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公開番号2025042424
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-27
出願番号2023149435
出願日2023-09-14
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250319BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】発振を抑制する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、パッケージの第1面P2に露出する第1導電体30と、ドレインが第1導電体に接続された第1及び第2トランジスタTrと、絶縁基板21と、パッケージの第2面P1から露出し、絶縁基板の第3面S1上に設けられた第2導電体23及び第3導電体22と、絶縁基板内に埋設され、第2導電体に接続される第1配線層26と、第1トランジスタのソース及び第3導電体と接続される第4導電体24bと、第2トランジスタのソース及び第3導電体と接続される第5導電体24dと、第1トランジスタのゲート及び第2導電体と接続される第6導電体25aと、絶縁基板の第4面上に設けられ、第2トランジスタのゲート及び第1配線層と接続される第7導電体25bと、を含む。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
パッケージの第１面に露出する第１導電体と、
前記パッケージ内に設けられ、ドレインが前記第１導電体に接続された第１トランジスタと、
前記パッケージ内に設けられ、ドレインが前記第１導電体に接続された第２トランジスタと、
絶縁基板と、
前記パッケージの前記第１面と対向する第２面から露出し、前記絶縁基板の第３面上に設けられた第２導電体と、
前記パッケージの前記第２面から露出し、前記絶縁基板の前記第３面上に前記第２導電体と離間して設けられた第３導電体と、
前記絶縁基板内に埋設され、前記第２導電体に接続される第１配線層と、
前記絶縁基板の前記第３面と対向する第４面上に設けられ、前記第１トランジスタのソース及び前記第３導電体と接続される第４導電体と、
前記絶縁基板の前記第４面上に設けられ、前記第２トランジスタのソース及び前記第３導電体と接続される第５導電体と、
前記絶縁基板の前記第４面上に設けられ、前記第１トランジスタのゲート及び前記第２導電体と接続される第６導電体と、
前記絶縁基板の前記第４面上に設けられ、前記第２トランジスタのゲート及び前記第１配線層と接続される第７導電体と
を備える、
半導体装置。
続きを表示（約 230 文字）【請求項２】
前記第３導電体と、前記第１配線層とは、平行に配置される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３導電体に印加される第１信号と、前記第１配線層に印加される第２信号とは、互いに逆位相である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタは、前記第１導電体と前記絶縁基板との間に配置される、
請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
高出力を実現する半導体装置として、パワーモジュールが知られている。パワーモジュールは、複数のパワー半導体が集積された１個のパッケージとして構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１６５４４５
米国特許出願公開第２０１３／０２５８６２８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一実施形態では、装置内の発振を抑制できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、パッケージの第１面に露出する第１導電体と、パッケージ内に設けられ、ドレインが第１導電体に接続された第１トランジスタと、パッケージ内に設けられ、ドレインが第１導電体に接続された第２トランジスタと、絶縁基板と、パッケージの前記第１面と対向する第２面から露出し、絶縁基板の第３面上に設けられた第２導電体と、パッケージの第２面から露出し、絶縁基板の第３面上に第２導電体と離間して設けられた第３導電体と、絶縁基板内に埋設され、第２導電体に接続される第１配線層と、絶縁基板の第３面と対向する第４面上に設けられ、第１トランジスタのソース及び第３導電体と接続される第４導電体と、絶縁基板の第４面上に設けられ、第２トランジスタのソース及び第３導電体と接続される第５導電体と、絶縁基板の第４面上に設けられ、第１トランジスタのゲート及び第２導電体と接続される第６導電体と、絶縁基板の第４面上に設けられ、第２トランジスタのゲート及び第１配線層と接続される第７導電体と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
一実施形態に係る半導体装置の回路構成の一例を示す回路図。
一実施形態に係る半導体装置のパッケージ上面の平面図。
一実施形態に係る半導体装置のパッケージ下面の平面図。
図２及び図３のＡ１－Ａ２線に沿った半導体装置の断面図。
一実施形態の第１変形例に係る半導体装置のパッケージ上面の平面図。
一実施形態の第２変形例に係る半導体装置の回路構成を示す回路図。
一実施形態の第３変形例に係る半導体装置の断面図。
一実施形態の第４変形例に係る半導体装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して実施形態について説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する構成要素については、共通する参照符号を付す。また、共通する参照符号を有する複数の構成要素を区別する場合、当該共通する参照符号に添え字を付して区別する。なお、複数の構成要素について特に区別を要さない場合、当該複数の構成要素には、共通する参照符号のみが付され、添え字は付さない。ここで、添え字は、下付き文字や上付き文字に限らず、例えば、参照符号の末尾に添加される小文字のアルファベット、及び配列を意味するインデックス等を含む。
【０００８】
一実施形態に係る半導体装置は、パワーモジュールである。半導体装置は、例えば、鉄道車両用の電力変換装置、又は再生可能エネルギー発電システム用の産業用機器等に適用される。
【０００９】
１．半導体装置の回路構成
まず、図１を参照して、半導体装置１の回路構成の一例について説明する。図１は、半導体装置１の回路構成の一例を示す回路図である。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置１は、並列に接続された複数のトランジスタＴｒを含む。図１に示す例では、半導体装置１は、並列に接続された２つのトランジスタＴｒ１及びＴｒ２を含む。なお、並列に接続されるトランジスタＴｒの個数は、３個以上であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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