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公開番号2025068374
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-28
出願番号2023178229
出願日2023-10-16
発明の名称配線基板および半導体デバイス
出願人京セラ株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H05K 1/02 20060101AFI20250421BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】配線の設計自由度を高める。
【解決手段】配線基板は、第1面と、第1面と反対側に位置する第2面とを有し、ガラス成分を含むセラミック複合材料を用いた第1基材と、第3面と、第3面と反対側に位置する第4面とを有し、有機成分を主成分とする第2基材と、第1基材の内部に位置し、第1面から第2面に延びる第1配線と、第2基材の内部に位置し、第3面から第4面に延びる第2配線と、第1面から突出して第2基材の内部に入り込む複数の凸状体とを有する。第1基材の第1面に、第2基材の第3面が接合される。第1面に沿った方向における熱膨張率は、第1基材よりも第2基材の方が高い。第1配線および第2配線は、第1基材と第2基材との接合面において電気的に接続される。凸状体は、ガラス成分を含み、第1基材に対してガラス成分により接合される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１面と、前記第１面と反対側に位置する第２面とを有し、ガラス成分を含むセラミック複合材料を用いた第１基材と、
第３面と、前記第３面と反対側に位置する第４面とを有し、有機成分を主成分とする第２基材と、
前記第１基材の内部に位置し、前記第１面から前記第２面に延びる第１配線と、
前記第２基材の内部に位置し、前記第３面から前記第４面に延びる第２配線と、
前記第１面から突出して前記第２基材の内部に入り込む複数の凸状体と
を有し、
前記第１基材の前記第１面に、前記第２基材の前記第３面が接合され、
前記第１面に沿った方向における熱膨張率は、前記第１基材よりも前記第２基材の方が高く、
前記第１配線および前記第２配線は、前記第１基材と前記第２基材との接合面において電気的に接続され、
前記凸状体は、ガラス成分を含み、前記第１基材に対してガラス成分により接合される
配線基板。
続きを表示（約 850 文字）【請求項２】
前記第１面と直交する断面において、前記凸状体の先端部の幅は、前記凸状体の基端部の幅よりも狭い
請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１面と直交する断面において、前記凸状体の先端部と基端部とを繋ぐ側面は、凹状に湾曲している
請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記凸状体におけるガラス成分の含有割合は、前記第１基材におけるガラス成分の含有割合よりも多い
請求項１～３のいずれか一つに記載の配線基板。
【請求項５】
前記凸状体は、ガラス成分を主成分とする基部と、複数のセラミック粒子とを含み、
前記複数のセラミック粒子は、前記基部の内部よりも前記基部の表面に多く位置する
請求項１～３のいずれか一つに記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１基材は、セラミックのフィラーを含み、
前記凸状体が有する前記複数のセラミック粒子は、前記フィラーと同一成分である
請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１基材は、前記第１面に複数の凹部を有し、
前記第２基材は、前記凹部に入り込んでいる
請求項１～３のいずれか一つに記載の配線基板。
【請求項８】
前記第１配線は、銅または銀を主成分とし、
前記第２配線は、銅または銀を主成分とする
請求項１～３のいずれか一つに記載の配線基板。
【請求項９】
前記第２配線は、前記第４面に載置される半導体素子と電気的および熱的に接続され、
前記第１基材は、前記第２基材よりも熱伝導率が高い
請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記第１配線および前記第２配線のうち前記第１配線のみがガラス成分を含む
請求項１～３のいずれか一つに記載の配線基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板および半導体デバイスに関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
配線が形成された有機樹脂製の基板をセラミック製の基板上に積層した配線基板が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－２０７９７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来技術では、有機樹脂製の基板にしか配線が形成されていないため、配線の設計自由度を高めるという点でさらなる改善の余地があった。
【０００５】
本開示は、配線の設計自由度を高めることができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様による配線基板は、第１基材と、第２基材と、第１配線と、第２配線と、複数の凸状体と、を有する。第１基材は、第１面と、前記第１面と反対側に位置する第２面とを有し、ガラス成分を含むセラミック複合材料を用いた基材である。第２基材は、第３面と、前記第３面と反対側に位置する第４面とを有し、有機成分を主成分とする基材である。第１配線は、前記第１基材の内部に位置し、前記第１面から前記第２面に延びる。第２配線は、前記第２基材の内部に位置し、前記第３面から前記第４面に延びる。複数の凸状体は、前記第１面から突出して前記第２基材の内部に入り込む。前記第１基材の前記第１面に、前記第２基材の前記第３面が接合される。前記第１面に沿った方向における熱膨張率は、前記第１基材よりも前記第２基材の方が高い。前記第１配線および前記第２配線は、前記第１基材と前記第２基材との接合面において電気的に接続される。前記凸状体は、ガラス成分を含み、前記第１基材に対してガラス成分により接合される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、配線の設計自由度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、第１実施形態に係る配線基板の構成の一例を示す断面図である。
図２は、図１に示すＨ１部の構成の一例を示す拡大断面図である。
図３は、図２に示すＨ２部の構成の一例を示す拡大断面図である。
図４は、凸状体の別の一例を示す模式的な断面図である。
図５は、凸状体の別の一例を示す模式的な断面図である。
図６は、凸状体の別の一例を示す模式的な断面図である。
図７は、図１に示すＨ１部の構成の別の一例を示す拡大断面図である。
図８は、凹部の別の一例を示す模式的な拡大図である。
図９は、第１実施形態に係るビアの模式的な縦断面図である。
図１０は、第１実施形態に係るビアの模式的な横断面図である。
図１１は、第１実施形態に係る半導体デバイスの構成の一例を示す断面図である。
図１２は、第２実施形態に係る配線基板の構成の一例を示す断面図である。
図１３は、第３実施形態に係る配線基板の構成の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本開示による配線基板および半導体デバイスを実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
【００１０】
また、以下に示す実施形態では、「直交」あるいは「垂直」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「直交」あるいは「垂直」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
（【００１１】以降は省略されています）

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