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公開番号2025064182
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-17
出願番号2023173732
出願日2023-10-05
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/48 20060101AFI20250410BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】短絡を抑制することができる半導体装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1電極及び第1方向において前記第1電極と対向する第2電極を有する半導体素子を有する。第1導電部材は、前記第1方向において前記第1電極と対向する第1部分と、前記第1方向において前記第1部分と少なくとも一部で離間し対向する第2部分と、を有する。前記第1電極と前記第1部分の間、及び、前記第1部分と前記第2部分との間に第1接続部材が設けられる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１電極及び第１方向において前記第１電極と対向する第２電極を有する半導体素子と、
前記第１方向において前記第１電極と対向する第１部分と、
前記第１方向において前記第１部分と少なくとも一部で離間し対向する第２部分と、
を有する第１導電部材と、
前記第１電極と前記第１部分の間、及び、前記第１部分と前記第２部分の間に設けられた第１接続部材と、
を有する半導体装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１導電部材は、Ｃｕを含む金属であり、
前記第１接続部材は、はんだである、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１電極の外縁部を覆う絶縁膜をさらに有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１部分のうち前記第１電極と対向する面とは反対の面である第１面、及び、前記第２部分のうち前記第１方向において前記第１面と少なくとも一部で離間し対向する第２面の少なくとも一部は、前記第１導電部材とは異なる金属種によって被覆されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属種は、Ｎｉ、Ａｇ、Ｓｎのうち少なくともいずれかを含む、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１部分のうち前記第１電極と対向する面とは反対の面である第１面、及び、前記第２部分のうち前記第１方向において前記第１面と少なくとも一部で離間し対向する第２面の少なくとも一部の表面粗さは、前記第１導電部材の他の部分より大きい、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１導電部材は、前記第１部分を前記第１方向に貫通する第１貫通孔を有し、
前記第１接続部材は、前記第１貫通孔の少なくとも一部を満たす、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１導電部材は、前記第２部分を前記第１方向に貫通する第１貫通孔を有し、
前記第１接続部材は、前記第１貫通孔の少なくとも一部を満たす、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１導電部材は、前記第２部分と接続された突出部を有しており、
前記第１貫通孔の、前記第２部分から前記突出部へと向かう方向であって前記第１方向と交差する第２方向の長さは、前記第１方向及び前記第２方向と交差する第３方向の長さより長い、
請求項７又は８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１導電部材は、前記第２部分と連続して形成された第３部分を有し、
前記第３部分は前記第１接続部材を介して、前記第１電極と対向し、
前記第３部分と前記第１電極との前記第１方向の距離は、前記第２部分と前記第１電極との前記第１方向の距離より短い、
請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体素子の電極を、半導体パッケージの外部と電気的に接続するための構造に、例えばリードフレーム又はコネクタと呼ばれる金属部材が用いられる。金属部材と半導体素子とは、はんだ等を介して電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００８－２２７１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、短絡を抑制することができる半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体装置には、第１電極及び第１方向において前記第１電極と対向する第２電極を有する半導体素子が設けられている。第１導電部材は、前記第１方向において前記第１電極と対向する第１部分と、前記第１方向において前記第１部分と少なくとも一部で離間し対向する第２部分と、を有する。前記第１電極と前記第１部分の間、及び、前記第１部分と前記第２部分との間に第１接続部材が設けられる。
【０００６】
また、他の実施形態の半導体装置には、第１電極及び第１方向において前記第１電極と対向する第２電極を有する半導体素子が設けられている。第２導電部材は、前記第１方向において前記第１電極と対向する第５部分と、前記第１方向において前記第５部分と前記第１方向において離間し対向する第６部分と、を有する。第３導電部材は、前記第５部分と前記第６部分の間に設けられ、前記第５部分及び前記第６部分と少なくとも一部で接する第７部分と、前記第７部分と連続して形成され、前記第１方向において、前記第５部分とは離間して設けられた第８部分と、を有する。前記第１電極と前記第５部分の間、及び、前記第５部分と前記第８部分の間の少なくとも一部に第１接続部材が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係る半導体装置１の上面図である。
第１実施形態に係る半導体装置１の斜視図である。
図１Ａに示すＡ－Ａ′断面図である。
第２実施形態に係る半導体装置２のＡ－Ａ′断面図である。
第２実施形態に係る半導体装置２のＡ－Ａ′断面図である。
第３実施形態に係る半導体装置３のＡ－Ａ′断面図である。
第３実施形態に係る半導体装置３の変形例のＡ－Ａ′断面図である。
第４実施形態に係る半導体装置４のＡ－Ａ′断面図である。
図５に示すＢ－Ｂ′断面又は図６に示すＣ－Ｃ′断面を表す断面図である。
図５に示すＢ－Ｂ′断面又は図６に示すＣ－Ｃ′断面を表す断面図である。
図５に示すＢ－Ｂ′断面又は図６に示すＣ－Ｃ′断面を表す断面図である。
第５実施形態に係る半導体装置５のＡ－Ａ′断面図である。
第６実施形態に係る半導体装置６のＡ－Ａ′断面図である。
第７実施形態に係る半導体装置７のＡ－Ａ′断面図である。
第７実施形態に係る半導体装置７の変形例のＡ－Ａ′断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【０００９】
なお、図面は模式的又は概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【００１０】
例えば、本願明細書中に示される断面図において、積層構造が示されるものがあるが、積層構造の各層の厚みの比率は現実のものと同一とは限らない。断面図中では一方の層が他方の層より厚く図示されているような場合であっても、現実では一方の層と他方の層の厚みは同程度である場合や、一方の層が他方の層よりも薄い場合などがあり得る。つまり、本願明細書中の図面に示される厚みなどの寸法は現実のものとは異なる場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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