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公開番号2025030202
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-07
出願番号2023135287
出願日2023-08-23
発明の名称電子部品
出願人TDK株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20250228BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】Agのマイグレーションの発生を抑制する電子部品を提供する。
【解決手段】積層コンデンサC1は、素体3と、外部電極5と、を含む。外部電極5は、素体3上に配置されている。外部電極5は、複数のAg粒子13を含む第二電極層E2と、素体3との間に間隙を有して第二電極層E2の外側に配置されている金属めっき層PLと、を含む。金属めっき層PLは、第三電極層E3を含む。積層コンデンサC1は、第三電極層E3に含まれる金属成分の酸化物15を含む。酸化物15は、第三電極層E3の端と素体3とに接して第三電極層E3と素体3との間の間隙に配置されている。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
素体と、
複数のＡｇ粒子を含む導電性樹脂層と、前記素体との間に間隙を有して前記導電性樹脂層の外側に配置されている金属めっき層と、を含み、前記素体上に配置されている外部電極と、
前記金属めっき層の端と前記素体とに接して前記金属めっき層と前記素体との間の前記間隙に配置されており、前記金属めっき層に含まれる金属成分の酸化物と、を備える、電子部品。
続きを表示（約 440 文字）【請求項２】
前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層を含み、
前記酸化物は、前記Ｃｕめっき層に含まれるＣｕの酸化物を含む、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記金属めっき層は、前記素体との間に間隙を有して前記Ｃｕめっき層の外側に配置されている、前記Ｃｕめっき層とは別の金属めっき層を含む、請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記Ｃｕめっき層とは別の前記金属めっき層は、Ｎｉめっき層を含む、請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記Ｃｕめっき層とは別の前記金属めっき層は、前記Ｎｉめっき層の外側に配置されているはんだめっき層を含む、請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記はんだめっき層は、前記素体との間に間隙を有する、請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記酸化物は、前記導電性樹脂層の縁に沿って延在している、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
知られている電子部品は、素体と、素体上に配置されている外部電極と、を含む。外部電極は、たとえば、導電性樹脂層と、導電性樹脂層の外側に位置している金属めっき層と、を含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平５－１４４６６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
導電性樹脂層は、たとえば、複数のＡｇ粒子と、樹脂とを含む。この場合、外部電極にＡｇのマイグレーションが生じるおそれがある。Ａｇのマイグレーションは、たとえば、以下の事象により生じると考えられる。
電界又は熱が導電性樹脂層に含まれるＡｇ粒子に作用し、Ａｇ粒子がイオン化する。導電性樹脂層に含まれるＡｇ粒子は、酸素の影響を受けて、イオン化することもある。発生したＡｇイオンは、外部電極間に生じる電界に引かれ、導電性樹脂層から移動する。Ａｇ粒子に作用する電界は、たとえば、外部電極間に生じる電界、又は、外部電極と、素体内に配置される内部導体との間に生じる電界を含む。導電性樹脂層から移動するＡｇイオンは、たとえば、内部導体又は外部電極から供給される電子と反応し、素体の表面上にＡｇとして析出する。
【０００５】
本発明の一つの態様は、Ａｇのマイグレーションの成長を抑制する電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様に係る電子部品は、素体と、外部電極と、を含む。外部電極は、複数のＡｇ粒子を含む導電性樹脂層と、素体との間に間隙を有して導電性樹脂層の外側に配置されている金属めっき層と、を含み、素体上に配置されている。上記一つの態様に係る電子部品は、金属めっき層に含まれる金属成分の酸化物を含む。酸化物は、金属めっき層の端と素体とに接して金属めっき層と素体との間の間隙に配置されている。
【０００７】
上記一つの態様では、酸化物は、金属めっき層の端と素体とに接して金属めっき層と素体との間の間隙に配置されている。したがって、Ａｇのマイグレーションが、導電性樹脂層に生じる場合でも、Ａｇのマイグレーションの成長が抑制される。上記一つの態様は、素体３上での、Ａｇのマイグレーションの成長を抑制する。
金属めっき層の端と素体とに接して金属めっき層と素体との間の間隙に配置されている酸化物は、金属めっき層に含まれる金属成分の酸化物である。したがって、上記一つの態様は、酸化物を、金属めっき層と素体との間の間隙に確実に配置する。
【０００８】
上記一つの態様は、次の構成を含んでもよい。この構成では、金属めっき層が、Ｃｕめっき層を含む。酸化物が、Ｃｕめっき層に含まれるＣｕの酸化物を含む。
酸化物がＣｕめっき層に含まれるＣｕの酸化物を含む構成では、たとえば、酸化物は、Ｃｕめっき層を熱処理することによって形成され得る。したがって、酸化物が簡易に配置され得る。
【０００９】
上記一つの態様は、次の構成を含んでもよい。この構成では、金属めっき層が、素体との間に間隙を有してＣｕめっき層の外側に配置されている、Ｃｕめっき層とは別の金属めっき層を含む。
金属めっき層が上記別の金属めっき層を含む構成では、別の金属めっき層は、素体との間に間隙を有する。たとえば、Ｃｕめっき層を熱処理する際に、別の金属めっき層と素体との間に存在する間隙を通して、熱がＣｕめっき層に作用しやすい。したがって、金属めっき層が上記別の金属めっき層を含む構成でも、酸化物が簡易かつ確実に配置され得る。
【００１０】
上記一つの態様は、次の構成を含んでもよい。この構成では、Ｃｕめっき層とは別の金属めっき層が、Ｎｉめっき層を含む。
金属めっき層が上記Ｎｉめっき層を含む構成は、はんだ実装の際に、はんだ喰われを防止する。
（【００１１】以降は省略されています）

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