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公開番号2025063622
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-16
出願番号2023173003
出願日2023-10-04
発明の名称剥離用組成物、及び接着剤を剥離する方法
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類C09J 5/00 20060101AFI20250409BHJP(染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用)
要約【課題】揮発性有機化合物(VOC)の発生をより抑制することができ、かつ、接着剤に対して十分な洗浄性をもつ、接着剤を剥離するための剥離用組成物、及びこの剥離用組成物を用いた、接着剤の剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明は、接着剤を剥離するための剥離用組成物であって、リモネンと、(A)成分:置換基を有してもよい、沸点が200℃以上の炭化水素と、を含有することを特徴とする剥離用組成物である。あるいは、本発明は、接着剤が付着した基板から、その接着剤を剥離する方法であって、本発明に係る剥離用組成物を、接着剤に接触させて、接着剤を溶解させる溶解工程を含む、接着剤を剥離する方法である。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
接着剤を剥離するための剥離用組成物であって、
リモネンと、
（Ａ）成分：置換基を有してもよい、沸点が２００℃以上の炭化水素と、
を含有する、剥離用組成物。
続きを表示（約 820 文字）【請求項２】
前記（Ａ）成分が、パラフィン、ナフテン及びテルペン類からなる群より選択される少なくとも一種である、請求項１に記載の剥離用組成物。
【請求項３】
前記（Ａ）成分が、パラフィンを含み、
前記リモネンと前記パラフィンとの混合比率が、リモネン／パラフィンで表される質量比として９０／１０～６０／４０である、請求項２に記載の剥離用組成物。
【請求項４】
前記（Ａ）成分が、ナフテンを含み、
前記リモネンと前記ナフテンとの混合比率が、リモネン／ナフテンで表される質量比として９０／１０～５０／５０である、請求項２に記載の剥離用組成物。
【請求項５】
前記（Ａ）成分が、テルペン類を含み、
前記リモネンと前記テルペン類との混合比率が、リモネン／テルペン類で表される質量比として６０／４０～４０／６０である、請求項２に記載の剥離用組成物。
【請求項６】
接着剤が付着した基板から、前記接着剤を剥離する方法であって、
請求項１～５のいずれか一項に記載の剥離用組成物を、前記接着剤に接触させて、前記接着剤を溶解させる溶解工程を含む、
接着剤を剥離する方法。
【請求項７】
前記溶解工程の前に、支持体、接着層及び基板がこの順で積層された積層体から、前記支持体を分離する分離工程を、さらに含む、
請求項６に記載の接着剤を剥離する方法。
【請求項８】
前記支持体が、光を透過する材料からなる支持基体と、光の照射により変質する分離層とからなり、前記分離層は前記支持基体と前記接着層との間に配置されており、
前記分離工程が、前記支持基体を介して前記分離層に光を照射することで前記分離層を変質させて、前記積層体から前記支持体を分離する工程である、
請求項７に記載の接着剤を剥離する方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、剥離用組成物、及び接着剤を剥離する方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、デジタルＡＶ機器及びＩＣカード等の高機能化に伴い、半導体シリコンチップの小型化、薄型化及び高集積化への要求が高まっている。例えば、一つの半導体パッケージの中に複数の半導体チップを搭載するシステム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）は、搭載されるチップを小型化、薄型化及び高集積化し、電子機器を高性能化、小型化かつ軽量化を実現する上で非常に重要な技術になっている。このような薄型化及び高集積化への要求に応えるためには、従来のワイヤ・ボンディング技術のみではなく、貫通電極を形成したチップを積層し、チップの裏面にバンプを形成する貫通電極技術も必要になる。
【０００３】
半導体チップの製造では、半導体ウエハ自体が肉薄で脆く、また、回路パターンには凹凸があるため、研削工程又はダイシング工程への搬送時に外力が加わると破損しやすい。そのため、研削するウエハに、ガラス、硬質プラスチック等からなる支持基体を貼り合わせることによって、ウエハの強度を保持し、クラックの発生及びウエハの反りを防止するウエハハンドリングシステム（ＷＨＳ）が開発されている。ウエハハンドリングシステムによりウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができる。
【０００４】
ウエハと支持基体とは、粘着テープ、熱可塑性樹脂、接着剤等を用いて貼り合わせられている。支持基体が貼り付けられたウエハを薄板化した後、ウエハをダイシングする前に支持基体を剥離して、支持基体をウエハから取り除く。そして、ウエハに残存している接着剤を、溶剤を含有する組成物を用いて洗浄除去する。
【０００５】
例えば、特許文献１には、接着剤を溶解して支持板から基板を剥離するための剥離用組成物として、環状の炭化水素及びテルペン系溶剤（ｐ－メンタン等）からなる群から選択される少なくとも１つの溶剤を含有し、且つ前記溶剤の沸点より２５℃以上高い沸点を有する高沸点不純物の含有量が５重量％以下である剥離用組成物が記載されている。
特許文献２には、ウエハ上に、仮接着剤と溶剤Ａを含む組成物を用いて仮接着剤層を形成する工程、ウエハにおける余剰な仮接着剤の少なくとも一部を、溶剤Ｂを含む組成物を用いて洗浄する工程、並びに、仮接着剤層を介して貼り合わされたウエハと支持基体との積層体から、ウエハおよび支持基体との一方を４０℃未満で剥離し、ウエハまたは支持基体に残存している仮接着剤を、溶剤Ｃを含む組成物で洗浄する工程、に用いるキットが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特許第６０９３１８７号公報
特許第６４５０４５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したような半導体チップの製造において、ウエハ等に残存している接着剤の洗浄除去に用いられる組成物においては、接着剤に対して十分な洗浄性が求められる。
【０００８】
ところで、近年、大気汚染の懸念から揮発性有機化合物（ＶｏｌａｔｉｌｅＯｒｇａｎｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄｓ：ＶＯＣ）の排出量の抑制が求められている。ＶＯＣは、常温常圧で大気中に揮発する有機化学物質の総称である。ＶＯＣは、環境中に放出されると、健康被害の原因となるため、各国で規制が進められている。しかしながら、ウエハ等に残存している接着剤の洗浄除去に用いられる従来の組成物では、ＶＯＣの発生の抑制が十分とはいえない。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ＶＯＣの発生をより抑制することができ、かつ、接着剤に対して十分な洗浄性をもつ、接着剤を剥離するための剥離用組成物、及びこの剥離用組成物を用いた、接着剤の剥離方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
（【００１１】以降は省略されています）

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