特許ウォッチ

公開番号2025034991
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-13
出願番号2023141709
出願日2023-08-31
発明の名称レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び酸拡散制御剤
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20250306BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】高感度で、且つラフネスが低減されたレジスト組成物等の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物。酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、式(d0)で表される化合物(D0)と、を含有する。Cy⁰は環式基;Rx⁰は式(Rx0-1)で表される基;Rd⁰¹は置換基;m01は原子価が許容する限り0以上の整数;k0は原子価が許容する限り2以上の整数。M^m+は、m価のカチオンである。Ar⁰は芳香環;Ld⁰はヘテロ原子を含む2価の連結基;Rd⁰²は置換基。m02は、0以上の整数*は結合手を表す。
[化1]
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025034991000112.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">44</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">170</com:WidthMeasure> </com:Image> 【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、
下記一般式（ｄ０）で表される化合物（Ｄ０）と、
を含有する、レジスト組成物。
TIFF
2025034991000108.tif
36
170
［式中、Ｃｙ
０
は、環式基を表す。Ｒｘ
０
は、下記一般式（Ｒｘ０－１）で表される基を表す。Ｒｄ
０１
は、置換基を表す。ｍ０１は、原子価が許容する限り０以上の整数を表す。ｋ０は、原子価が許容する限り２以上の整数を表す。２以上のＲｘ
０
は相互に同じでもよく、異なってもよい。ｍ０１が２以上の整数のとき、２以上のＲｄ
０１
は相互に同じでもよく、異なってもよい。ｍは１以上の整数であり、Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のカチオンである。］
TIFF
2025034991000109.tif
41
170
［式中、Ａｒ
０
は、芳香環を表す。Ｌｄ
０
は、ヘテロ原子を含む２価の連結基を表す。Ｒｄ
０２
は、置換基を表す。ｍ０２は、原子価が許容する限り０以上の整数を表す。ｍ０２が２以上の整数のとき、２以上のＲｄ
０２
は相互に同じでもよく、異なってもよい。＊は結合手を表す。］
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記一般式（ｄ０）中のＣｙ
０
が、芳香環である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記一般式（Ｒｘ０－１）中のｍ０２が１以上の整数であり、１以上のＲｄ
０２
の少なくとも１つがハロゲン原子である、請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１又は２に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項５】
下記一般式（ｄ０）で表される化合物。
TIFF
2025034991000110.tif
36
170
［式中、Ｃｙ
０
は、環式基を表す。Ｒｘ
０
は、下記一般式（Ｒｘ０－１）で表される基を表す。Ｒｄ
０１
は、置換基を表す。ｍ０１は、原子価が許容する限り０以上の整数を表す。ｋ０は、原子価が許容する限り２以上の整数を表す。２以上のＲｘ
０
は相互に同じでもよく、異なってもよい。ｍ０１が２以上の整数のとき、２以上のＲｄ
０１
は相互に同じでもよく、異なってもよい。ｍは１以上の整数であり、Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のカチオンである。］
TIFF
2025034991000111.tif
41
170
［式中、Ａｒ
０
は、芳香環を表す。Ｌｄ
０
は、ヘテロ原子を含む２価の連結基を表す。Ｒｄ
０２
は、置換基を表す。ｍ０２は、原子価が許容する限り０以上の整数を表す。ｍ０２が２以上の整数のとき、２以上のＲｄ
０２
は相互に同じでもよく、異なってもよい。＊は結合手を表す。］
【請求項６】
前記一般式（ｄ０）中のＣｙ
０
が、芳香環である、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
前記一般式（Ｒｘ０－１）中のｍ０２が１以上の整数であり、１以上のＲｄ
０２
の少なくとも１つがハロゲン原子である、請求項５又は６に記載の化合物。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の化合物を含む、酸拡散制御剤。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び酸拡散制御剤に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００４】
レジストパターンの形成においては、露光により酸発生剤成分から発生する酸の挙動がリソグラフィー特性に大きな影響を与える一要素とされる。
これに対し、酸発生剤成分とともに、露光により該酸発生剤成分から発生する酸の拡散を制御する酸拡散制御剤を併有する化学増幅型レジスト組成物が提案されている。
例えば、特許文献１には、光崩壊性塩基を酸拡散制御剤成分として含有するレジスト組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２０－０８５９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
リソグラフィー技術のさらなる進歩、レジストパターンの微細化がますます進むなか、例えば、ＥＵＶやＥＢによるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細なパターン形成が目標とされる。このようにレジストパターン寸法が小さくなるほど、感度及びラフネス等のリソグラフィー特性を各々トレードオフすることなく、改善することが求められる。
しかしながら、これらのリソグラフィー特性はトレードオフの関係にあり、これらの特性をいずれも満足させることは困難である。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、高感度で、且つラフネスが低減されたレジスト組成物、前記レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、前記レジスト組成物に利用可能な化合物、及び前記化合物を用いた酸拡散制御剤を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、下記一般式（ｄ０）で表される化合物（Ｄ０）と、を含有する、レジスト組成物である。
【０００９】
TIFF
2025034991000001.tif
36
170
［式中、Ｃｙ
０
は、環式基を表す。Ｒｘ
０
は、下記一般式（Ｒｘ０－１）で表される基を表す。Ｒｄ
０１
は、置換基を表す。ｍ０１は、原子価が許容する限り０以上の整数を表す。ｋ０は、原子価が許容する限り２以上の整数を表す。２以上のＲｘ
０
は相互に同じでもよく、異なってもよい。ｍ０１が２以上の整数のとき、２以上のＲｄ
０１
は相互に同じでもよく、異なってもよい。ｍは１以上の整数であり、Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のカチオンである。］
【００１０】
TIFF
2025034991000002.tif
41
170
［式中、Ａｒ
０
は、芳香環を表す。Ｌｄ
０
は、ヘテロ原子を含む２価の連結基を表す。Ｒｄ
０２
は、置換基を表す。ｍ０２は、原子価が許容する限り０以上の整数を表す。ｍ０２が２以上の整数のとき、２以上のＲｄ
０２
は相互に同じでもよく、異なってもよい。＊は結合手を表す。］
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許