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公開番号2025042922
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-28
出願番号2023150124
出願日2023-09-15
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250321BHJP()
要約【課題】閾値電圧を高くすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1～3導電部と第1絶縁部と半導体部とを含む。第2導電部は、第1導電部から第1方向において離れる。第3導電部は、第1方向と交差する第2方向において第2導電部の一部と並ぶ。第1絶縁部は、第2導電部の一部と第3導電部との間に設けられた第1絶縁領域を含む。半導体部は、第1、2半導体領域を含む、第1導電形である。第1半導体領域は、第1導電部と第2導電部との間に設けられる。第2半導体領域は、第2導電部の一部と第1絶縁領域との間に設けられ第2導電部とショットキー接合する。第2導電部と第2半導体領域との界面に、第1不純物が偏析する。第1導電形がn形の場合、第1不純物は、ボロン、インジウム、アルミニウム及びベリリウムよりなる群より選択された少なくとも1つを含む。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
第１導電部と、
前記第１導電部から第１方向において離れた第２導電部と、
前記第１方向と交差する第２方向において前記第２導電部の一部と並ぶ第３導電部と、
前記第２導電部の前記一部と前記第３導電部との間に設けられた第１絶縁領域を含む第１絶縁部と、
前記第１導電部と前記第２導電部との間に設けられた第１半導体領域と、前記第２導電部の前記一部と前記第１絶縁領域との間に設けられ前記第２導電部とショットキー接合する第２半導体領域と、を含む、第１導電形の半導体部と、
を備え、
前記第２導電部と前記第２半導体領域との界面に、第１不純物が偏析し、
前記第１導電形がｎ形であり、かつ、前記第１不純物は、ボロン、インジウム、アルミニウム及びベリリウムよりなる群より選択された少なくとも１つを含む、または、
前記第１導電形がｐ形であり、かつ、前記第１不純物は、ヒ素、リン、アンチモン及びマグネシウムよりなる群より選択された少なくとも１つを含む、半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第２導電部は、前記第１不純物を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２半導体領域は、第１領域と、前記第１領域と前記第１導電部との間に設けられた第２領域と、を含み、
前記第１領域における第１導電形の不純物濃度は、前記第２領域における第１導電形の不純物濃度よりも高く、
前記第２導電部は、前記第２方向において前記第１領域と並び前記第１領域とショットキー接合する第１導電領域と、前記第２方向において前記第２領域と並び前記第２領域とショットキー接合する第２導電領域と、を含み、
前記第２導電領域と前記第２領域との界面に前記第１不純物が偏析する、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１導電領域と前記第１領域との界面に第２不純物が偏析し、
前記第１導電形がｎ形であり、かつ、前記第２不純物は、ヒ素、リン、アンチモン及びマグネシウムよりなる群より選択された少なくとも１つを含む、または、
前記第１導電形がｐ形であり、かつ、前記第２不純物は、ボロン、インジウム、アルミニウム及びベリリウムよりなる群より選択された少なくとも１つを含む、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２導電領域と前記第２領域との界面には、前記第２不純物が偏析しない、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１導電領域は、前記第２不純物を含み、
前記第２導電領域は、前記第１不純物を含む、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２導電部は、前記第１方向において前記第１半導体領域と並び前記第１半導体領域とショットキー接合する第３導電領域をさらに含み、
前記第３導電領域と前記第１半導体領域との界面に第２不純物が偏析し、
前記第１導電形がｎ形であり、かつ、前記第２不純物は、ヒ素、リン、アンチモン及びマグネシウムよりなる群より選択された少なくとも１つを含む、または、
前記第１導電形がｐ形であり、かつ、前記第２不純物は、ボロン、インジウム、アルミニウム及びベリリウムよりなる群より選択された少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第３導電領域は、前記第２不純物を含む、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１導電領域は、前記第１不純物を含む、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２導電部は、白金を含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
トランジスタなどの半導体装置において、閾値電圧を高くすることが望まれることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第６４００５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、閾値電圧を高くすることが可能な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第１導電部と第２導電部と第３導電部と第１絶縁部と半導体部とを含む。前記第２導電部は、前記第１導電部から第１方向において離れる。前記第３導電部は、前記第１方向と交差する第２方向において前記第２導電部の一部と並ぶ。前記第１絶縁部は、前記第２導電部の前記一部と前記第３導電部との間に設けられた第１絶縁領域を含む。前記半導体部は、第１半導体領域と第２半導体領域とを含む、第１導電形である。前記第１半導体領域は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に設けられる。前記第２半導体領域は、前記第２導電部の前記一部と前記第１絶縁領域との間に設けられ前記第２導電部とショットキー接合する。前記第２導電部と前記第２半導体領域との界面に、第１不純物が偏析する。前記第１導電形がｎ形であり、かつ、前記第１不純物は、ボロン、インジウム、アルミニウム及びベリリウムよりなる群より選択された少なくとも１つを含む。または、前記第１導電形がｐ形であり、かつ、前記第１不純物は、ヒ素、リン、アンチモン及びマグネシウムよりなる群より選択された少なくとも１つを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図２は、実施形態に係る別の半導体装置を例示する模式的断面図である。
図３は、実施形態に係る別の半導体装置を例示する模式的断面図である。
図４は、実施形態に係る別の半導体装置を例示する模式的断面図である。
図５（ａ）～図５（ｆ）は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
図１は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１に表したように、実施形態に係る半導体装置１００は、第１導電部１１と、第２導電部１２と、第３導電部１３と、絶縁部２０と、半導体部３０と、を含む。半導体装置１００は、第４導電部１４と、第５導電部１５と、をさらに含んでもよい。
【０００９】
第２導電部１２は、第１導電部１１から第１方向において離れる。第１方向をＺ方向とする。Ｚ方向に対して垂直な１つの方向をＸ方向とする。Ｚ方向及びＸ方向に対して垂直な方向をＹ方向とする。第１方向において、第１導電部１１に対する第２導電部の位置関係および方向関係を、上および上方と称呼する。下および下方は上および上方の反対を指す。
【００１０】
第２導電部１２は、第１導電領域１２ａと、第２導電領域１２ｂと、第３導電領域１２ｃと、第４導電領域１２ｄと、を含む。第３導電領域１２ｃのＺ方向における位置は、第４導電領域１２ｄのＺ方向における位置と、第１導電部１１のＺ方向における位置と、の間である。第１導電領域１２ａ及び第２導電領域１２ｂは、Ｚ方向に延び、第４導電領域１２ｄのＸ方向の端部と、第３導電領域１２ｃのＸ方向の端部と、を接続する。第２導電領域１２ｂのＺ方向における位置は、第１導電領域１２ａのＺ方向における位置と、第３導電領域１２ｃのＺ方向における位置と、の間である。
（【００１１】以降は省略されています）

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