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公開番号2025066992
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-24
出願番号2023176608
出願日2023-10-12
発明の名称レジスト組成物、レジストパターン形成方法、及び化合物
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20250417BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】感度及びラフネスがいずれも良好なレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物。酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)を含有し、前記樹脂成分(A1)は、下記一般式(a0-m)で表される化合物から誘導される構成単位(a0)を有する。W⁰は重合性基含有基を表す。Ar⁰は置換基を有してもよい芳香族基を表す。Y⁰は2価の連結基を表す。V⁰は単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基を表す。Rf⁰¹及びRf⁰²は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はフッ素化アルキレン基を表す。M^m+は、m価のカチオンである。
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【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－ｍ）で表される化合物から誘導される構成単位（ａ０）を有する、
レジスト組成物。
TIFF
2025066992000108.tif
51
170
［式中、Ｗ
０
は重合性基含有基を表す。Ａｒ
０
は置換基を有してもよい芳香族基を表す。Ｙ
０
は２価の連結基を表す。Ｖ
０
は単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基を表す。Ｒｆ
０１
及びＲｆ
０２
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はフッ素化アルキレン基を表す。但し、Ｒｆ
０１
及びＲｆ
０２
の両方が水素原子になることはない。ｍは１以上の整数であり、Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のカチオンである。］
続きを表示（約 740 文字）【請求項２】
前記一般式（ａ０－ｍ）中のＡｒ
０
が置換基としてヨウ素原子を含む、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記樹脂成分（Ａ１）が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）をさらに有し、前記酸分解性基は、不飽和結合を有する酸解離性基を含む、
請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１又は２に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項５】
下記一般式（ａ０－ｍ）で表される化合物。
TIFF
2025066992000109.tif
51
170
［式中、Ｗ
０
は重合性基含有基を表す。Ａｒ
０
は置換基を有してもよい芳香族基を表す。Ｙ
０
は２価の連結基を表す。Ｖ
０
は単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基を表す。Ｒｆ
０１
及びＲｆ
０２
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はフッ素化アルキレン基を表す。但し、Ｒｆ
０１
及びＲｆ
０２
の両方が水素原子になることはない。ｍは１以上の整数であり、Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のカチオンである。］
【請求項６】
前記一般式（ａ０－ｍ）中のＡｒ
０
が置換基としてヨウ素原子を含む、請求項５に記載の化合物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、及び化合物に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００４】
レジストパターンの形成においては、露光により酸発生剤成分から発生する酸の挙動がリソグラフィー特性に大きな影響を与える一要素とされる。
これに対し、酸発生剤成分とともに、露光により該酸発生剤成分から発生する酸の拡散を制御する酸拡散制御剤を併有する化学増幅型レジスト組成物が提案されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、酸拡散制御剤成分と、を含有するレジスト組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０２０－０８５９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
リソグラフィー技術のさらなる進歩、レジストパターンの微細化がますます進むなか、例えば、ＥＵＶやＥＢによるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細なパターン形成が目標とされる。このようにレジストパターン寸法が小さくなるほど、感度及びラフネス等のリソグラフィー特性を各々トレードオフすることなく、改善することが求められる。しかしながら、これらのリソグラフィー特性はトレードオフの関係にあり、これらの特性をいずれも満足させることは困難である。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、感度及びラフネスのいずれも良好なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、当該レジスト組成物の製造に利用可能な化合物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－ｍ）で表される化合物から誘導される構成単位（ａ０）を有する、レジスト組成物である。
【００１０】
TIFF
2025066992000001.tif
51
170
［式中、Ｗ
０
は重合性基含有基を表す。Ａｒ
０
は置換基を有してもよい芳香族基を表す。Ｙ
０
は２価の連結基を表す。Ｖ
０
は単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基を表す。Ｒｆ
０１
及びＲｆ
０２
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はフッ素化アルキレン基を表す。但し、Ｒｆ
０１
及びＲｆ
０２
の両方が水素原子になることはない。ｍは１以上の整数であり、Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のカチオンである。］
（【００１１】以降は省略されています）

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