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公開番号
2025101805
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-07-08
出願番号
2023218836
出願日
2023-12-26
発明の名称
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物
出願人
東京応化工業株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
G03F
7/039 20060101AFI20250701BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約
【課題】高感度化が図れ、LWR、EL等のリソグラフィー特性が向上したレジスト組成物等の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)を含有し、樹脂成分(A1)は、下記一般式(a0-m0)で表される化合物から誘導される構成単位(a0)を有する。[W
0
は、重合性基含有基である。Y
0
は、単結合又は2価の連結基である。R
01
は、アリーレン基、アルキレン基、又はアルケニレン基である。ただし、R
01
~R
03
の1つ以上は、置換基として少なくとも1つのヨウ素原子を有する。]
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025101805000131.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">48</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">170</com:WidthMeasure> </com:Image>
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)を含有し、
前記樹脂成分(A1)は、下記一般式(a0-m0)で表される化合物から誘導される構成単位(a0)を有する、レジスト組成物。
TIFF
2025101805000125.tif
50
170
[式中、W
0
は、重合性基含有基である。Y
0
は、単結合又は2価の連結基である。R
01
は、置換基を有してもよいアリーレン基、置換基を有してもよいアルキレン基、又は置換基を有してもよいアルケニレン基である。R
02
およびR
03
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアルケニル基である。R
02
とR
03
は、互いに結合して、式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、R
01
~R
03
の1つ以上は、置換基として少なくとも1つのヨウ素原子を有する。X
-
は対アニオンである。]
続きを表示(約 2,500 文字)
【請求項2】
前記一般式(a0-m0)中のR
01
は、少なくとも1つのヨウ素原子を有する、請求項1に記載のレジスト組成物。
【請求項3】
前記構成単位(a0)が、下記一般式(a0-m1)で表される化合物から誘導される構成単位である、請求項1又は2に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025101805000126.tif
58
170
[式中、W
0
は、重合性基含有基である。Y
0
は、単結合又は2価の連結基である。Ar
01
~Ar
03
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香環である。ただし、Ar
01
~Ar
03
の1つ以上は、少なくとも1つのヨウ素原子を有する。Ar
01
~Ar
03
における芳香環はそれぞれヨウ素以外の置換基を有してもよい。Ar
02
とAr
03
は、互いに結合して、式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。X
-
は対アニオンである。]
【請求項4】
支持体上に、請求項1に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項5】
下記一般式(a0-m0)で表される化合物。
TIFF
2025101805000127.tif
50
170
[式中、W
0
は、重合性基含有基である。Y
0
は、単結合又は2価の連結基である。R
01
は、置換基を有してもよいアリーレン基、置換基を有してもよいアルキレン基、又は置換基を有してもよいアルケニレン基である。R
02
およびR
03
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアルケニル基である。R
02
とR
03
は、互いに結合して、式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、R
01
~R
03
の1つ以上は、置換基として少なくとも1つのヨウ素原子を有する。X
-
は対アニオンである。]
【請求項6】
前記一般式(a0-m0)中のR
01
は、少なくとも1つのヨウ素原子を有する、請求項5に記載の化合物。
【請求項7】
下記一般式(a0-m1)で表される、請求項5又は6に記載の化合物。
TIFF
2025101805000128.tif
58
170
[式中、W
0
は、重合性基含有基である。Y
0
は、単結合又は2価の連結基である。Ar
01
~Ar
03
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香環である。ただし、Ar
01
~Ar
03
の1つ以上は、少なくとも1つのヨウ素原子を有する。Ar
01
~Ar
03
における芳香環はそれぞれヨウ素以外の置換基を有してもよい。Ar
02
とAr
03
は、互いに結合して、式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。X
-
は対アニオンである。]
【請求項8】
下記一般式(a0-m0)で表される化合物から誘導される構成単位(a0)を有する、高分子化合物。
TIFF
2025101805000129.tif
50
170
[式中、W
0
は、重合性基含有基である。Y
0
は、単結合又は2価の連結基である。R
01
は、置換基を有してもよいアリーレン基、置換基を有してもよいアルキレン基、又は置換基を有してもよいアルケニレン基である。R
02
およびR
03
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアルケニル基である。R
02
とR
03
は、互いに結合して、式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、R
01
~R
03
の1つ以上は、置換基として少なくとも1つのヨウ素原子を有する。X
-
は対アニオンである。]
【請求項9】
前記一般式(a0-m0)中のR
01
は、少なくとも1つのヨウ素原子を有する、請求項8に記載の高分子化合物。
【請求項10】
下記一般式(a0-m1)で表される化合物から誘導される構成単位である、請求項8又は9に記載の高分子化合物。
TIFF
2025101805000130.tif
58
170
[式中、W
0
は、重合性基含有基である。Y
0
は、単結合又は2価の連結基である。Ar
01
~Ar
03
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香環である。ただし、Ar
01
~Ar
03
の1つ以上は、少なくとも1つのヨウ素原子を有する。Ar
01
~Ar
03
における芳香環はそれぞれヨウ素以外の置換基を有してもよい。Ar
02
とAr
03
は、互いに結合して、式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。X
-
は対アニオンである。]
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)
【背景技術】
【0002】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化(高エネルギー化)が行われている。
【0003】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【0004】
化学増幅型レジスト組成物においては、一般的に、リソグラフィー特性等の向上のために、前記基材成分として、複数の構成単位を有する樹脂が用いられている。
また、レジストパターンの形成においては、露光により酸発生剤成分から発生する酸の挙動がリソグラフィー特性に大きな影響を与える一要素とされる。
これに対し、酸発生剤成分とともに、露光により該酸発生剤成分から発生する酸の拡散を制御する酸拡散制御剤を用いることが提案されている。
【0005】
例えば、特許文献1には、特定構造の構成単位を有する高分子化合物と、酸発生剤及び酸拡散制御剤として、それぞれスルホニウム塩を採用したレジスト組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2019-219469号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
レジストパターンの微細化が進むなか、例えば、EUVやEBによるリソグラフィーでは、数十nmの微細なパターン形成が目標とされる。このようなレジストパターンの微細化に伴い、感度及びLWR、露光余裕度(EL)等のリソグラフィ特性をトレードオフすることなく、どちらも改善させることが課題となっている。
【0008】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、高感度化が図れ、LWR、EL等のリソグラフィー特性が向上するレジスト組成物、前記レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、前記レジスト組成物に使用可能な高分子化合物、及び前記高分子化合物の合成に使用可能な化合物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第1の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)を含有し、
前記樹脂成分(A1)は、下記一般式(a0-m0)で表される化合物から誘導される構成単位(a0)を有する、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)を含有し、前記樹脂成分(A1)は、下記一般式(a0-m0)で表される化合物から誘導される構成単位(a0)を有する、レジスト組成物である。
【0010】
TIFF
2025101805000001.tif
50
170
[式中、W
0
は、重合性基含有基である。Y
0
は、単結合又は2価の連結基である。R
01
は、置換基を有してもよいアリーレン基、置換基を有してもよいアルキレン基、又は置換基を有してもよいアルケニレン基である。R
02
およびR
03
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアルケニル基である。R
02
とR
03
は、互いに結合して、式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、R
01
~R
03
の1つ以上は、置換基として少なくとも1つのヨウ素原子を有する。X
-
は対アニオンである。]
(【0011】以降は省略されています)
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