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公開番号2025096010
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-26
出願番号2023212449
出願日2023-12-15
発明の名称レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20250619BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】感度、ラフネス及びエッチング耐性が良好なレジスト組成物等の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)を含有し、前記樹脂成分は、一般式(a0-m)で表される化合物から誘導される構成単位(a0)を有する、レジスト組成物。[式中、Wは、重合性基含有基である。R^Ar1及びR^Ar2は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族基である。L¹¹は、-C(=O)-NH-を含む2価の連結基である。L¹²は、芳香環を含む2価の連結基、又は単結合である。L¹²が、芳香環を含む2価の連結基である場合、この芳香環に、式中のカルボキシレートイオンにおける炭素原子が結合している。]
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【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－ｍ）で表される化合物から誘導される構成単位（ａ０）を有する、レジスト組成物。
TIFF
2025096010000098.tif
52
170
［式中、Ｗは、重合性基含有基である。Ｒ
Ａｒ１
及びＲ
Ａｒ２
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族基である。Ｌ
１１
は、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－を含む２価の連結基である。Ｌ
１２
は、芳香環を含む２価の連結基、又は単結合である。Ｌ
１２
が、芳香環を含む２価の連結基である場合、この芳香環に、式中のカルボキシレートイオンにおける炭素原子が結合している。Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のオニウムカチオンである。ｍは１以上の整数である。］
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記一般式（ａ０－ｍ）中のＲ
Ａｒ２
が、置換基としてヨウ素原子を有する芳香族基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記一般式（ａ０－ｍ）中のＲ
Ａｒ１
が、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アシロキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基及びアルケニル基からなる群より選択される少なくとも一種を含む置換基を有する芳香族基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１～３のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項５】
下記一般式（ａ０－ｍ）で表される化合物。
TIFF
2025096010000099.tif
52
170
［式中、Ｗは、重合性基含有基である。Ｒ
Ａｒ１
及びＲ
Ａｒ２
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい芳香族基である。Ｌ
１１
は、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－を含む２価の連結基である。Ｌ
１２
は、芳香環を含む２価の連結基、又は単結合である。Ｌ
１２
が、芳香環を含む２価の連結基である場合、この芳香環に、式中のカルボキシレートイオンにおける炭素原子が結合している。Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のオニウムカチオンである。ｍは１以上の整数である。］
【請求項６】
前記一般式（ａ０－ｍ）中のＲ
Ａｒ２
が、置換基としてヨウ素原子を有する芳香族基である、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
前記一般式（ａ０－ｍ）中のＲ
Ａｒ１
が、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アシロキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基及びアルケニル基からなる群より選択される少なくとも一種を含む置換基を有する芳香族基である、請求項５に記載の化合物。
【請求項８】
請求項５～７のいずれか一項に記載の化合物から誘導される構成単位を有する、高分子化合物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００４】
化学増幅型レジスト組成物においては、一般的に、リソグラフィー特性等の向上のために、前記基材成分として、複数の構成単位を有する樹脂が用いられている。前記酸発生剤成分としては、これまで多種多様なものが提案されている。例えば、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤などが知られている。
【０００５】
また、レジスト材料としては、従来、酸発生剤成分とともに、露光により該酸発生剤成分から発生する酸の拡散を制御する酸拡散制御剤を併有する化学増幅型レジスト組成物も提案されている。
【０００６】
また、化学増幅型レジスト組成物においては、酸発生剤成分として、露光により酸を発生する酸発生基を含む構成単位を導入した高分子化合物が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような高分子化合物は、酸発生剤としての機能と、基材成分としての機能とを併せ持つ。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２０１４－１５３４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
レジストパターンの微細化が進むなか、例えば、ＥＵＶやＥＢによるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細なパターン形成が目標とされる。このようなレジストパターンの微細化に伴い、感度及びラフネス等のリソグラフィー特性を各々トレードオフすることなく、改善することが求められる。
さらに、微細パターンにおけるレジスト膜の薄膜化に伴い、エッチング耐性の高いレジスト膜を形成可能なレジスト組成物が求められている。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、感度、ラフネス及びエッチング耐性のいずれも良好なレジスト組成物、前記レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、前記レジスト組成物に使用可能な高分子化合物、及び前記高分子化合物の合成に使用可能な化合物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－ｍ）で表される化合物から誘導される構成単位（ａ０）を有する、レジスト組成物である。
（【００１１】以降は省略されています）

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