TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2025037089
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-17
出願番号2023143831
出願日2023-09-05
発明の名称増幅回路
出願人住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人弁理士法人片山特許事務所
主分類H03F 3/68 20060101AFI20250310BHJP(基本電子回路)
要約【課題】特性の劣化を抑制することが可能な増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路100は、入力された入力信号を第1信号と第2信号とに分配する分配器16と、前記第1信号を増幅し、増幅した信号を第3信号として第1ノードに出力する第1アンプ10と、前記第2信号を増幅し、増幅した信号を第4信号として第2ノードに出力する第2アンプ12と、前記第3信号と前記第4信号とを合成し、合成した信号を出力信号として出力端子に出力する合成器18と、前記第1ノードおよび前記第2ノードが電気的に結合する入力ノードを備え、前記第1ノードと前記入力ノードとの結合度は前記第2ノードと前記入力ノードとの結合度より大きく、前記第1アンプおよび前記第2アンプの動作帯域より低い周波数を有する前記入力ノードに入力する信号を基準電位に通過させる処理回路22と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
入力された入力信号を第1信号と第2信号とに分配する分配器と、
前記第1信号を増幅し、増幅した信号を第3信号として第1ノードに出力する第1アンプと、
前記第2信号を増幅し、増幅した信号を第4信号として第2ノードに出力する第2アンプと、
前記第3信号と前記第4信号とを合成し、合成した信号を出力信号として出力端子に出力する合成器と、
前記第1ノードおよび前記第2ノードが電気的に結合する入力ノードを備え、前記第1ノードと前記入力ノードとの結合度は前記第2ノードと前記入力ノードとの結合度より大きく、前記第1アンプおよび前記第2アンプの動作帯域より低い周波数を有する前記入力ノードに入力する信号を基準電位に通過させる処理回路と、
を備える増幅回路。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
前記第1ノードと前記入力ノードとの間は、電気的に接続されており、
前記第2ノードと前記入力ノードとの間は、結合器において電磁界結合されている請求項1に記載の増幅回路。
【請求項3】
前記結合器は、前記第1ノードおよび前記入力ノードと電気的に接続された第1線路と、前記第2ノードと電気的に接続され、前記第1線路と電気的に接続されておらず、前記第1線路と電磁界結合する第2線路と、を備える請求項2に記載の増幅回路。
【請求項4】
前記処理回路は、前記入力ノードと前記基準電位との間に直列接続されたキャパシタを備える請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の増幅回路。
【請求項5】
前記第1ノードと前記キャパシタとの間の前記動作帯域の中心周波数におけるインピーダンスの絶対値は、前記動作帯域の帯域幅に相当する周波数における、前記キャパシタのインピーダンスの絶対値より大きく、
前記第2ノードと前記キャパシタとの間の前記中心周波数におけるインピーダンスの絶対値は、前記動作帯域の帯域幅に相当する周波数における、前記キャパシタのインピーダンスの絶対値より大きい請求項4に記載の増幅回路。
【請求項6】
前記第2アンプは前記第1アンプより小さい入力電力において動作可能である請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の増幅回路。
【請求項7】
前記増幅回路はドハティ増幅回路であり、
前記第1アンプはピークアンプであり、
前記第2アンプはメインアンプである請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の増幅回路。
【請求項8】
第3アンプを備え、
前記分配器は、前記入力信号を前記第1信号と前記第2信号と第5信号とに分配し、
前記第3アンプは、前記第5信号を増幅し、増幅した信号を第6信号として第3ノードに出力し、
前記合成器は、前記第3信号と前記第4信号と前記第6信号とを合成し、合成した信号を前記出力信号として出力する請求項1に記載の増幅回路。
【請求項9】
前記第3アンプと前記合成器との間には、前記入力ノードに電気的に結合するノードは設けられていない請求項8に記載の増幅回路。
【請求項10】
前記第3ノードと前記入力ノードとは電気的に結合されており、前記第3ノードと前記入力ノードとの結合度は、前記第2ノードと前記入力ノードとの結合度より小さい請求項8に記載の増幅回路。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、増幅回路に関する。
続きを表示(約 4,000 文字)【背景技術】
【0002】
