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公開番号2025032620
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-12
出願番号2023138005
出願日2023-08-28
発明の名称プラズマ処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20250305BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】プラズマ処理装置において、バッフルプレートの交換回数を減らしつつ、装置の処理性能を維持する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、基板支持部を囲むように配置されるバッフル構造体であって、バッフル構造体は、固定バッフルプレートと可動バッフルプレートとを有し、固定バッフルプレートは、基板支持部の側壁から外方に延在し、固定バッフルプレートとチャンバの側壁との間にギャップを形成するように構成され、可動バッフルプレートは、チャンバの側壁から内方に延在し、可動バッフルプレートと基板支持部の側壁との間にギャップを形成するように構成される、バッフル構造体と、可動バッフルプレートを移動させるアクチュエータと、固定バッフルプレートの消耗に応じて固定バッフルプレートと可動バッフルプレートとの間の距離を小さくするようにアクチュエータを制御する制御部と、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
前記基板支持部を囲むように配置されるバッフル構造体であって、前記バッフル構造体は、
第１の導電性材料で形成され、複数の第１の開口を有する固定バッフルプレートであって、前記固定バッフルプレートは、前記固定バッフルプレートと前記チャンバの側壁との間にギャップが形成されるように前記基板支持部の側壁から外方に延在する、前記固定バッフルプレートと、
第２の導電性材料で形成される可動バッフルプレートであって、前記可動バッフルプレートは、前記可動バッフルプレートと前記基板支持部の前記側壁との間にギャップが形成されるように前記チャンバの前記側壁から内方に延在し、前記可動バッフルプレートは、前記固定バッフルプレートと縦方向に重複し、開口を有さない内側部分と、複数の第２の開口を有する外側部分と、を有する、前記可動バッフルプレートと、
を含む、バッフル構造体と、
前記可動バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される少なくとも一つのアクチュエータと、
前記固定バッフルプレートの消耗に応じて前記固定バッフルプレートと前記可動バッフルプレートとの間の距離を小さくするように前記少なくとも一つのアクチュエータを制御するように構成される制御部と、
を備える、プラズマ処理装置。
続きを表示（約 820 文字）【請求項２】
前記第１の導電性材料は、Ｓｉ又はＳｉＣを含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第２の導電性材料は、Ｓｉ又はＳｉＣを含む、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記可動バッフルプレートは、前記固定バッフルプレートの下方に配置される、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記複数の第１の開口は、ドット形状を有する、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記複数の第１の開口は、スリット形状を有する、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記複数の第２の開口は、ドット形状を有する、請求項４から６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記複数の第２の開口は、スリット形状を有する、請求項４から６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記固定バッフルプレートの消耗は、前記プラズマ処理装置で処理された基板のエッチングレート、前記チャンバ内の圧力、及び前記プラズマの電位からなる群から選択される１つ以上に基づいて決定される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記可動バッフルプレートは、周方向に沿って配置される複数のバッフルセグメントを有し、
前記少なくとも一つのアクチュエータは、前記複数のバッフルセグメントを個別に縦方向に移動させるように構成され、
前記制御部は、前記固定バッフルプレートの消耗に応じて、前記複数のバッフルセグメントのうち少なくとも一つと前記固定バッフルプレートとの間の距離を小さくするように前記少なくとも一つのアクチュエータを制御するように構成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置が導電性バッフルプレートを有する技術として、特許文献１に記載された技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－６２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、プラズマ処理装置において、バッフルプレートの交換回数を減らしつつ、装置の処理性能を維持することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一つの例示的実施形態におけるプラズマ処理装置は、チャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、基板支持部を囲むように配置されるバッフル構造体であって、バッフル構造体は、第１の導電性材料で形成され、複数の第１の開口を有する固定バッフルプレートであって、固定バッフルプレートは、固定バッフルプレートとチャンバの側壁との間にギャップが形成されるように基板支持部の側壁から外方に延在する、固定バッフルプレートと、第２の導電性材料で形成される可動バッフルプレートであって、可動バッフルプレートは、可動バッフルプレートと基板支持部の側壁との間にギャップが形成されるようにチャンバの側壁から内方に延在し、可動バッフルプレートは、固定バッフルプレートと縦方向に重複し、開口を有さない内側部分と、複数の第２の開口を有する外側部分と、を有する、可動バッフルプレートと、を含む、バッフル構造体と、可動バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される少なくとも一つのアクチュエータと、固定バッフルプレートの消耗に応じて固定バッフルプレートと可動バッフルプレートとの間の距離を小さくするように少なくとも一つのアクチュエータを制御するように構成される制御部と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置において、バッフルプレートの交換回数を減らしつつ、装置の処理性能を維持することができる技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。
第１の実施の形態におけるプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
固定バッフルプレートと可動バッフルプレートの構成の一例を説明するための図である。
固定バッフルプレートと可動バッフルプレートの構成の一例を説明するための平面視の図である。
固定バッフルプレートと可動バッフルプレートの間の隙間を小さくした状態の一例を説明するための図である。
スリット状の開口を有する固定バッフルプレート及び可動バッフルプレートの構成の一例を説明するための平面視の図である。
スリット状の開口を有する固定バッフルプレート及び可動バッフルプレートの構成の一例を説明するための図である。
第１の開口が広がった状態の一例を説明するための図である。
固定バッフルプレートと可動バッフルプレートの間の隙間を小さくした状態の一例を説明するための図である。
第２の実施の形態におけるプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
上側バッフルプレートの構成の一例を説明するための平面視の図である。
上側バッフルプレート及び下側バッフル構造体の構成の一例を説明するための平面視の図である。
下側バッフル構造体の構成の一例を説明するための平面視の図である。
下側バッフル構造体のバッフルセグメントを傾斜させた状態の一例を説明するための平面視の図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の各実施形態について説明する。
【０００９】
一つの例示的実施形態において、チャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、基板支持部を囲むように配置されるバッフル構造体であって、バッフル構造体は、第１の導電性材料で形成され、複数の第１の開口を有する固定バッフルプレートであって、固定バッフルプレートは、固定バッフルプレートとチャンバの側壁との間にギャップが形成されるように基板支持部の側壁から外方に延在する、固定バッフルプレートと、第２の導電性材料で形成される可動バッフルプレートであって、可動バッフルプレートは、可動バッフルプレートと基板支持部の側壁との間にギャップが形成されるようにチャンバの側壁から内方に延在し、可動バッフルプレートは、固定バッフルプレートと縦方向に重複し、開口を有さない内側部分と、複数の第２の開口を有する外側部分と、を有する、可動バッフルプレートと、を含む、バッフル構造体と、可動バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される少なくとも一つのアクチュエータと、固定バッフルプレートの消耗に応じて固定バッフルプレートと可動バッフルプレートとの間の距離を小さくするように少なくとも一つのアクチュエータを制御するように構成される制御部と、を備える、プラズマ処理装置が提供される。
【００１０】
一つの例示的実施形態において、第１の導電性材料は、Ｓｉ又はＳｉＣを含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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