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公開番号2025043923
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-01
出願番号2023151527
出願日2023-09-19
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 23/12 20060101AFI20250325BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】発振を抑制する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1電極13a、第2電極11a、及び第3電極12aが設けられた第1基板10aと、第4電極13b、第5電極11b、及び第6電極12bが設けられ、第1基板と第1方向に並んで配置された第2基板10bと、ドレインが第1電極に接続され、ゲートが第2電極に接続され、ソースが第3電極に接続された第1トランジスタ100と、ドレインが第4電極に接続され、ゲートが第5電極に接続され、ソースが第6電極に接続された第2トランジスタ100と、第2電極と第5電極とを第2方向に蛇行して接続する第1配線30と、第3電極と第6電極とを第2方向に蛇行して接続する第2配線31と、を含む。
【選択図】図4

特許請求の範囲【請求項１】
第１電極、第２電極、及び第３電極が互いに離間して設けられた第１基板と、
第４電極、第５電極、及び第６電極が互いに離間して設けられ、前記第１基板と第１方向に並んで配置された第２基板と、
前記第１電極の上面上に設けられ、ドレインが前記第１電極に接続され、ゲートが前記第２電極に接続され、ソースが前記第３電極に接続された第１トランジスタと、
前記第４電極の上面上に設けられ、ドレインが前記第４電極に接続され、ゲートが前記第５電極に接続され、ソースが前記第６電極に接続された第２トランジスタと、
前記第２電極と前記第５電極とを前記第１方向と交差する第２方向に蛇行して接続する第１配線と、
前記第３電極と前記第６電極とを前記第２方向に蛇行して接続する第２配線と
を備える、
半導体装置。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
前記第１配線と、前記第２配線とは、前記第１方向と交差する第３方向において、平行となるように蛇行する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１配線と、前記第２配線との距離は、２ｍｍ以下である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１配線は、前記第１方向に延伸する複数の第１部分と、前記第２方向に延伸する複数の第２部分とを含み、
前記複数の第１部分と前記複数の第２部分は、１個ずつ交互に、直列に接続される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
第７電極、第８電極、及び第９電極が互いに離間して設けられた第３基板と、
第１０電極、第１１電極、及び第１２電極が互いに離間して設けられ、前記第３基板と前記第１方向に並んで配置された第４基板と、
前記第７電極の上面上に設けられ、ドレインが前記第７電極に接続され、ゲートが前記第８電極に接続され、ソースが前記第９電極に接続された第３トランジスタと、
前記第１０電極の上面上に設けられ、ドレインが前記第１０電極に接続され、ゲートが前記第１１電極に接続され、ソースが前記第１２電極に接続された第４トランジスタと、
前記第８電極と前記第１１電極とを前記第２方向に蛇行して接続する第３配線と、
前記第９電極と前記第１２電極とを前記第２方向に蛇行して接続する第４配線と
を更に備える、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３トランジスタ及び前記第４トランジスタは、前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタと直列に接続される、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第３配線と、前記第４配線とは、前記第１方向と交差する第３方向において、平行となるように蛇行する、
請求項５に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
高出力を実現する半導体装置として、パワーモジュールが知られている。パワーモジュールは、複数のパワー半導体が集積された１個のパッケージとして構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第４１４２５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一実施形態では、装置内の発振を抑制できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、第１電極、第２電極、及び第３電極が互いに離間して設けられた第１基板と、第４電極、第５電極、及び第６電極が互いに離間して設けられ、第１基板と第１方向に並んで配置された第２基板と、第１電極の上面上に設けられ、ドレインが第１電極に接続され、ゲートが第２電極に接続され、ソースが第３電極に接続された第１トランジスタと、第４電極の上面上に設けられ、ドレインが第４電極に接続され、ゲートが第５電極に接続され、ソースが第６電極に接続された第２トランジスタと、第２電極と第５電極とを第１方向と交差する第２方向に蛇行して接続する第１配線と、第３電極と第６電極とを第２方向に蛇行して接続する第２配線と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
一実施形態に係る半導体装置の回路構成の一例を示す回路図。
一実施形態に係る半導体装置における絶縁基板の構成を示す平面図。
図２におけるＡ１－Ａ２線に沿った断面図。
一実施形態に係る半導体装置に含まるゲート配線及びソースセンス配線の構成を示す平面図。
図４におけるＢ１－Ｂ２線に沿った断面図。
一実施形態に係る半導体装置に含まる上ゲート配線及び上ソースセンス配線の蛇行部を示す斜視図。
一実施形態に係る半導体装置１の上アーム部分の回路構成の一例を示す回路図。
一実施形態に係る半導体装置１の上アーム部分の回路構成の一例を示す回路図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して実施形態について説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する構成要素については、共通する参照符号を付す。また、共通する参照符号を有する複数の構成要素を区別する場合、当該共通する参照符号に添え字を付して区別する。なお、複数の構成要素について特に区別を要さない場合、当該複数の構成要素には、共通する参照符号のみが付され、添え字は付さない。ここで、添え字は、下付き文字や上付き文字に限らず、例えば、参照符号の末尾に添加される小文字のアルファベット、及び配列を意味するインデックス等を含む。
【０００８】
一実施形態に係る半導体装置は、パワーモジュールである。半導体装置は、例えば、鉄道車両用の電力変換装置、又は再生可能エネルギー発電システム用の産業用機器等に適用される。
【０００９】
１．半導体装置の回路構成
まず、図１を参照して、半導体装置１の回路構成の一例について説明する。図１は、半導体装置１の回路構成の一例を示す回路図である。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置１は、並列に接続された複数のトランジスタを含む上アーム部分ＵＡ、及び並列に接続された複数のトランジスタを含む下アーム部分ＬＡを含む。上アーム部分ＵＡと下アーム部分ＬＡとは直列に接続される。
（【００１１】以降は省略されています）

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