特許ウォッチ

公開番号2025083156
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-30
出願番号2023196886
出願日2023-11-20
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250523BHJP()
要約【課題】耐圧の低下を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、第1面を有する支持体と、第1面上に第1導電部51～第4導電部54と、半導体層30と、を含む素子部を有する。第1面から第1導電部51への方向は、Z方向に沿う。第2導電部52は、Y方向において第1導電部と離れる。半導体層は、第1導電部と第2導電部との間に位置する。半導体層は、対向領域38と、第1半導体領域31と、を含む。第3導電部53は、X方向において第2導電部の一部及び対向領域から離れる。第4導電部54は、X方向において第1半導体領域から離れる。第1半導体領域は、Z方向に、第1上端領域と、第1下端領域と、第1中間領域と、を含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１面を有する支持体と、
第１導電部であって、前記第１面から前記第１導電部へ向かう方向は、前記第１面と垂直な第１方向に沿う、第１導電部と、
前記第１面に沿う第２方向において前記第１導電部と離れた第２導電部と、
前記第１導電部と前記第２導電部との間に位置し、第１端面と、前記第１端面と前記支持体との間に位置する第２端面と、を有する半導体層であって、前記半導体層は、対向領域と第１導電形の第１半導体領域とを含み、前記対向領域は、前記第２導電部と前記第１半導体領域との間に位置し前記第２導電部の一部と対向する、半導体層と、
前記第２方向に交差し前記第１面に沿う第３方向において、前記第２導電部の一部及び前記対向領域から離れた第３導電部と、
前記第３方向において前記第１半導体領域と離れた第４導電部と、
を備え、
前記第１半導体領域は、前記第１端面の一部を含む第１上端領域と、前記第２端面の一部を含む第１下端領域と、前記第１上端領域と前記第１下端領域との間に位置する第１中間領域と、を含み、
前記第１上端領域における第１導電形の不純物の濃度は、前記第１中間領域における第１導電形の不純物の濃度よりも高く、
前記第１下端領域における第１導電形の不純物の濃度は、前記第１中間領域における第１導電形の不純物の濃度よりも高い、半導体装置。
続きを表示（約 960 文字）【請求項２】
前記対向領域は、第１導電形であり、前記第２導電部の一部とショットキー接触する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記対向領域は、第２導電形である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１端面と接する第１絶縁層と、
前記第２端面と接する第２絶縁層と、
をさらに備えた、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１絶縁層は、前記第４導電部の前記第１方向における一端と接し、
前記第２絶縁層は、前記第４導電部の前記第１方向における他端と接する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１絶縁層の厚さは、２５０ｎｍ以上１２５０ｎｍ以下であり、
前記第２絶縁層の厚さは、２５０ｎｍ以上１２５０ｎｍ以下である、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１上端領域及び前記第１下端領域の一方における第１導電形の不純物の濃度は、前記第１上端領域及び前記第１下端領域の他方における第１導電形の不純物の濃度よりも高い、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１導電部と電気的に接続された第１導電層をさらに備え、
前記第１上端領域及び前記第１下端領域の前記他方は、前記第１上端領域及び前記第１下端領域の前記一方と、前記第１導電層と、の間に位置する、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１下端領域は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に位置し、
前記第１上端領域は、前記第１下端領域と前記第１絶縁層との間に位置し、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の一方の厚さは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の他方の厚さよりも、薄い、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１導電部と電気的に接続された第１導電層をさらに備え、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の前記他方は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の前記一方と、前記第１導電層と、の間に位置する、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置においては、耐圧の低下を抑制することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００１－２７４３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、耐圧の低下を抑制可能な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第１面を有する支持体と、第１導電部と、第２導電部と、半導体層と、第３導電部と、第４導電部と、を含む。前記第１面から前記第１導電部へ向かう方向は、前記第１面と垂直な第１方向に沿う。前記第２導電部は、前記第１面に沿う第２方向において前記第１導電部と離れる。前記半導体層は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に位置する。前記半導体層は、第１端面と、前記第１端面と前記支持体との間に位置する第２端面と、を有する。前記半導体層は、対向領域と第１導電形の第１半導体領域とを含む。前記対向領域は、前記第２導電部と前記第１半導体領域との間に位置し、前記第２導電部の一部と対向する。前記第３導電部は、前記第２方向に交差し前記第１面に沿う第３方向において、前記第２導電部の一部及び前記対向領域から離れる。前記第４導電部は、前記第３方向において前記第１半導体領域と離れる。前記第１半導体領域は、前記第１端面の一部を含む第１上端領域と、前記第２端面の一部を含む第１下端領域と、前記第１上端領域と前記第１下端領域との間に位置する第１中間領域と、を含む。前記第１上端領域における第１導電形の不純物の濃度は、前記第１中間領域における第１導電形の不純物の濃度よりも高い。前記第１下端領域における第１導電形の不純物の濃度は、前記第１中間領域における第１導電形の不純物の濃度よりも高い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図２は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。
図３は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図４は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図５は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図６は、実施形態に係る半導体装置における不純物濃度を表す模式図である。
図７は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図８は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。
図９は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１０は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１１は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
図１は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図２は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。図２は、図１を上方から見た様子を表す。
図３及び図４は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図３は、図２に表したＡ１－Ａ２線における断面を表す。図４は、図２に表したＡ３－Ａ４線における断面を表す。
【０００９】
図１に表したように、実施形態に係る半導体装置１００は、支持体１０、半導体層３０、第１導電部５１、第２導電部５２、第３導電部５３及び第４導電部５４を含む。半導体装置１００は、さらに、絶縁部７０、第１導電層６１、第１絶縁層２１（図３参照）及び、第２絶縁層２２を含む。なお、図１及び図２においては、便宜上、第１絶縁層２１の図示を省略している。
【００１０】
図１に表したように、支持体１０は、第１面１０ａを有する。半導体層３０、第１～第４導電部（５１～５４）、第１導電層６１、第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２を含む素子部が、第１面１０ａ上に設けられ、支持体１０に支持されている。支持体１０は、例えば基板である。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許