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公開番号
2025047748
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-04-03
出願番号
2023156430
出願日
2023-09-21
発明の名称
半導体装置
出願人
株式会社東芝
,
東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人
弁理士法人iX
主分類
H10D
30/66 20250101AFI20250326BHJP()
要約
【課題】アバランシェ耐量を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第1~第4電極と、第1~第3半導体領域と、第1、第2絶縁部と、接続部と、を備える。第3電極は、第2方向に沿って延び第3方向において第2半導体領域と並ぶ第1電極領域と、第3方向に沿って延び第2方向において第2半導体領域と並ぶ第2電極領域と、第1電極領域と第2電極領域とを接続する第3電極領域と、を含む。第1絶縁部は、第1、第2絶縁部分を含む第1絶縁領域と、第3、第4絶縁部分を含む第2絶縁領域と、第5、第6絶縁部分を含む第3絶縁領域と、を含む。第4電極は、第1半導体領域及び第3電極と並ぶ。接続部は、第3絶縁領域と第2絶縁部との間に位置する第1接続部と、第3絶縁領域と第1接続部との間に位置する第2接続部と、を有する。
【選択図】図5
特許請求の範囲
【請求項1】
第1電極と、
前記第1電極の上に設けられた第1導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上に設けられた前記第1導電形の第3半導体領域と、
前記第3半導体領域の上に設けられ、前記第3半導体領域と電気的に接続された第2電極と、
前記第1電極から前記第2電極に向かう第1方向に垂直な第2方向に沿って延び、前記第1方向に垂直であり前記第2方向に交差する第3方向において前記第2半導体領域と並ぶ第1電極領域と、
前記第3方向に沿って延び、前記第2方向において前記第2半導体領域と並ぶ第2電極領域と、
前記第1電極領域と前記第2電極領域とを接続する第3電極領域と、
を含む第3電極と、
前記第3方向において前記第2半導体領域と前記第1電極領域との間に設けられた第1絶縁部分と、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第1電極領域との間に設けられた第2絶縁部分と、を含む第1絶縁領域と、
前記第2方向において前記第2半導体領域と前記第2電極領域との間に設けられた第3絶縁部分と、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第2電極領域との間に設けられた第4絶縁部分と、を含む第2絶縁領域と、
前記第1絶縁領域と前記第2絶縁領域とを接続し、前記第1方向に垂直であり前記第2方向及び前記第3方向に交差する第4方向において前記第2半導体領域と前記第3電極領域との間に設けられた第5絶縁部分と、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第3電極領域との間に設けられた第6絶縁部分と、を含む第3絶縁領域と、
を含む第1絶縁部と、
前記第2方向及び前記第3方向において、前記第1半導体領域及び前記第3電極と並ぶ第4電極と、
前記第2方向及び前記第3方向において、前記第4電極と前記第1半導体領域との間及び前記第4電極と前記第3電極との間に設けられた第2絶縁部と、
前記第2方向、前記第3方向、及び前記第4方向において、前記第3絶縁領域と前記第2絶縁部との間に設けられ、前記第2電極と前記第2半導体領域とを電気的に接続する接続部と、
を備え、
前記接続部は、前記第2方向、前記第3方向、及び前記第4方向において前記第3絶縁領域と前記第2絶縁部との間に位置する第1接続部と、前記第4方向において前記第3絶縁領域と前記第1接続部との間に位置する第2接続部と、を有する、半導体装置。
続きを表示(約 1,300 文字)
【請求項2】
前記第2接続部は、前記第3絶縁領域に接し、
前記第3電極領域の上端は、前記第2接続部の下端よりも下方に位置する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第2接続部は、前記第3絶縁領域と離隔し、
前記第3電極領域の上端は、前記第2接続部の下端よりも上方に位置する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
第1電極と、
前記第1電極の上に設けられた第1導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上に設けられた前記第1導電形の第3半導体領域と、
前記第3半導体領域の上に設けられ、前記第3半導体領域と電気的に接続された第2電極と、
前記第1電極から前記第2電極に向かう第1方向に垂直な第2方向に沿って延び、前記第1方向に垂直であり前記第2方向に交差する第3方向において前記第2半導体領域と並ぶ第1電極領域と、
前記第3方向に沿って延び、前記第2方向において前記第2半導体領域と並ぶ第2電極領域と、
前記第1電極領域と前記第2電極領域とを接続する第3電極領域と、
を含む第3電極と、
前記第3方向において前記第2半導体領域と前記第1電極領域との間に設けられた第1絶縁部分と、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第1電極領域との間に設けられた第2絶縁部分と、を含む第1絶縁領域と、
前記第2方向において前記第2半導体領域と前記第2電極領域との間に設けられた第3絶縁部分と、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第2電極領域との間に設けられた第4絶縁部分と、を含む第2絶縁領域と、
