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公開番号2025065749
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-22
出願番号2023175170
出願日2023-10-10
発明の名称レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び化合物
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/039 20060101AFI20250415BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】エッチング耐性が高められたレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、及び基材成分として有用な高分子化合物の合成に利用可能な化合物を提供する。
【解決手段】本発明は、一般式(a0-m0)で表される化合物から誘導される構成単位を有する樹脂成分、を含有するレジスト組成物、を採用する。一般式(a0-m0)中、W⁰は、重合性基含有基を表す。R^arは、置換基を有してもよい芳香族基を表す。L⁰¹は、2価の連結基又は単結合を表す。L⁰²は、2価の連結基又は単結合を表す。Z⁰は、置換基を有してもよい環式基を表す。Rdgは、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を表す。
[化1]
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025065749000123.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">43</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">170</com:WidthMeasure> </com:Image> 【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－ｍ０）で表される化合物から誘導される構成単位（ａ０）を有する、レジスト組成物。
TIFF
2025065749000121.tif
43
170
［式中、Ｗ
０
は、重合性基含有基を表す。Ｒ
ａｒ
は、置換基を有してもよい芳香族基を表す。Ｌ
０１
は、２価の連結基又は単結合を表す。Ｌ
０２
は、２価の連結基又は単結合を表す。Ｚ
０
は、置換基を有してもよい環式基を表す。Ｒｄｇは、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を表す。］
続きを表示（約 560 文字）【請求項２】
前記一般式（ａ０－ｍ０）中のＺ
０
が、置換基を有してもよいラクトン含有脂環式基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記一般式（ａ０－ｍ０）中のＲｄｇが、不飽和結合を含む酸解離性基が結合した酸分解性基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１～３のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項５】
下記一般式（ａ０－ｍ０）で表される、化合物。
TIFF
2025065749000122.tif
43
170
［式中、Ｗ
０
は、重合性基含有基を表す。Ｒ
ａｒ
は、置換基を有してもよい芳香族基を表す。Ｌ
０１
は、２価の連結基又は単結合を表す。Ｌ
０２
は、２価の連結基又は単結合を表す。Ｚ
０
は、置換基を有してもよい環式基を表す。Ｒｄｇは、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を表す。］

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び化合物に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００３】
化学増幅型レジスト組成物においては、一般的に、リソグラフィー特性等の向上のために、前記基材成分として、複数の構成単位を有する樹脂が用いられている。
例えば、特許文献１には、酸分解性樹脂であり、酸の作用により分解して水酸基、カルボキシ基などのアルカリ可溶性基を生じる基（酸分解性基）を含む樹脂、を含有するレジスト組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００６－２７６７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
リソグラフィー技術のさらなる進歩、レジストパターンの微細化がますます進むなか、例えば、ＥＵＶやＥＢによるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細な寸法のパターン形成が目標とされる。そして、このように微細なパターンに伴うレジスト膜の薄膜化に伴い、エッチング耐性の高いレジスト膜を形成可能なレジスト組成物が求められている。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、エッチング耐性が高められたレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、及び基材成分として有用な高分子化合物の合成に利用可能な化合物を提供すること、を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－ｍ０）で表される化合物から誘導される構成単位（ａ０）を有する、レジスト組成物である。
【０００８】
TIFF
2025065749000001.tif
43
170
［式中、Ｗ
０
は、重合性基含有基を表す。Ｒ
ａｒ
は、置換基を有してもよい芳香族基を表す。Ｌ
０１
は、２価の連結基又は単結合を表す。Ｌ
０２
は、２価の連結基又は単結合を表す。Ｚ
０
は、置換基を有してもよい環式基を表す。Ｒｄｇは、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を表す。］
【０００９】
本発明の第２の態様は、支持体上に、前記第１の態様に係るレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法である。
【００１０】
本発明の第３の態様は、下記一般式（ａ０－ｍ０）で表される、化合物である。
（【００１１】以降は省略されています）

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