ドハティ増幅回路などの2つのアンプが並列に接続された増幅回路において、2つのアンプの出力端に、VBW(Video Bandwidth)回路を各々設けることが知られている(例えば特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2022-138983号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
VBW回路(差周波短絡回路、ビデオバイパス回路またはエンベロープ周波数終端回路ともいう)は、アンプの動作帯域より低い周波数を処理する回路である。アンプごとにVBW回路を設けると、増幅回路が大型化する。2つのアンプにVBW回路を共通に1個設けると、特性が劣化する。
【0005】
本開示は、上記課題に鑑みなされたものであり、特性の劣化を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一実施形態は、入力された入力信号を第1信号と第2信号とに分配する分配器と、前記第1信号を増幅し、増幅した信号を第3信号として第1ノードに出力する第1アンプと、前記第2信号を増幅し、増幅した信号を第4信号として第2ノードに出力する第2アンプと、前記第3信号と前記第4信号とを合成し、合成した信号を出力信号として出力端子に出力する合成器と、前記第1ノードおよび前記第2ノードが電気的に結合する入力ノードを備え、前記第1ノードと前記入力ノードとの結合度は前記第2ノードと前記入力ノードとの結合度より大きく、前記第1アンプおよび前記第2アンプの動作帯域より低い周波数を有する前記入力ノードに入力する信号を基準電位に通過させる処理回路と、を備える増幅回路である。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、特性の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、実施例1に係る増幅回路のブロック図である。
図2は、実施例における結合器の例1を示す模式図である。
図3は、実施例における結合器の例2を示す模式図である。
図4は、実施例におけるVBW回路の例1の回路図である。
図5は、実施例におけるVBW回路の例2の回路図である。
図6は、実施例におけるVBW回路の例3の回路図である。
図7は、比較例1に係る増幅回路のブロック図である。
図8は、実施例1の変形例1に係る増幅回路のブロック図である。
図9は、実施例1の変形例1に係る増幅回路の結合器および処理回路付近のブロック図である。
図10は、実施例1の変形例2に係る増幅回路のブロック図である。
図11は、実施例1の変形例2に係る増幅回路の結合器および処理回路付近のブロック図である。
図12は、実施例2に係る増幅回路のブロック図である。
図13は、実施例2における各アンプの入力電力に対するドレイン効率を示す図である。
図14は、実施例2の変形例1に係る増幅回路のブロック図である。
図15は、実施例3に係る増幅回路のブロック図である。
図16は、シミュレーションにおける増幅回路を示す図である。
図17は、シミュレーションにおけるサンプルAの通過特性である。
図18は、シミュレーションにおけるサンプルBの通過特性である。
図19は、シミュレーションにおけるサンプルAおよびBのアイソレーション特性である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
(1)本開示の一実施形態は、入力された入力信号を第1信号と第2信号とに分配する分配器と、前記第1信号を増幅し、増幅した信号を第3信号として第1ノードに出力する第1アンプと、前記第2信号を増幅し、増幅した信号を第4信号として第2ノードに出力する第2アンプと、前記第3信号と前記第4信号とを合成し、合成した信号を出力信号として出力端子に出力する合成器と、前記第1ノードおよび前記第2ノードが電気的に結合する入力ノードを備え、前記第1ノードと前記入力ノードとの結合度は前記第2ノードと前記入力ノードとの結合度より大きく、前記第1アンプおよび前記第2アンプの動作帯域より低い周波数を有する前記入力ノードに入力する信号を基準電位に通過させる処理回路と、を備える増幅回路である。これにより、第2アンプにおける動作帯域の挿入損失を小さくできる。また、第1アンプと第2アンプとの間におけるアイソレーション特性を改善できる。
(2)上記(1)において、前記第1ノードと前記入力ノードとの間は、電気的に接続されており、前記第2ノードと前記入力ノードとの間は、結合器において電磁界結合されていてもよい。これにより、第1ノードと入力ノードとの結合度より第2ノードと入力ノードとの結合度を小さくできる。
(3)上記(2)において、前記結合器は、前記第1ノードおよび前記入力ノードと電気的に接続された第1線路と、前記第2ノードと電気的に接続され、前記第1線路と電気的に接続されておらず、前記第1線路と電磁界結合する第2線路と、を備えていてもよい。これにより、第2ノードと入力ノードとの間を、結合器において電磁界結合させることができる。
(4)上記(1)から(3)のいずれかにおいて、前記処理回路は、前記入力ノードと前記基準電位との間に直列接続されたキャパシタを備えていてもよい。これにより、処理回路は、第1アンプおよび第2アンプの低周波数帯の信号を抑圧できる。