前記第1絶縁領域と前記第2絶縁領域とを接続し、前記第1方向に垂直であり前記第2方向及び前記第3方向に交差する第4方向において前記第2半導体領域と前記第3電極領域との間に設けられた第5絶縁部分と、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第3電極領域との間に設けられた第6絶縁部分と、を含む第3絶縁領域と、
を含む第1絶縁部と、
前記第2方向及び前記第3方向において、前記第1半導体領域及び前記第3電極と並ぶ第4電極と、
前記第2方向及び前記第3方向において、前記第4電極と前記第1半導体領域との間及び前記第4電極と前記第3電極との間に設けられた第2絶縁部と、
前記第2方向、前記第3方向、及び前記第4方向において、前記第3絶縁領域と前記第2絶縁部との間に設けられ、前記第2電極と前記第2半導体領域とを電気的に接続する接続部と、
を備え、
前記第4方向における前記接続部の幅は、前記第2方向における前記接続部の幅及び前記第3方向における前記接続部の幅よりも大きい、半導体装置。
【請求項5】
前記第6絶縁部分の下に設けられた前記第2導電形の第4半導体領域をさらに備えた、請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第6絶縁部分の下端は、前記第2絶縁部分の下端及び前記第4絶縁部分の下端よりも下方に位置する、請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 4,400 文字)
【背景技術】
【0002】
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの半導体装置は、電力変換等に用いられる。半導体装置において、アバランシェ耐量を向上することが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-40105号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明が解決しようとする課題は、アバランシェ耐量を向上できる半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る半導体装置は、第1電極と、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、前記第1導電形の第3半導体領域と、第2電極と、第3電極と、第1絶縁部と、第4電極と、第2絶縁部と、接続部と、を備える。前記第1半導体領域は、前記第1電極の上に設けられる。前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域の上に設けられる。前記第3半導体領域は、前記第2半導体領域の上に設けられる。前記第2電極は、前記第3半導体領域の上に設けられる。前記第2電極は、前記第3半導体領域と電気的に接続される。前記第3電極は、第1電極領域と、第2電極領域と、第3電極領域と、を含む。前記第1電極領域は、第2方向に沿って延びる。前記第2方向は、前記第1電極から前記第2電極に向かう第1方向に垂直である。前記第1電極領域は、第3方向において前記第2半導体領域と並ぶ。前記第3方向は、前記第1方向に垂直であり前記第2方向に交差する。前記第2電極領域は、前記第3方向に沿って延びる。前記第2電極領域は、前記第2方向において前記第2半導体領域と並ぶ。前記第3電極領域は、前記第1電極領域と前記第2電極領域とを接続する。前記第1絶縁部は、第1絶縁領域と、第2絶縁領域と、第3絶縁領域と、を含む。前記第1絶縁領域は、第1絶縁部分と、第2絶縁部分と、を含む。前記第1絶縁部分は、前記第3方向において前記第2半導体領域と前記第1電極領域との間に設けられる。前記第2絶縁部分は、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第1電極領域との間に設けられる。前記第2絶縁領域は、第3絶縁部分と、第4絶縁部分と、を含む。前記第3絶縁部分は、前記第2方向において前記第2半導体領域と前記第2電極領域との間に設けられる。前記第4絶縁部分は、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第2電極領域との間に設けられる。前記第3絶縁領域は、前記第1絶縁領域と前記第2絶縁領域とを接続する。前記第3絶縁領域は、第5絶縁部分と、第6絶縁部分と、を含む。前記第5絶縁部分は、第4方向において前記第2半導体領域と前記第3電極領域との間に設けられる。前記第4方向は、前記第1方向に垂直であり前記第2方向及び前記第3方向に交差する。前記第6絶縁部分は、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第3電極領域との間に設けられる。前記第4電極は、前記第2方向及び前記第3方向において、前記第1半導体領域及び前記第3電極と並ぶ。前記第2絶縁部は、前記第2方向及び前記第3方向において、前記第4電極と第1半導体領域との間及び前記第4電極と前記第3電極との間に設けられる。前記接続部は、前記第2方向、前記第3方向、及び前記第4方向において、前記第3絶縁領域と前記第2絶縁部との間に設けられる。前記接続部は、前記第2電極と前記第2半導体領域とを電気的に接続する。前記接続部は、第1接続部と、第2接続部と、を有する。前記第1接続部は、前記第2方向、前記第3方向、及び前記第4方向において、前記第3絶縁領域と前記第2絶縁部との間に位置する。前記第2接続部は、前記第4方向において、前記第3絶縁領域と前記第1接続部との間に位置する。
【0006】
