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公開番号2025043929
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-01
出願番号2023151535
出願日2023-09-19
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250325BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の信頼性を向上する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、各々が第1ノードに接続される第1端、及び第2ノードに接続される第2端を有する、少なくとも1個以上の第1トランジスタ、及び少なくとも1個以上の第2トランジスタと、各々が第2ノードに接続される第1端、及び第3ノードに接続される第2端を有する、少なくとも1個以上の第3トランジスタ、及び少なくとも1個以上の第4トランジスタと、少なくとも1個以上の第1トランジスタのゲート端及び第2ノードの間に設けられる第5トランジスタと、少なくとも1個以上の第2トランジスタのゲート端及び第2ノードの間に設けられる第6トランジスタと、少なくとも1個以上の第3トランジスタのゲート端及び第3ノードの間に設けられる第7トランジスタと、少なくとも1個以上の第4トランジスタのゲート端及び第3ノードの間に設けられる第8トランジスタと、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
各々が第１ノードに接続される第１端、及び第２ノードに接続される第２端を有する、少なくとも１個以上の第１トランジスタ、及び少なくとも１個以上の第２トランジスタと、
各々が前記第２ノードに接続される第１端、及び第３ノードに接続される第２端を有する、少なくとも１個以上の第３トランジスタ、及び少なくとも１個以上の第４トランジスタと、
前記少なくとも１個以上の第１トランジスタに対応して設けられ、前記少なくとも１個以上の第１トランジスタのゲート端に接続される第１端、及び前記第２ノードに接続される第２端を有する第５トランジスタと、
前記少なくとも１個以上の第２トランジスタに対応して設けられ、前記少なくとも１個以上の第２トランジスタのゲート端に接続される第１端、及び前記第２ノードに接続される第２端を有する第６トランジスタと、
前記少なくとも１個以上の第３トランジスタに対応して設けられ、前記少なくとも１個以上の第３トランジスタのゲート端に接続される第１端、及び前記第３ノードに接続される第２端を有する第７トランジスタと、
前記少なくとも１個以上の第４トランジスタに対応して設けられ、前記少なくとも１個以上の第４トランジスタのゲート端に接続される第１端、及び前記第３ノードに接続される第２端を有する第８トランジスタと、
を備える、半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記半導体装置は、
前記少なくとも１個以上の第１トランジスタ、及び前記少なくとも１個以上の第２トランジスタをそれぞれ複数個含む、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第５トランジスタの第２端は、前記少なくとも１個以上の第１トランジスタの各々の前記第２端に複数の第１導電体を介して電気的に接続され、
前記第６トランジスタの第２端は、前記少なくとも１個以上の第２トランジスタの各々の前記第２端に複数の第２導電体を介して電気的に接続される、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の第１導電体の長さの平均値と、前記複数の第２導電体の長さの平均値とは、略同等である、
請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数の第１導電体、及び前記複数の第２導電体の各々は、ワイヤ、リボン、又はリードフレームである、
請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体装置は、
前記少なくとも１個以上の第３トランジスタ、及び前記少なくとも１個以上の第４トランジスタをそれぞれ複数個含む、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第７トランジスタの第２端は、前記少なくとも１個以上の第３トランジスタの各々の前記第２端に複数の第１導電体を介して電気的に接続され、
前記第８トランジスタの第２端は、前記少なくとも１個以上の第４トランジスタの各々の前記第２端に複数の第２導電体を介して電気的に接続される、
請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記複数の第１導電体の長さの平均値と、前記複数の第２導電体の長さの平均値とは、略同等である、
請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１トランジスタ、及び前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、及び前記第４トランジスタの各々は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）を用いたＭＯＳトランジスタ、シリコン（Ｓｉ）を用いたＭＯＳトランジスタ、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）を用いたＩＧＢＴ、シリコン（Ｓｉ）を用いたＩＧＢＴ、又は窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いたトランジスタである、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第５トランジスタ、前記第６トランジスタ、前記第７トランジスタ、及び前記第８トランジスタの各々は、シリコン（Ｓｉ）を用いたＭＯＳトランジスタ、又は窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いたトランジスタであり、縦型のトランジスタ、又は横型のトランジスタである、
請求項１記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
高出力を実現する半導体装置として、パワーモジュールが知られている。パワーモジュールは、複数のパワー半導体素子が搭載された１個のパッケージとして構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第７１５７０４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置の信頼性を向上する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、各々が第１ノードに接続される第１端、及び第２ノードに接続される第２端を有する、少なくとも１個以上の第１トランジスタ、及び少なくとも１個以上の第２トランジスタと、各々が上記第２ノードに接続される第１端、及び第３ノードに接続される第２端を有する、少なくとも１個以上の第３トランジスタ、及び少なくとも１個以上の第４トランジスタと、上記少なくとも１個以上の第１トランジスタに対応して設けられ、上記少なくとも１個以上の第１トランジスタのゲート端に接続される第１端、及び上記第２ノードに接続される第２端を有する第５トランジスタと、上記少なくとも１個以上の第２トランジスタに対応して設けられ、上記少なくとも１個以上の第２トランジスタのゲート端に接続される第１端、及び上記第２ノードに接続される第２端を有する第６トランジスタと、上記少なくとも１個以上の第３トランジスタに対応して設けられ、上記少なくとも１個以上の第３トランジスタのゲート端に接続される第１端、及び上記第３ノードに接続される第２端を有する第７トランジスタと、上記少なくとも１個以上の第４トランジスタに対応して設けられ、上記少なくとも１個以上の第４トランジスタのゲート端に接続される第１端、及び上記第３ノードに接続される第２端を有する第８トランジスタと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態に係る半導体装置の回路構成の一例を示す回路図。
実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図。
実施形態に係る半導体装置の断面構造の一例を示す、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図。
第１変形例に係る半導体装置の構成を示す平面図。
第２変形例に係る半導体装置の構成を示す平面図。
第３変形例に係る半導体装置の構成を示す平面図。
第３変形例に係る半導体装置の断面構造の一例を示す、図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った断面図。
第４変形例に係る半導体装置の構成を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。図面の寸法及び比率は、必ずしも現実のものと同一とは限らない。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付す。同様の構成を有する要素同士を特に区別する場合、同一符号の末尾に、互いに異なる文字又は数字を付加する場合がある。
【０００８】
１実施形態
実施形態に係る半導体装置について説明する。
【０００９】
実施形態に係る半導体装置は、パワーモジュールである。実施形態に係る半導体装置は、例えば、鉄道車両用の電力変換装置、又は再生可能エネルギー発電システム用の産業用機器等に適用される。
【００１０】
実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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