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公開番号2025049894
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023158386
出願日2023-09-22
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250327BHJP()
要約【課題】リーク電流を低減可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第1電極と、前記第1電極上に設けられた半導体部分と、前記半導体部分内に設けられた絶縁部材と、前記半導体部分上の一部に設けられた第1絶縁膜と、前記半導体部分上の他の一部に設けられ、前記第1絶縁膜よりも厚い第2絶縁膜と、前記絶縁部材内に設けられた第2電極と、前記第2電極に接続され、前記絶縁部材上及び前記第2絶縁膜上に設けられ、前記第1絶縁膜上には設けられていない第1配線と、前記半導体部分上、前記絶縁部材上、及び、前記第1絶縁膜上に設けられた第3電極と、を備える。
【選択図】図4

特許請求の範囲【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極上に設けられた半導体部分と、
前記半導体部分内に設けられた絶縁部材と、
前記半導体部分上の一部に設けられた第１絶縁膜と、
前記半導体部分上の他の一部に設けられ、前記第１絶縁膜よりも厚い第２絶縁膜と、
前記絶縁部材内に設けられた第２電極と、
前記第２電極に接続され、前記絶縁部材上及び前記第２絶縁膜上に設けられ、前記第１絶縁膜上には設けられていない第１配線と、
前記半導体部分上、前記絶縁部材上、及び、前記第１絶縁膜上に設けられた第３電極と、
を備えた半導体装置。
続きを表示（約 960 文字）【請求項２】
前記絶縁部材内に設けられ、前記第２電極から絶縁され、前記第３電極に接続された第４電極をさらに備えた請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁部材は第１方向に延び、
前記絶縁部材内において、前記第２電極と前記第４電極は前記第１方向に直交する第２方向に沿って配列されており、
前記第１方向及び前記第２方向は、前記第１電極から前記第３電極に向かう第３方向に対して交差している請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２絶縁膜は前記第１絶縁膜に対して、前記絶縁部材の終端側に位置する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁部材は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜に接している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体部分は、
前記第１電極に接続された第１導電型の第１半導体層と、
前記第１半導体層上の一部に設けられ、前記絶縁部材を介して前記第２電極に対向した第２導電型の第２半導体層と、
前記第２半導体層上の一部に設けられ、前記第３電極に接続された第１導電型の第３半導体層と、
を有する請求項１～５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
上方から見て、前記第２半導体層は前記第１配線から離れている請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体部分はシリコンを含み、
前記絶縁部材、前記第１絶縁膜、及び、前記第２絶縁膜は、酸化シリコンを含む請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１電極と、
前記第１電極上に設けられた第１導電型の第１半導体層と、
前記第１半導体層上の一部に設けられた第２導電型の第２半導体層と、
前記第２半導体層上の一部に設けられた第１導電型の第３半導体層と、
絶縁部材を介して前記第２半導体層に対向する第２電極と、
前記第１半導体層上に設けられ、前記第２電極に接続され、上方から見て前記第２半導体層から離れた第１配線と、
前記第３半導体層及び前記第２電極に接続された第３電極と、
を備えた半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
縦型の電力制御用半導体装置において、トレンチ内にゲート電極を配置する場合がある。このような半導体装置において、オフ状態時のリーク電流の低減が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１８５５９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態の目的は、リーク電流を低減可能な半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、第１電極と、前記第１電極上に設けられた半導体部分と、前記半導体部分内に設けられた絶縁部材と、前記半導体部分上の一部に設けられた第１絶縁膜と、前記半導体部分上の他の一部に設けられ、前記第１絶縁膜よりも厚い第２絶縁膜と、前記絶縁部材内に設けられた第２電極と、前記第２電極に接続され、前記絶縁部材上及び前記第２絶縁膜上に設けられ、前記第１絶縁膜上には設けられていない第１配線と、前記半導体部分上、前記絶縁部材上、及び、前記第１絶縁膜上に設けられた第３電極と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図２は、図１に示すＡ－Ａ’線による断面図である。
図３は、図１に示すＢ－Ｂ’線による断面図である。
図４は、図１に示すＣ－Ｃ’線による断面図である。
図５は、図１に示すＤ－Ｄ’線による断面図である。
図６は、図１に示すＥ－Ｅ’線による断面図である。
図７は、図１に示すＦ－Ｆ’線による断面図である。
図８は、図１に示すＧ－Ｇ’線による断面図である。
図９は、比較例に係る半導体装置を示す平面図である。
図１０は、図９に示すＨ－Ｈ’線による断面図である。
図１１は、図９に示すＩ－Ｉ’線による断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
＜実施形態＞
図１は、本実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図２は、図１に示すＡ－Ａ’線による断面図である。
図３は、図１に示すＢ－Ｂ’線による断面図である。
図４は、図１に示すＣ－Ｃ’線による断面図である。
図５は、図１に示すＤ－Ｄ’線による断面図である。
図６は、図１に示すＥ－Ｅ’線による断面図である。
図７は、図１に示すＦ－Ｆ’線による断面図である。
図８は、図１に示すＧ－Ｇ’線による断面図である。
なお、各図は模式的なものであり、適宜強調又は簡略化されている。また、同じ構成要素を表す場合であっても、図間で位置や寸法比が厳密に一致しているとは限らない。
【０００８】
図１～図８に示すように、本実施形態に係る半導体装置１においては、セル領域Ｒｃ、引出領域Ｒｄ、終端領域Ｒｅが設定されている。終端領域Ｒｅは半導体装置１の端縁１ｅに沿って枠状に配置されている。セル領域Ｒｃは終端領域Ｒｅに囲まれている。引出領域Ｒｄは終端領域Ｒｅとセル領域Ｒｃの間の領域の一部に配置されている。
【０００９】
半導体装置１においては、ドレイン電極１１（第１電極）、半導体部分２０、ゲート電極１２（第２電極）、ＦＰ（フィールドプレート）電極１３（第４電極）、ソース電極１４（第３電極）、ゲート引出配線１５（第１配線）、ＦＰ引出配線１６、終端導電膜１７、ゲート配線１８、ＦＰ配線１９、絶縁部材３１、絶縁薄膜３２（第１絶縁膜）、絶縁厚膜３３（第２絶縁膜）、層間絶縁膜３４が設けられている。
【００１０】
なお、図１においては、半導体部分２０、ゲート電極１２、ＦＰ電極１３、ゲート引出配線１５、ＦＰ引出配線１６、終端導電膜１７、絶縁部材３１、絶縁薄膜３２、及び、絶縁厚膜３３を図示し、ソース電極１４、ゲート配線１８、ＦＰ配線１９、及び、層間絶縁膜３４は図示を省略している。また、図１においては、図示の左側に半導体装置１の端縁１ｅがあり、図示の右側に向かって、終端領域Ｒｅ、引出領域Ｒｄ、セル領域Ｒｃが配置された領域を示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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