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公開番号2025093262
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-23
出願番号2024013827
出願日2024-02-01
発明の名称シアノバクテリアの培養方法
出願人南亞塑膠工業股分有限公司,NAN YA PLASTICS CORPORATION
代理人個人
主分類C12N 1/20 20060101AFI20250616BHJP(生化学;ビール;酒精;ぶどう酒;酢;微生物学;酵素学;突然変異または遺伝子工学)
要約【課題】本発明は、シアノバクテリアの培養方法を提供する。
【解決手段】シアノバクテリアの培養方法は、シアノバクテリアを提供すること、シアノバクテリアに物理的突然変異誘発処理を行うことによって、一次突然変異のシアノバクテリアを得ることと、一次突然変異のシアノバクテリアに化学的突然変異誘発処理を行うことによって、二次突然変異のシアノバクテリアを得ることと、二次突然変異のシアノバクテリアに温度耐性試験及び耐環境性試験を行うことによって、ターゲットのシアノバクテリアを得ると、を含み、物理的突然変異誘発処理の致死率は50%～80%であり、化学的突然変異誘発処理の致死率は40%～55%である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
シアノバクテリアを提供することと、
前記シアノバクテリアに物理的突然変異誘発処理を行うことによって、一次突然変異のシアノバクテリアを得ることと、
前記一次突然変異のシアノバクテリアに化学的突然変異誘発処理を行うことによって、二次突然変異のシアノバクテリアを得ることと、
前記二次突然変異のシアノバクテリアに温度耐性試験及び耐環境性試験を行うことによって、ターゲットのシアノバクテリアを得ると、を含み、
前記物理的突然変異誘発処理の致死率は５０％～８０％であり、前記化学的突然変異誘発処理の致死率は４０％～５５％であることを特徴とする、シアノバクテリアの培養方法。
続きを表示（約 910 文字）【請求項２】
前記物理的突然変異誘発処理の致死率は６０％～８０％である、請求項１に記載のシアノバクテリアの培養方法。
【請求項３】
前記化学的突然変異誘発処理は４０％～５５％である、請求項１に記載のシアノバクテリアの培養方法。
【請求項４】
前記物理的突然変異誘発処理において、照度０．０１７ｍＷ／ｃｍ
２
～０．０８２ｍＷ／ｃｍ
２
の紫外線光源（ＵＶ光源）を使用して、前記シアノバクテリアを１０～７０秒間照射する、請求項１に記載のシアノバクテリアの培養方法。
【請求項５】
前記化学的突然変異誘発処理において、５０～３００μｇ／ｍｌの濃度のニトロソグアニジン（ＮＴＧ）処理で０．５～２分間処理する、請求項１に記載のシアノバクテリアの培養方法。
【請求項６】
二次突然変異のシアノバクテリアを３０℃～６０℃の環境で置き、成長状況を観察し、予備選定のシアノバクテリアを選別することである、請求項１に記載のシアノバクテリアの培養方法。
【請求項７】
前記耐環境性試験は、前記予備選定のシアノバクテリアを通気比率が０．５％～９％の混合ガスに置くことによって、前記ターゲットのシアノバクテリアを選別することである、請求項６に記載のシアノバクテリアの培養方法。
【請求項８】
前記混合ガスは、水素ガス、アセチレン、メタン、硫化水素、及びアセトアルデヒドを含む、請求項７に記載のシアノバクテリアの培養方法。
【請求項９】
前記混合ガスは、水素ガス３０ｐｐｍ～５０ｐｐｍと、アセチレン１５０ｐｐｍ～２５０ｐｐｍと、メタン１００ｐｐｍ～２００ｐｐｍと、硫化水素０．１ｐｐｍ～１ｐｐｍと、アセトアルデヒド１～５ｐｐｍと、を含む、請求項８に記載のシアノバクテリアの培養方法。
【請求項１０】
前記二次突然変異のシアノバクテリアに前記化学的突然変異誘発処理を更に行うことを含む、請求項１に記載のシアノバクテリアの培養方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、シアノバクテリアの培養方法に関し、特に、高温の産業排ガスに耐性のあるシアノバクテリアの培養方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
シアノバクテリア（ｃｙａｎｏｂａｃｔｅｒｉａ）は、ラン藻とも呼ばれており、光合成を行うことができる原核生物である。従来の技術において、シアノバクテリアが光合成を行うことができる特性を利用して、工場から排出される二酸化炭素を吸収し、廃棄物ゼロ、公害ゼロとの持続可能な開発目標を実現する。
【０００３】
しかし、産業排ガスには高濃度の二酸化炭素に加えて、硫化物や窒素化合物などの他の化学物質も含まれており、これらの化学物質はシアノバクテリアの増殖に影響を与え、場合によってはシアノバクテリアの死亡を引き起こす場合もある。また、産業排ガスは通常高温を伴うため、シアノバクテリアの生存率や光合成の効率が著しく低下し、シアノバクテリアの炭素固定の特性を産業排ガスの処理に有効に利用することが困難となる。
【０００４】
故に、耐高温、且つ産業排ガスに耐性のあるシアノバクテリアの培養方法を提供することにより、上述した欠点を克服することは、本事業の解決しようとする重要な課題となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする技術の課題は、シアノバクテリアの培養方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記シアノバクテリアの培養方法は、シアノバクテリアを提供することと、前記シアノバクテリアに物理的突然変異誘発処理を行うことによって、一次突然変異のシアノバクテリアを得ることと、前記一次突然変異のシアノバクテリアに化学的突然変異誘発処理を行うことによって、二次突然変異のシアノバクテリアを得ることと、前記二次突然変異のシアノバクテリアに温度耐性試験及び耐環境性試験を行うことによって、ターゲットのシアノバクテリアを得ると、を含み、前記物理的突然変異誘発処理の致死率は５０％～８０％であり、前記化学的突然変異誘発処理の致死率は４０％～５５％である。
【０００７】
一つの実施形態において、前記物理的突然変異誘発処理の致死率は６０％～８０％である。
【０００８】
一つの実施形態において、前記化学的突然変異誘発処理は４５％～５５％である。
【０００９】
一つの実施形態において、前記物理的突然変異誘発処理において、照度０．０１７ｍＷ／ｃｍ
２
～０．０８２ｍＷ／ｃｍ
２
の紫外線光源（ＵＶ光源）を使用して、前記シアノバクテリアを１０～７０秒間照射する。
【００１０】
一つの実施形態において、前記化学的突然変異誘発処理において、５０～３００μｇ／ｍｌの濃度のニトロソグアニジン（ＮＴＧ）処理で０．５～２分間処理する。
（【００１１】以降は省略されています）

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