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公開番号2025044099
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-01
出願番号2023212567
出願日2023-12-15
発明の名称粗化銅箔の製造方法
出願人南亞塑膠工業股分有限公司,NAN YA PLASTICS CORPORATION
代理人個人
主分類C25D 3/38 20060101AFI20250325BHJP(電気分解または電気泳動方法;そのための装置)
要約【課題】銅箔上に低い粗さで高い密着性の粗化層を形成することができる、粗化銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】粗化銅箔の製造方法は、以下のステップを含む。
銅箔を提供する。電解プロセスを実行して、銅箔上に粗化層を形成する。電解プロセスにおける電解液は、銅イオンを0.1g/L～20g/Lの範囲、硫酸イオンを30g/L～120g/Lの範囲、配位化合物を0.1g/L～10g/Lの範囲で含む。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
銅箔を提供することと、
電解プロセスを実行して、前記銅箔上に粗化層を形成することであって、前記電解プロセスにおける電解液は、銅イオンを０．１ｇ／Ｌ～２０ｇ／Ｌの範囲、硫酸イオンを３０ｇ／Ｌ～１２０ｇ／Ｌの範囲、配位化合物を０．１ｇ／Ｌ～１０ｇ／Ｌの範囲で含む、前記形成することと、
を含む、粗化銅箔の製造方法。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
前記配位化合物は、ベンゾトリアゾール系化合物、プロパンスルホン酸系化合物、エチレンジアミン四酢酸、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の粗化銅箔の製造方法。
【請求項３】
他の金属イオンは前記電解液にさらに追加されない、請求項１に記載の粗化銅箔の製造方法。
【請求項４】
前記電解プロセスは、第１の電解プロセス及び第２の電解プロセスを含み、前記第１の電解プロセスで使用される前記銅イオンの第１の濃度は、前記第２の電解プロセスで使用される前記銅イオンの第２の濃度よりも低い、請求項１に記載の粗化銅箔の製造方法。
【請求項５】
前記銅イオンの前記第１の濃度は０．１ｇ／Ｌ～１０ｇ／Ｌであり、前記銅イオンの前記第２の濃度は１ｇ／Ｌ～２０ｇ／Ｌである、請求項４に記載の粗化銅箔の製造方法。
【請求項６】
前記電解プロセスを実行した後に、シラン処理工程を実行することをさらに含む、請求項１に記載の粗化銅箔の製造方法。
【請求項７】
前記電解プロセスでは直流を使用する、請求項１に記載の粗化銅箔の製造方法。
【請求項８】
前記電解プロセスの温度は２５℃～６０℃である、請求項１に記載の粗化銅箔の製造方法。
【請求項９】
前記電解プロセスの電流密度は１Ａ／ｄｍ
２
～１２０Ａ／ｄｍ
２
である、請求項１に記載の粗化銅箔の製造方法。
【請求項１０】
前記電解プロセスの時間は１秒～４５秒である、請求項１に記載の粗化銅箔の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、粗化銅箔の製造方法に関する。
続きを表示（約 880 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント基板（ＰＣＢ）の微細化に伴い、銅箔表面の粗化層をより微細にすることが望まれるが、銅箔と絶縁樹脂との高い密着性を維持する必要がある。したがって、銅箔上に低い粗さで高い密着性の粗化層を製造することは実際に困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、銅箔上に低い粗さで高い密着性の粗化層を形成することができる、粗化銅箔の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の粗化銅箔の製造方法は、以下のステップを含む。銅箔を提供する。電解プロセスを実行して、銅箔上に粗化層を形成する。電解プロセスにおける電解液は、銅イオンを０．１ｇ／Ｌ～２０ｇ／Ｌの範囲、硫酸イオンを３０ｇ／Ｌ～１２０ｇ／Ｌの範囲、配位化合物を０．１ｇ／Ｌ～１０ｇ／Ｌの範囲で含む。
【０００５】
本発明の一実施形態において、配位化合物は、ベンゾトリアゾール系化合物、プロパンスルホン酸系化合物、エチレンジアミン四酢酸、又はそれらの組み合わせを含む。
【０００６】
本発明の一実施形態において、他の金属イオンは電解液にさらに追加されない。
【０００７】
本発明の一実施形態において、電解プロセスは、第１の電解プロセス及び第２の電解プロセスを含み、第１の電解プロセスで使用される銅イオンの第１の濃度は、第２の電解プロセスで使用される銅イオンの第２の濃度よりも低い。
【０００８】
本発明の一実施形態において、銅イオンの第１の濃度は０．１ｇ／Ｌから１０ｇ／Ｌであり、銅イオンの第２の濃度は１ｇ／Ｌ～２０ｇ／Ｌである。
【０００９】
本発明の一実施形態において、電解プロセスを実行した後に、シラン処理工程をさらに実行する。
【００１０】
本発明の一実施形態において、電解プロセスでは直流を使用する。
（【００１１】以降は省略されています）

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