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公開番号2025058855
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-09
出願番号2024059772
出願日2024-04-02
発明の名称基板の製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 1/11 20060101AFI20250401BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】セラミックス基板を貫通する孔を高精度に形成可能な基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、第1面と、前記第1面とは反対側に位置する第2面と、を有するセラミックス基板を準備する工程と、前記第1面の第1領域に第1パルス幅の第1レーザを照射することにより、前記セラミックス基板における前記第1領域をアブレーション加工する第1加工工程と、前記第1パルス幅よりもパルス幅が長い第2パルス幅の第2レーザを、平面視において、前記第1面または前記第2面のどちらか一方における前記第1領域から離隔した第2領域に照射して前記第1領域と前記第2領域とを含む第3領域を熱加工する第2加工工程と、を含み、前記第2加工工程において、前記第3領域と前記第3領域に囲まれた領域とが前記第1面から前記第2面まで貫通する孔を形成する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有するセラミックス基板を準備する工程と、
前記第１面の第１領域に第１パルス幅の第１レーザを照射することにより、前記セラミックス基板における前記第１領域をアブレーション加工する第１加工工程と、
前記第１パルス幅よりもパルス幅が長い第２パルス幅の第２レーザを、平面視において、前記第１面または前記第２面のどちらか一方における前記第１領域から離隔した第２領域に照射して前記第１領域と前記第２領域とを含む第３領域を熱加工する第２加工工程と、を含み、
前記第２加工工程において、前記第３領域と前記第３領域に囲まれた領域とが前記第１面から前記第２面まで貫通する孔を形成する、基板の製造方法。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記第１加工工程において、前記第１領域は環状である、請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２加工工程において、前記第２領域は前記第１領域の内側に位置する、請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記セラミックス基板において、前記第１領域と前記第２領域との間の距離は、２５．０μｍ以上３２．５μｍ以下である、請求項３に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２領域は、前記第２面に位置する、請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１加工工程において、アブレーション加工された前記第１領域は、前記第１面から前記第２面まで達する、請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２加工工程において、前記第２領域は環状である、請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
平面視において、前記第１領域の形状は矩形である、請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１レーザは、パルス幅がフェムト秒領域であるレーザであり、
前記第２レーザは、ＣＯ
２
レーザ光源から射出されたレーザである、請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミックス基板の厚みは、１００μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の基板の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 3,000 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子や各種電気素子を実装可能な配線を備える基板が知られている。また、特許文献１には、レーザ加工によって、セラミック基材を貫通するビアホールを形成する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特表２０１９－５１１１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
セラミックス基板は、他の材料で構成される基板と比較して硬いため、他の材料で構成される基板と比較して高精度に加工することが難しい。一方、発光素子や各種電気素子の基板への高精度の実装及び配線形成を実現するためには、基板を貫通する孔の位置や形状に高い精度が求められる。
【０００５】
本開示に係る実施形態は、セラミックス基板を貫通する孔を高精度に形成可能な基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態に係る基板の製造方法は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有するセラミックス基板を準備する工程と、前記第１面の第１領域に第１パルス幅の第１レーザを照射することにより、前記セラミックス基板における前記第１領域をアブレーション加工する第１加工工程と、前記第１パルス幅よりもパルス幅が長い第２パルス幅の第２レーザを、平面視において、前記第１面または前記第２面のどちらか一方における前記第１領域から離隔した第２領域に照射して前記第１領域と前記第２領域とを含む第３領域を熱加工する第２加工工程と、を含み、前記第２加工工程において、前記第３領域と前記第３領域に囲まれた領域とが前記第１面から前記第２面まで貫通する孔を形成する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の実施形態によれば、セラミックス基板を貫通する孔を高精度に形成可能な基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態に係る基板を備える発光装置の構成を示す模式的上面図である。
図１のII－II線における模式的断面図である。
実施形態に係る基板の製造方法の製造対象であるセラミックス基板を準備する工程を示す模式的上面図である。
図３のIV－IV線における模式的断面図である。
実施形態に係る基板の製造方法における第１加工工程を示すセラミックス基板の模式的上面図である。
図５のVI－VI線における模式的断面図である。
実施形態に係る基板の製造方法における第２加工工程を示すセラミックス基板の第１模式的上面図である。
図７のVIII－VIII線における第１模式的断面図である。
実施形態に係る基板の製造方法における第２加工工程を示すセラミックス基板の第２模式的上面図である。
図９のX－X線における第２模式的断面図である。
実施形態に係る基板の製造方法により形成された孔を示す模式的上面図である。
実施形態に係る基板の製造方法により形成された孔を示す模式的下面図である。
図１１ＡのXII－XII線における模式的断面図である。
第１変形例に係る基板の製造方法における第２加工工程を示すセラミックス基板の模式的上面図である。
図１３のXIV－XIV線における模式的断面図である。
第２変形例に係る基板の製造方法における第１領域を示すセラミックス基板の模式的上面図である。
図１５のXVI－XVI線における模式的断面図である。
第２変形例に係る基板の製造方法における第２領域及び第３領域を示すセラミックス基板の第１模式的上面図である。
図１７のXVIII－XVIII線における第１模式的断面図である。
第２変形例に係る基板の製造方法における第２領域及び第３領域を示すセラミックス基板の第２模式的上面図である。
図１９のXX－XX線における第２模式的断面図である。
第２変形例に係る基板の製造方法により形成された孔を示す基板の模式的上面図である。
第２変形例に係る基板の製造方法により形成された孔を示す基板の模式的下面図である。
図２１ＡのXXII－XXII線における模式的断面図である。
第２変形例に係る基板を備える発光装置の構成を示す模式的断面図である。
セラミックス基板及びガラスの反射率を示すグラフである。
実施例１に係る基板の製造方法により形成された孔の上面写真である。
実施例１に係る基板の製造方法により形成された孔の下面写真である。
実施例２に係る基板の製造方法により形成された孔の上面写真である。
実施例２に係る基板の製造方法により形成された孔の下面写真である。
参考例に係る基板の製造方法により形成された孔の上面写真である。
参考例に係る基板の製造方法により形成された孔の下面写真である。
比較例に係る基板の製造方法により形成された孔の上面写真である。
比較例に係る基板の製造方法により形成された孔の下面写真である。
第１領域と第２領域との間隔を説明する模式図である。
第１領域と第２領域との間隔と、形成位置ズレとの関係を示す図である。
第１加工工程後及び第２加工工程後それぞれにおいて撮影した第１面及び第２面の写真である。
孔の内側面の形状の第１例を説明する孔の断面図である。
孔の内側面の形状の第２例を説明する孔の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示の実施形態に係る基板の製造方法について図面を参照しながら詳細に説明する。但し、以下に示す形態は、本開示の技術思想を具現化するための基板の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本開示の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。断面図として、切断面のみを示す端面図を用いる場合がある。
【００１０】
以下に示す図においてＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸により方向を示す場合があるが、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は相互に直交する方向である。Ｘ軸に沿うＸ方向およびＹ軸に沿うＹ方向は、実施形態に係る基板の製造方法の製造対象であるセラミックス基板が備える第１面に沿う方向を示すものとする。Ｚ軸に沿うＺ方向は、上記第１面に直交する方向を示すものとする。すなわち、セラミックス基板の第１面はＸＹ平面に平行であり、Ｚ軸はＸＹ平面に直交する。
（【００１１】以降は省略されています）

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