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公開番号2025074693
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-14
出願番号2023185691
出願日2023-10-30
発明の名称基板の製造方法
出願人住友ベークライト株式会社
代理人個人
主分類H05K 3/20 20060101AFI20250507BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】絶縁層の絶縁性の低下を抑制できる基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板10の一面上に絶縁材料2を配置する絶縁材料配置工程S10と、回路層30を、回路層30に対応する第1の凹部210を有する台200に配置する回路層配置工程S20と、回路層30を配置した台200と、ベース基板10とを、絶縁材料2の少なくとも一部が回路層30に対向した状態で互いに押圧するとともに絶縁材料2を加熱することで、絶縁材料2を硬化させて、ベース基板10に回路層30を固定する絶縁層20を形成する絶縁層形成工程S30と、を含む基板100の製造方法。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ベース基板の一面上に絶縁材料を配置する絶縁材料配置工程と、
回路層を、前記回路層に対応する第１の凹部を有する台に配置する回路層配置工程と、
前記回路層を配置した前記台と、前記ベース基板とを、前記絶縁材料の少なくとも一部が前記回路層に対向した状態で互いに押圧するとともに前記絶縁材料を加熱することで、前記絶縁材料を硬化させて、前記ベース基板に前記回路層を固定する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を含む基板の製造方法。
続きを表示（約 870 文字）【請求項２】
前記回路層の厚さと、前記第１の凹部の深さの差は、絶縁層の厚さの５０％以下である、
請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記回路層の厚さは、前記第１の凹部の深さよりも大きい、
請求項２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記台は、
第２の凹部と、
前記第２の凹部にはめ込まれていて前記第１の凹部を有するはめ込み部材と、
を備える、
請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記ベース基板は、前記一面と反対側の面に放熱用凸部を有する、
請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層形成工程において、前記放熱用凸部より高さが高い加圧用凸部を有する加圧部材を準備し、
前記ベース基板の前記一面と反対側の面のうち前記放熱用凸部とは異なる部分を前記加圧用凸部で加圧することにより、前記ベース基板を台に向けて押圧する、
請求項５に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記ベース基板は、前記放熱用凸部を複数有し、
前記放熱用凸部とは異なる部分は、前記放熱用凸部の間の部分である、
請求項６に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
前記加圧用凸部と前記一面と反対側の面が接触する領域の面積は、前記ベース基板の前記一面と反対側の面の面積の、
２０％以上である、
請求項６に記載の基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１の凹部の底面の面積は、前記ベース基板の前記一面の面積の３０％以上である、
請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
前記台は、前記第１の凹部の底面の少なくとも一部に、離型層が配置されている、
請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【０００２】
パワーモジュール等の分野においては、半導体素子を搭載し、搭載された半導体素子の放熱に寄与する回路層、および回路層を保持するとともに回路層を電気的に絶縁させる絶縁層を有する基板が用いられる。上記の基板を形成する方法としては、プレス機を用いて、金属板から回路層を打ち抜いた後に、打ち抜いた回路層を絶縁材料に張り付けた後に絶縁材料を硬化させることで、回路層および絶縁層を形成する方法がある。
【０００３】
特許文献１には、金属板を加工して、抜き部を設けて回路パターン部を形成し、回路パターン部を放熱層に接合することを含む、基板の製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２２－１２３９８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記の方法の場合、回路層から絶縁層への圧力が大きくなるため、回路層が絶縁層に食い込みやすい。そして、この食い込みが、絶縁層の絶縁性の低下の原因となる場合があった。
【０００６】
本発明における目的の一例は、絶縁層の絶縁性の低下を抑制できる基板の製造方法を提供することである。
【０００７】
本発明によれば、以下に示す基板の製造方法が提供される。
【０００８】
［１］
ベース基板の一面上に絶縁材料を配置する絶縁材料配置工程と、
回路層を、前記回路層に対応する第１の凹部を有する台に配置する回路層配置工程と、
前記回路層を配置した前記台と、前記ベース基板とを、前記絶縁材料の少なくとも一部が前記回路層に対向した状態で互いに押圧するとともに前記絶縁材料を加熱することで、前記絶縁材料を硬化させて、前記ベース基板に前記回路層を固定する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を含む基板の製造方法。
［２］
前記回路層の厚さと、前記第１の凹部の深さの差は、絶縁層の厚さの５０％以下である、
［１］に記載の基板の製造方法。
［３］
前記回路層の厚さは、前記第１の凹部の深さよりも大きい、
［２］に記載の基板の製造方法。
［４］
前記台は、
第２の凹部と、
前記第２の凹部にはめ込まれていて前記第１の凹部を有するはめ込み部材と、
を備える、
［１］乃至［３］のいずれかに記載の基板の製造方法。
［５］
前記ベース基板は、前記一面と反対側の面に放熱用凸部を有する、
［１］乃至［４］のいずれかに記載の基板の製造方法。
［６］
前記絶縁層形成工程において、前記放熱用凸部より高さが高い加圧用凸部を有する加圧部材を準備し、
前記ベース基板の前記一面と反対側の面のうち前記放熱用凸部とは異なる部分を前記加圧用凸部で加圧することにより、前記ベース基板を台に向けて押圧する、
［５］に記載の基板の製造方法。
［７］
前記ベース基板は、前記放熱用凸部を複数有し、
前記放熱用凸部とは異なる部分は、前記放熱用凸部の間の部分である、
［６］に記載の基板の製造方法。
［８］
前記加圧用凸部と前記一面と反対側の面が接触する領域の面積は、前記ベース基板の前記一面と反対側の面の面積の、
２０％以上である、
［６］又は［７］に記載の基板の製造方法。
［９］
前記第１の凹部の底面の面積は、前記ベース基板の前記一面の面積の３０％以上である、
［１］乃至［８］のいずれかに記載の基板の製造方法。
［１０］
前記台は、前記第１の凹部の底面の少なくとも一部に、離型層が配置されている、
［１］乃至［９］のいずれかに記載の基板の製造方法。
［１１］
前記離型層は離型フィルムである、
［１０］に記載の基板の製造方法。
［１２］
前記離型層は、フッ素樹脂を含む、
［１０］又は［１１］に記載の基板の製造方法。
［１３］
前記絶縁材料配置工程において、前記絶縁材料は、ＤＳＣ（示差走査熱量計）の測定結果から算出される反応率が、０％を超え６０％以下である、
［１］乃至［１２］のいずれかに記載の基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
絶縁層の絶縁性の低下を抑制できる基板の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本実施形態に係る基板の断面の一例を示す図である。
本実施形態に係る基板の断面の変形例を示す図である。
本実施形態に係る基板の製造方法を示す断面工程図である。
本実施形態に係る基板の製造方法の第１変形例を示す断面工程図である。
本実施形態に係る基板の製造方法の第２変形例を示す断面工程図である。
本実施形態に係る基板の製造方法の第３変形例における台を示す図である。
本実施形態に係る基板の製造方法の第３変形例を示す断面工程図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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