(5)上記(4)において、前記第1ノードと前記キャパシタとの間の前記動作帯域の中心周波数におけるインピーダンスの絶対値は、前記動作帯域の帯域幅に相当する周波数における、前記キャパシタのインピーダンスの絶対値より大きく、前記第2ノードと前記キャパシタとの間の前記中心周波数におけるインピーダンスの絶対値は、前記動作帯域の帯域幅に相当する周波数における、前記キャパシタのインピーダンスの絶対値より大きくてもよい。これにより、第2アンプの動作帯域の挿入損失を小さくできる。また、第1アンプと第2アンプとの間におけるアイソレーション特性を改善できる。
(6)上記(1)から(5)のいずれかにおいて、前記第2アンプは前記第1アンプより小さい入力電力において動作可能であってもよい。これにより、歪の小さい第2アンプの挿入損失を抑制できる。また、第1アンプと第2アンプとの間のアイソレーション特性を改善できる。
(7)上記(1)から(6)のいずれかにおいて、前記増幅回路はドハティ増幅回路であり、前記第1アンプはピークアンプであり、前記第2アンプはメインアンプであってもよい。これにより、メインアンプの挿入損失を抑制できる。また、メインアンプとピークアンプとのアイソレーション特性を改善できる。
(8)上記(1)から(6)のいずれかにおいて、第3アンプを備え、前記分配器は、前記入力信号を前記第1信号と前記第2信号と第5信号とに分配し、前記第3アンプは、前記第5信号を増幅し、増幅した信号を第6信号として第3ノードに出力し、前記合成器は、前記第3信号と前記第4信号と前記第6信号とを合成し、合成した信号を前記出力信号として出力してもよい。これにより、少なくとも2個のアンプの低周波数帯の信号を抑圧できる。
(9)上記(8)において、前記第3アンプと前記合成器との間には、前記入力ノードに電気的に結合するノードは設けられていなくてもよい。これにより、第3アンプの挿入損失を抑制できる。また、第3アンプと第1アンプおよび第2アンプとの間のアイソレーション特性を改善できる。
(10)上記(8)において、前記第3ノードと前記入力ノードとは電気的に結合されており、前記第3ノードと前記入力ノードとの結合度は、前記第2ノードと前記入力ノードとの結合度より小さくてもよい。これにより、第1アンプ、第2アンプおよび第3アンプの低周波数帯の信号を抑圧できる。また、第3アンプの挿入損失を抑制できる。また、第3アンプと第1アンプおよび第2アンプとの間のアイソレーション特性を改善できる。
(11)上記(9)または(10)において、前記第2アンプは前記第1アンプより小さい入力電力において動作可能であり、前記第3アンプは前記第2アンプより小さい入力電力において動作可能であってもよい。これにより、歪の小さい第3アンプの挿入損失を抑制できる。また、第3アンプと第1アンプおよび第2アンプとの間のアイソレーション特性を改善できる。
(12)上記(9)から(11)のいずれかにおいて、前記増幅回路はドハティ増幅回路であり、前記第3アンプはメインアンプであり、前記第1アンプおよび前記第2アンプはピークアンプであってもよい。これにより、メインアンプの挿入損失を抑制できる。また、メインアンプとピークアンプとのアイソレーション特性を改善できる。
【0010】
[本開示の実施形態の詳細]
本開示の実施形態にかかる増幅回路の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

アズビル株式会社
電子回路
9日前
株式会社大真空
恒温槽型圧電発振器
1か月前
インターチップ株式会社
電子回路
1か月前
ミツミ電機株式会社
比較回路
16日前
三栄ハイテックス株式会社
発振回路
1か月前
TDK株式会社
電子部品
12日前
株式会社村田製作所
弾性波装置
1か月前
TDK株式会社
電子部品
9日前
三栄ハイテックス株式会社
バッファ回路
1か月前
ミツミ電機株式会社
弾性波フィルタ
25日前
三菱電機株式会社
半導体素子駆動装置
9日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
1か月前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
1か月前
セイコーエプソン株式会社
振動素子
24日前
ローム株式会社
リニア電源回路
12日前
ローム株式会社
発振回路
1か月前
ローム株式会社
演算増幅器および半導体装置
1か月前
三安ジャパンテクノロジー株式会社
弾性波デバイス
3日前
株式会社フジクラ
波形歪評価装置
1か月前
カーネルチップ株式会社
低電圧信号レベルシフタ回路
4日前
富士電機株式会社
駆動回路
9日前
株式会社京三製作所
スイッチング増幅器
3日前
セイコーエプソン株式会社
振動デバイス
24日前
ローム株式会社
バッファ回路、半導体集積回路
1か月前
ローム株式会社
スイッチ回路
1か月前
ローム株式会社
DA変換装置
12日前
富士電機株式会社
制御回路及び半導体モジュール
11日前
株式会社日立製作所
半導体装置
13日前
株式会社デンソー
負荷駆動装置
1か月前
株式会社村田製作所
電力増幅器
9日前
ローム株式会社
ランプ電圧生成回路
1か月前
株式会社村田製作所
弾性波装置およびマルチプレクサ
5日前
株式会社村田製作所
電力増幅回路
1か月前
株式会社村田製作所
弾性波装置およびマルチプレクサ
1か月前
株式会社村田製作所
電力増幅装置
1か月前
株式会社村田製作所
弾性波装置
24日前
続きを見る