒子分離装置
11日前
京セラ株式会社
エネルギーシステム
11日前
京セラ株式会社
研磨治具および研磨装置
12日前
京セラ株式会社
送電装置、方法及びプログラム
13日前
京セラ株式会社
液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置
11日前
京セラ株式会社
電源管理システム及び電源制御方法
12日前
京セラ株式会社
燃料電池モジュール及び燃料電池装置
11日前
京セラ株式会社
電子機器、制御方法、及びプログラム
4日前
京セラ株式会社
配線基板およびそれを用いた実装構造体
13日前
京セラ株式会社
送電装置、制御方法及び制御プログラム
12日前
京セラ株式会社
送電装置、制御方法及び制御プログラム
12日前
京セラ株式会社
燃料電池セルスタックおよび燃料電池装置
12日前
京セラ株式会社
透光性磁性材料、光学素子および光学装置
14日前
京セラ株式会社
ホルダ、切削工具及び切削加工物の製造方法
7日前
京セラ株式会社
ホルダ、切削工具及び切削加工物の製造方法
18日前
京セラ株式会社
ホルダ、切削工具及び切削加工物の製造方法
18日前
京セラ株式会社
弾性波装置、分波器、通信装置および弾性波装置の製造方法
12日前
京セラ株式会社
学習データ生成装置、学習データ生成方法、及びプログラム
11日前
京セラ株式会社
二次電池用負極の製造方法、二次電池用負極および二次電池
12日前
京セラ株式会社
インクジェット記録装置
4日前
京セラ株式会社
第1の情報処理装置、第2の情報処理装置、情報処理方法、及びプログラム
7日前
京セラ株式会社
テクスチャ画像生成装置、テクスチャ画像生成方法、及びテクスチャ画像生成プログラム
14日前
京セラ株式会社
結晶分析方法、結晶分析装置、半導体基板およびその製造方法、半導体デバイスの製造方法
24日前
京セラ株式会社
携帯端末装置、画像処理装置及びプログラム
4日前
京セラ株式会社
音処理方法、音処理装置及び音処理プログラム
11日前
京セラ株式会社
画像生成装置、画像生成方法、画像生成プログラム及び記録媒体
4日前
京セラ株式会社
通信方法、ユーザ装置、プロセッサ、プログラム、及び移動通信システム
11日前
京セラ株式会社
通信制御方法、中継ノード、通信システム、プログラム及びチップセット
26日前
京セラ株式会社
通信制御方法、中継ノード、セルラ通信システム、プログラム及びチップセット
6日前
京セラ株式会社
通信制御方法、第1装置、ネットワークノード、チップセット、プログラム、及び移動通信システム
11日前
続きを見る
他の特許を見る