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公開番号
2025043984
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-04-01
出願番号
2023151620
出願日
2023-09-19
発明の名称
半導体装置
出願人
株式会社東芝
,
東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人
弁理士法人iX
主分類
H10D
30/66 20250101AFI20250325BHJP()
要約
【課題】特性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1~第3電極、第1~第4半導体部材、及び、第1絶縁部材を含む。第1半導体部材は、第1、第2電極の間に設けられ、第1導電形である。第1半導体部材は、第1~第3部分領域を含む。第1部分領域から第2部分領域への第2方向は、第1電極から第2電極への第1方向と交差する。第1部分領域から第3部分領域への方向は、第1方向に沿う。第2半導体部材は、第2導電形である。第2半導体部材は、第1、第2半導体領域を含む。第3半導体部材は、第1導電形である。第2半導体領域は、第1方向において第2部分領域と第4半導体部材との間に設けられる。第4半導体部材は、第1導電形である、または、第2導電形の不純物を含まない。第3部分領域は、第1方向において、第1部分領域と第3電極との間に設けられる。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、
第1部分領域、第2部分領域及び第3部分領域を含み、
前記第1部分領域から前記第2部分領域への第2方向は、前記第1電極から前記第2電極への第1方向と交差し、前記第1部分領域から前記第3部分領域への方向は、前記第1方向に沿う、第1導電形の第1半導体部材と、
第1半導体領域と第2半導体領域とを含む第2導電形の第2半導体部材と、
前記第2方向において、前記第3部分領域との間に前記第1半導体領域が位置するように設けられ、且つ前記第2電極と電気的に接続された、前記第1導電形の第3半導体部材と、
前記第1方向において前記第2部分領域との間に前記第2半導体領域が位置するように設けられ、前記第2電極と電気的に接続され、前記第1導電形である、または、前記第2導電形の不純物を含まない、第4半導体部材と、
前記第1方向において、前記第1部分領域との間に前記第3部分領域が位置するように設けられた第3電極と、
前記第3部分領域と前記第3電極との間に設けられた第1絶縁領域を含む第1絶縁部材と、
を有する半導体装置。
続きを表示(約 2,100 文字)
【請求項2】
前記第2導電形の第5半導体部材をさらに備え、
前記第5半導体部材の少なくとも一部は、前記第1方向において、前記第2部分領域と前記第2電極との間に設けられ、
前記第5半導体部材における前記第2導電形の第5不純物濃度は、前記第2半導体部材における前記第2導電形の第2不純物濃度よりも高い、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、
第1部分領域、第2部分領域及び第3部分領域を含み、
前記第1部分領域から前記第2部分領域への第2方向は、前記第1電極から前記第2電極への第1方向と交差し、前記第1部分領域から前記第3部分領域への方向は、前記第1方向に沿う、第1導電形の第1半導体部材と、
第1半導体領域と第2半導体領域とを含む第2導電形の第2半導体部材と、
前記第2方向において、前記第3部分領域との間に前記第1半導体領域が位置するように設けられ、且つ前記第2電極と電気的に接続された、前記第1導電形の第3半導体部材と、
前記第1方向において前記第2部分領域との間に前記第2半導体領域が位置するように設けられ、前記第2電極と電気的に接続された、前記前記第2導電形の第4半導体部材と、
前記第2導電形の第5半導体部材であって、前記第5半導体部材の少なくとも一部は、前記第1方向において、前記第2部分領域と前記第2電極との間に設けられ、前記第5半導体部材における前記第2導電形の第5不純物濃度は、前記第2半導体部材における前記第2導電形の第2不純物濃度よりも高く、前記第4半導体部材の前記第2導電形の第4不純物濃度よりも高い、前記第5半導体部材と、
前記第1方向において、前記第1部分領域との間に前記第3部分領域が位置するように設けられた第3電極と、
前記第3部分領域と前記第3電極との間に設けられた第1絶縁領域を含む第1絶縁部材と、
を有する半導体装置。
【請求項4】
シリサイドを含む第1導電層をさらに備え、
前記第1導電層は、前記第4半導体部材と前記第2電極との間、及び、前記第3半導体部材と前記第2電極との間に設けられ、
前記第1導電層の少なくとも一部は、前記第2方向において、前記第5半導体部材の一部と、前記第5半導体部材の別の一部と、の間に設けられた、請求項2に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1半導体部材は、第4部分領域及び第5部分領域をさらに含み、
前記第1部分領域から前記第4部分領域への方向は、前記第1方向と交差し、
前記第4部分領域から前記第5部分領域への方向は、前記第1方向に沿い、
前記第5部分領域は、前記第2電極とショットキー接触する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第3電極は、第3方向に沿って延び、
前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差し、
前記第4半導体部材は、前記第3方向に沿って延びる、請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第3電極は、第3方向に沿って延び、
