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公開番号2025023569
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-17
出願番号2023127828
出願日2023-08-04
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H10F 55/00 20250101AFI20250207BHJP()
要約【課題】高周波信号の伝送特性を改善できる半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、基板と、基板上に設けられたトランジスタと、受光素子と、発光素子と、を備え、基板、トランジスタ、発光素子、及び受光素子は、この順に第1方向に並ぶ。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に設けられたトランジスタと、
受光素子と、
前記受光素子上に設けられた発光素子と、
を備え、
前記第１基板、前記トランジスタ、前記発光素子、及び前記受光素子は、この順に第１方向に並ぶ、
半導体装置。
続きを表示（約 880 文字）【請求項２】
前記第１基板及び前記トランジスタと、前記受光素子及び前記発光素子との間に設けられた第２基板を更に備えた、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記トランジスタのゲートと前記受光素子の第１電極との間を電気的に接続する第１配線と、
前記トランジスタのソースと前記受光素子の第２電極との間を電気的に接続する第２配線と、
を更に備え、
前記第１配線及び前記第２配線は、前記第２基板の内部を通過する、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
入力端子と、
前記入力端子と前記発光素子の第３電極との間を電気的に接続する第３配線と、
を更に備え、
前記第３配線は、前記第２基板の内部を通過する、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３配線は、前記第１基板の内部を更に通過し、
前記入力端子は、前記第１基板上に設けられる、
請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記入力端子は、前記第１基板、前記第２基板、前記トランジスタ、前記受光素子、及び前記発光素子の各々と、前記第１方向と交差する第２方向に並び、前記第１基板及び前記第２基板と交差するように配置される、
請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１基板上に設けられる出力端子と、
前記出力端子と前記トランジスタのドレインとの間を電気的に接続する第４配線と、
を更に備え、
前記第４配線は、前記第１基板の内部を通過する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記トランジスタは、前記第１方向と交差する第２方向に前記第１基板と交差する位置に設けられる、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記発光素子は、前記第１方向と交差する第２方向に前記第２基板と交差する位置に設けられる、
請求項２記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置として、フォトリレー装置が知られている。フォトリレー装置は、発光素子及び受光素子を含む半導体リレーの装置である。フォトリレー装置は、無接点のリレーであり、交流信号又は直流信号の伝送に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２―１４６６９８号公報
特開２０２１―８９９７１号公報
特開２０２１―１２５６２０号公報
特開２０２１―１２５６７０号公報
特開２０１１―１６６０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高周波信号の伝送特性を改善できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、基板と、基板上に設けられたトランジスタと、受光素子と、発光素子と、を備える。基板、トランジスタ、発光素子、及び受光素子は、この順に第１方向に並ぶ。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態に係るフォトリレー装置の全体構成の一例を示す斜視図である。
図２は、第１実施形態に係るフォトリレー装置に含まれる各種素子の平面レイアウトを示す平面図である。
図３は、第１実施形態に係るフォトリレー装置の断面構造の一例を示す、図２のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿った断面図である。
図４は、第１実施形態に係るフォトリレー装置の断面構造の一例を示す、図２のＩＶ―ＩＶ線に沿った断面図である。
図５は、第１実施形態に係るフォトリレー装置の断面構造の一例を示す、図２のＶ―Ｖ線に沿った断面図である。
図６は、第１実施形態に係るフォトリレー装置の回路構成の一例を示す回路図である。
図７は、第１実施形態に係るフォトリレー装置の製造過程における断面構造の一例を示す断面図である。
図８は、第１実施形態に係るフォトリレー装置の製造過程における断面構造の一例を示す断面図である。
図９は、第１実施形態に係るフォトリレー装置の製造過程における断面構造の一例を示す断面図である。
図１０は、第１実施形態に係るフォトリレー装置の製造過程における断面構造の一例を示す断面図である。
図１１は、第２実施形態に係るフォトリレー装置の断面構造の一例を示す断面図である。
図１２は、第２実施形態に係るフォトリレー装置の断面構造の一例を示す断面図である。
図１３は、第２実施形態に係るフォトリレー装置の製造過程における断面構造の一例を示す断面図である。
図１４は、第２実施形態に係るフォトリレー装置の製造過程における断面構造の一例を示す断面図である。
図１５は、第３実施形態に係るフォトリレー装置の全体構成の一例を示す斜視図である。
図１６は、第３実施形態に係るフォトリレー装置の断面構造の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。各実施形態は、発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示している。図面は模式的又は概念的なものであり、各図面の寸法及び比率等は必ずしも現実のものと同一とは限らない。本発明の技術的思想は、構成要素の形状、構造、配置等によって特定されるものではない。
【０００８】
尚、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付す。同じ文字を含んだ参照符号で示される要素を相互に区別する必要がない場合、これらの要素はそれぞれ文字のみを含んだ参照符号により参照される。
【０００９】
第１実施形態について説明する。本実施形態では、半導体装置の例として、フォトリレー装置について説明する。
【００１０】
図１は、第１実施形態に係るフォトリレー装置の全体構成の一例を示す斜視図である。図２は、図１におけるフォトリレー装置に含まれる各種素子の平面レイアウトを示す平面図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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