実施形態に係る半導体装置は、第1電極と、第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、前記第1導電形の第3半導体領域と、第2電極と、第3電極と、第1絶縁部と、第4電極と、第2絶縁部と、接続部と、を備える。前記第1半導体領域は、前記第1電極の上に設けられる。前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域の上に設けられる。前記第3半導体領域は、前記第2半導体領域の上に設けられる。前記第2電極は、前記第3半導体領域の上に設けられる。前記第2電極は、前記第3半導体領域と電気的に接続される。前記第3電極は、第1電極領域と、第2電極領域と、第3電極領域と、を含む。前記第1電極領域は、第2方向に沿って延びる。前記第2方向は、前記第1電極から前記第2電極に向かう第1方向に垂直である。前記第1電極領域は、第3方向において前記第2半導体領域と並ぶ。前記第3方向は、前記第1方向に垂直であり前記第2方向に交差する。前記第2電極領域は、前記第3方向に沿って延びる。前記第2電極領域は、前記第2方向において前記第2半導体領域と並ぶ。前記第3電極領域は、前記第1電極領域と前記第2電極領域とを接続する。前記第1絶縁部は、第1絶縁領域と、第2絶縁領域と、第3絶縁領域と、を含む。前記第1絶縁領域は、第1絶縁部分と、第2絶縁部分と、を含む。前記第1絶縁部分は、前記第3方向において前記第2半導体領域と前記第1電極領域との間に設けられる。前記第2絶縁部分は、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第1電極領域との間に設けられる。前記第2絶縁領域は、第3絶縁部分と、第4絶縁部分と、を含む。前記第3絶縁部分は、前記第2方向において前記第2半導体領域と前記第2電極領域との間に設けられる。前記第4絶縁部分は、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第2電極領域との間に設けられる。前記第3絶縁領域は、前記第1絶縁領域と前記第2絶縁領域とを接続する。前記第3絶縁領域は、第5絶縁部分と、第6絶縁部分と、を含む。前記第5絶縁部分は、第4方向において前記第2半導体領域と前記第3電極領域との間に設けられる。前記第4方向は、前記第1方向に垂直であり前記第2方向及び前記第3方向に交差する。前記第6絶縁部分は、前記第1方向において前記第1半導体領域と前記第3電極領域との間に設けられる。前記第4電極は、前記第2方向及び前記第3方向において、前記第1半導体領域及び前記第3電極と並ぶ。前記第2絶縁部は、前記第2方向及び前記第3方向において、前記第4電極と第1半導体領域との間及び前記第4電極と前記第3電極との間に設けられる。前記接続部は、前記第2方向、前記第3方向、及び前記第4方向において、前記第3絶縁領域と前記第2絶縁部との間に設けられる。前記接続部は、前記第2電極と前記第2半導体領域とを電気的に接続する。前記第4方向における前記接続部の幅は、前記第2方向における前記接続部の幅及び前記第3方向における前記接続部の幅よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【0007】
第1実施形態に係る半導体装置を表す平面図である。
第1実施形態に係る半導体装置の一部を表す平面図である。
第1実施形態に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
第1実施形態に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
第1実施形態に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
第1実施形態の第2変形例に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
第1実施形態の第3変形例に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
第2実施形態に係る半導体装置の一部を表す平面図である。
第2実施形態に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
第3実施形態に係る半導体装置の一部を表す平面図である。
第3実施形態に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
第4実施形態に係る半導体装置の一部を表す平面図である。
第4実施形態に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
図15(a)~図15(h)は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を表す断面図である。
図16(a)~図16(h)は、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
以下の説明及び図面において、n
+
、n
-
及びp
+
、pの表記は、各不純物濃度の相対的な高低を表す。すなわち、「+」が付されている表記は、「+」及び「-」のいずれも付されていない表記よりも不純物濃度が相対的に高く、「-」が付されている表記は、いずれも付されていない表記よりも不純物濃度が相対的に低いことを示す。これらの表記は、それぞれの領域にp形不純物とn形不純物の両方が含まれている場合には、それらの不純物が補償しあった後の正味の不純物濃度の相対的な高低を表す。
以下で説明する各実施形態について、各半導体領域のp形とn形を反転させて各実施形態を実施してもよい。
【0009】
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る半導体装置を表す平面図である。
図2は、第1実施形態に係る半導体装置の一部を表す平面図である。
図3~図5は、第1実施形態に係る半導体装置の一部を表す断面図である。
図2は、図1に示した領域IIを表している。
図3は、図2に示したIII-III線による断面図である。
図4は、図2に示したIV-IV線による断面図である。
図5は、図2に示したV-V線による断面図である。
【0010】
第1実施形態に係る半導体装置100は、縦型のMOSFETである。半導体装置100は、いわゆるドットFP構造のMOSFETである。
(【0011】以降は省略されています)
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