前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差し、
複数の前記第4半導体部材が設けられ、
前記複数の第4半導体部材の1つから前記複数の第4半導体部材の別の1つへの方向は、前記第3方向に沿い、
前記複数の第4半導体部材の前記1つと、前記複数の第4半導体部材の前記別の1つと、の間に、前記第5半導体部材の一部が設けられた、請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第3電極は、第3方向に沿って延び、
前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差し、
複数の前記第4半導体部材が設けられ、
前記複数の第4半導体部材の1つから前記複数の第4半導体部材の別の1つへの方向は、前記第2方向に沿い、
前記複数の第4半導体部材の前記1つと、前記複数の第4半導体部材の前記別の1つと、の間に、前記第5半導体部材の一部が設けられた、
請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項9】
複数の前記第4半導体部材が設けられ、
前記複数の第4半導体部材は、前記第2方向及び第3方向に沿って並び、
前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差し、
前記複数の第4半導体部材の間に前記第5半導体部材の一部が設けられた、請求項2~4のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第1半導体部材、前記第2半導体部材、前記第3半導体部材及び前記第4半導体部材は、SiCを含む、請求項1に記載の半導体装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)
【背景技術】
【0002】
例えば、半導体装置において、特性の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2023-45865号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
実施形態は、特性を向上できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態によれば、半導体装置は、第1電極、第2電極、第3電極、第1導電形の第1半導体部材、第2導電形の第2半導体部材、前記第1導電形の第3半導体部材、第4半導体部材、及び、第1絶縁部材を有する。前記第1半導体部材は、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、第1部分領域、第2部分領域及び第3部分領域を含む。前記第1部分領域から前記第2部分領域への第2方向は、前記第1電極から前記第2電極への第1方向と交差する。前記第1部分領域から前記第3部分領域への方向は、前記第1方向に沿う。前記第2半導体部材は、第1半導体領域と第2半導体領域とを含む。前記第3半導体部材は、前記第2方向において、前記第3部分領域との間に前記第1半導体領域が位置するように設けられ、且つ前記第2電極と電気的に接続される。前記第4半導体部材は、前記第1方向において前記第2部分領域との間に前記第2半導体領域が位置するように設けられる。前記第4半導体部材は、前記第2電極と電気的に接続され、前記第1導電形である、または、前記第2導電形の不純物を含まない。前記第3電極は、前記第1方向において、前記第1部分領域との間に前記第3部分領域が位置するように設けられる。前記第1絶縁部材は、前記第3部分領域と前記第3電極との間に設けられた第1絶縁領域を含む。
【図面の簡単な説明】
【0006】
図1は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図2は、第1実施形態に係る半導体装置の一部を例示する模式的平面図である。
図3は、第1実施形態に係る半導体装置の一部を例示する模式的平面図である。
図4は、第1実施形態に係る半導体装置の一部を例示する模式的平面図である。
図5は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図6は、第3実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0008】
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図1に示すように、実施形態に係る半導体装置110は、第1電極51、第2電極52、第3電極53、第1半導体部材11、第2半導体部材12、第3半導体部材13、第4半導体部材14及び第1絶縁部材41を含む。第1半導体部材11、第2半導体部材12、第3半導体部材13及び第4半導体部材14は、半導体層11Sに含まれて良い。
【0009】
第1電極51から第2電極52への第1方向D1をZ軸方向とする。Z軸方向に対して垂直な1つの方向をX軸方向とする。Z軸方向及びX軸方向に対して垂直な方向をY軸方向とする。
【0010】
第1半導体部材11は、第1電極51と第2電極52との間に設けられる。第1半導体部材11は、第1導電形である。第1半導体部材11は、第1部分領域11a、第2部分領域11b及び第3部分領域11cを含む。第1部分領域11aから第2部分領域11bへの第2方向D2は、第1電極51から第2電極52への第1方向D1と交差する。第2方向D2は、例えば、X軸方向で良い。
(【0011】以降は省略されています)
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