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公開番号2025104607
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-10
出願番号2023222517
出願日2023-12-28
発明の名称保護膜形成剤、保護膜、保護膜の製造方法、及び半導体チップの製造方法
出願人東京応化工業株式会社
代理人弁理士法人薫風国際特許商標事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250703BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】成膜性に優れ、かつ、高い選択比を有する保護膜を作製できる保護膜形成剤、並びに、かかる保護膜形成剤によって得られる保護膜、保護膜の製造方法、及び半導体チップの製造方法を提供すること。
【解決手段】スズの金属塩と、芳香環を有しない第1の樹脂と、溶剤とを含有する保護膜形成剤、並びに、かかる保護膜形成剤によって得られる保護膜、保護膜の製造方法、及び半導体チップの製造方法を提供する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
スズの金属塩と、
芳香環を有しない第１の樹脂と、
溶剤と
を含有する保護膜形成剤。
続きを表示（約 1,700 文字）【請求項２】
さらに、芳香環を有する第２の樹脂を含有する、
請求項１に記載の保護膜形成剤。
【請求項３】
前記保護膜形成剤から溶剤を除いた成分の総量における、前記金属塩の前記スズの含有比率が、５００質量ｐｐｂ以上である、
請求項１又は２に記載の保護膜形成剤。
【請求項４】
前記金属塩が、硫酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、及びこれらの水和物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、
請求項１又は２に記載の保護膜形成剤。
【請求項５】
前記第１の樹脂が、セルロース系樹脂及びビニル系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、
請求項１又は２に記載の保護膜形成剤。
【請求項６】
前記第１の樹脂が、下記式（１ａ）で表される繰り返し単位を含む樹脂（１Ａ）、下記式（１ｂ－１）で表される繰り返し単位及び下記式（１ｂ－２）で表される繰り返し単位を含む樹脂（１Ｂ）、下記式（１ｃ）で表される繰り返し単位を含む樹脂（１Ｃ）、並びに下記式（１ｄ）で表される繰り返し単位を含む樹脂（１Ｄ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、
請求項１又は２に記載の保護膜形成剤。
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2025104607000027.jpg
38
161
（式中、Ｒ
１
、Ｒ
２
、及びＲ
３
は、それぞれ独立に、－Ｈ、－ＣＨ
３
、－ＣＨ
２
ＣＨ
３
、又は－ＣＨ
２
ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ
３
で表される置換基であり、かつ、全てのＲ
１
、Ｒ
２
、及びＲ
３
のうち、少なくとも１つは、－Ｈ以外の置換基である。）
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58
161
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44
161
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40
161
【請求項７】
前記第２の樹脂が、下記式（２ａ－１）で表される繰り返し単位及び下記式（２ａ－２）で表される繰り返し単位を含む樹脂（２Ａ）、下記式（２ｂ－１）で表される繰り返し単位及び下記式（２ｂ－２）で表される繰り返し単位を含む樹脂（２Ｂ）、並びに下記式（２ｃ）で表される繰り返し単位を含む樹脂（２Ｃ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、
請求項２に記載の保護膜形成剤。
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2025104607000031.jpg
93
161
（式中、Ｘ
＋
は、アルカリ金属カチオン、プロトン、又はＮ
＋
Ｒ
４
４
であり、Ｒ
４
は、水素原子、アルキル基、又はヒドロキシアルキル基である。）
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2025104607000032.jpg
54
161
（式中、Ｍ
１＋
及びＭ
２＋
は、それぞれ独立に、アルカリ金属カチオン、プロトン、又はＮ
＋
Ｒ
５
４
であり、Ｒ
５
は、水素原子、アルキル基、又はヒドロキシアルキル基である。）
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55
161
【請求項８】
スズの金属塩と、
芳香環を有しない第１の樹脂と
を含有する、保護膜。
【請求項９】
さらに、芳香環を有する第２の樹脂を含有する、
請求項８に記載の保護膜。
【請求項１０】
前記保護膜における前記金属塩の前記スズの含有率が、５００質量ｐｐｂ以上である、
請求項８又は９に記載の保護膜。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護膜形成剤、保護膜、保護膜の製造方法、及び半導体チップの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程において形成されるウエハーは、シリコン基板等の半導体基板の表面に絶縁膜及び機能膜が積層された積層体を、ストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインによって区画されたものである。このストリートに沿ってウエハーを切断することによって、複数の半導体チップが得られる（チップ化）。つまり、ストリートで区画されている各領域が、ＩＣやＬＣＩ等の半導体チップとなる。
【０００３】
このストリートに沿ってウエハーを切断することによって複数の半導体チップが得られる。例えば、光デバイスウエハーでは、窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された積層体がストリートによって複数の領域に区画される。このストリートに沿っての切断により、光デバイスウエハーは、発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割される。これらの光デバイスは、電気機器に広く利用されている。
【０００４】
このようなウエハーの切断は、例えば、プラズマダイシングによって行われる。プラズマダイシングは、真空下又は減圧下でドライエッチングを行うことによって、ウエハーを切断してチップ化する加工技術である。プラズマダイシングでは、例えば、ウエハーを深堀できるＢｏｓｃｈプロセス等が用いられている。
【０００５】
特許文献１には、複数のＩＣを含む基板をダイシングする方法であって、基板上にＩＣを被覆し保護するマスクを形成する工程であって、マスクはＩＣの上面と接触する水溶性材料の層を含む工程と、レーザスクライビングプロセスによってマスクをパターニングして、ギャップを有するパターニングされたマスクを提供し、ＩＣ間の基板の領域を露出させる工程と、パターニングされたマスク内のギャップを貫通して基板をプラズマエッチングして、ＩＣを個片化する工程を含む方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特表２０１４－５２３１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
プラズマダイシングによってウエハーを切断する際、ウエハーを保護するために、ウエハーの表面に保護膜を設けることが行われる。保護膜は、例えば、ダイシング時に発生するカットくずやその他のパーティクル等の不純物が、ウエハーの表面に付着することを防ぐものであるが、保護膜の性能について、未だ改善の余地がある。
【０００８】
通常、保護膜は、保護膜形成剤をウエハーに塗布し、成膜することによって、形成される。しかし、保護膜にクラックが発生すると、カットくずやその他のパーティクル等の不純物がウエハーに付着してしまい、ウエハーが汚染されたり、ウエハーが損傷したりする。また、段差のあるデバイスにプラズマダイシングを行う際、段差上部では保護膜の厚さが十分に確保できず、意図せず薄膜化してしまうことがある。このようなことから、保護膜形成剤には、クラックの発生を抑制できる、優れた成膜性が要求される。
【０００９】
また、プラズマダイシングでは、フッ素系ガス等のエッチングガスを用いて、ウエハーをエッチングする。その際、このようなエッチングガスから発生するラジカル（例えば、フッ素系ガスから発生するフッ素ラジカル等）が、ウエハーを不必要にエッチングしたり、傷つけたりすることも起こりうる。このような意図しないエッチングが起こると、保護膜の膜減りが進んでしまう。このようなことから、保護膜形成剤には、保護膜と被エッチング膜との選択比が高いことが要求される。
【００１０】
本発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、成膜性に優れ、かつ、高い選択比を有する保護膜を作製できる保護膜形成剤、並びに、かかる保護膜形成剤によって得られる保護膜、保護膜の製造方法、及び半導体チップの製造方法を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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