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公開番号2025024576
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-20
出願番号2023128779
出願日2023-08-07
発明の名称プラズマ処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H05H 1/46 20060101AFI20250213BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】ガスの排気速度を高める。
【解決手段】プラズマにより基板を処理するプラズマ処理装置であって、プラズマ処理チャンバと、ガス導入口から処理ガスを供給するガス供給機構と、前記処理ガスからプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記ガス供給機構の下方に配置され、前記基板を載置する基板支持部と、ガス排出口に接続され、前記処理ガスを排気する排気装置と、少なくとも前記ガス排出口を有する空間の前記プラズマ処理チャンバの内側面に形成される複数の溝であり、前記内側面の周方向に対して同一方向に傾斜し、前記周方向に均等に配置される複数の溝と、を有する、プラズマ処理装置が提供される。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
プラズマにより基板を処理するプラズマ処理装置であって、
プラズマ処理チャンバと、
ガス導入口から処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記処理ガスからプラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記ガス供給機構の下方に配置され、前記基板を載置する基板支持部と、
ガス排出口に接続され、前記処理ガスを排気する排気装置と、
少なくとも前記ガス排出口を有する空間の前記プラズマ処理チャンバの内側面に形成される複数の溝であり、前記内側面の周方向に対して同一方向に傾斜し、前記周方向に均等に配置される複数の溝と、
を有する、プラズマ処理装置。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
複数の前記溝の幅は、前記ガス排出口から遠ざかる高さほど広く、前記ガス排出口に近づく高さほど細い、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
複数の前記溝の深さは、前記ガス排出口から遠ざかる高さほど深く、前記ガス排出口に近づく高さほど浅い、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
複数の前記溝の内壁は、面取りされている、
請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
複数の前記溝は、段差を有する、
請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
複数の前記溝の内側面は、平面である、
請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
複数の前記溝の内側面は、曲面である、
請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記少なくとも前記ガス排出口を有する空間は、前記基板支持部の基板支持面下の排気空間を含む、
請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記少なくとも前記ガス排出口を有する空間は、前記基板支持部の基板支持面上のプラズマ処理空間を含む、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
複数の前記溝は、前記排気空間の前記プラズマ処理チャンバの内側面の上端から下端まで傾斜しながら延伸する、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、プラズマ処理装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、容量結合型のプラズマ処理装置及び制御部を含むプラズマ処理システムが開示されている。プラズマ処理装置は、基板支持部の上方にシャワーヘッドを有し、シャワーヘッドから少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間内に導入するように構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１１７６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、ガスの排気速度を高めることができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、プラズマにより基板を処理するプラズマ処理装置であって、プラズマ処理チャンバと、ガス導入口から処理ガスを供給するガス供給機構と、前記処理ガスからプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記ガス供給機構の下方に配置され、前記基板を載置する基板支持部と、ガス排出口に接続され、前記処理ガスを排気する排気装置と、少なくとも前記ガス排出口を有する空間の前記プラズマ処理チャンバの内側面に形成される複数の溝であり、前記内側面の周方向に対して同一方向に傾斜し、前記周方向に均等に配置される複数の溝と、を有する、プラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、ガスの排気速度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
一実施形態に係るプラズマ処理システムの構成例を示す図。
一実施形態に係る容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を示す図。
一実施形態に係る排気空間の溝の構成例を示す斜視図。
一実施形態に係る溝の変形例を示す図。
一実施形態に係る排気空間における処理ガスの旋回流の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［プラズマ処理システム］
図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
【００１０】
プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；ＣａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：ＨｅｌｉｃｏｎＷａｖｅＰｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：ＳｕｒｆａｃｅＷａｖｅＰｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（ＡｌｔｅｒｎａｔｉｎｇＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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