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公開番号2025018710
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-06
出願番号2023122673
出願日2023-07-27
発明の名称発光装置の製造方法、及び剥離方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H10H 20/85 20250101AFI20250130BHJP()
要約【課題】剥離不良の発生を低減できる発光装置の製造方法及び剥離方法を提供する。
【解決手段】基板10と、基板10に積層された半導体層20と、を有し、平面視において、外周領域31と、外周領域31の内側に位置する中央領域32と、を有する積層体30を準備する工程と、積層体30にレーザ光62を照射して半導体層20から基板10を剥離する工程と、を備え、剥離する工程において、中央領域32及び外周領域31にレーザ光62を同時に照射し、中央領域32に照射されるレーザ光62の照射強度は、外周領域31に照射されるレーザ光62の照射強度よりも高い、発光装置50の製造方法。
【選択図】図6

特許請求の範囲【請求項１】
基板と、前記基板に積層された半導体層と、を有し、平面視において、外周領域と、前記外周領域の内側に位置する中央領域と、を有する積層体を準備する工程と、
前記積層体にレーザ光を照射して前記半導体層から前記基板を剥離する工程と、
を備え、
前記剥離する工程において、前記中央領域及び前記外周領域に前記レーザ光を同時に照射し、
前記中央領域に照射される前記レーザ光の照射強度は、前記外周領域に照射される前記レーザ光の照射強度よりも高い、発光装置の製造方法。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記剥離する工程において、
前記積層体における前記レーザ光が照射される側に、前記外周領域に対応する第１領域と、前記中央領域に対応する第２領域と、を有するマスクを配置し、
前記第１領域及び前記第２領域に前記レーザ光を同じ照射強度で照射し、
前記第２領域を透過し前記中央領域に照射される前記レーザ光の照射強度は、前記第１領域を透過し前記外周領域に照射される前記レーザ光の照射強度よりも高い、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記マスクは、前記第１領域に位置し、前記レーザ光を遮断する１つ以上の第１遮光部を有する、請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記マスクは、前記第１領域に位置し、前記レーザ光を遮断する複数の前記第１遮光部と、前記第２領域に位置し、前記レーザ光を遮断する複数の第２遮光部と、を有し、
前記第１遮光部及び前記第２遮光部は、平面視で同じ大きさであり、
隣接する前記第２遮光部の間隔は、隣接する前記第１遮光部の間隔よりも広い、請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記マスクは、前記積層体に対向する第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を有する透光性部材を有し、
前記第１遮光部及び前記第２遮光部は、前記第１面に配置される、請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記積層体は、前記基板に配置され、互いに離隔する複数の前記半導体層を有し、
前記剥離する工程において、前記積層体における複数の前記半導体層を含む領域に前記レーザ光を同時に照射する、請求項１～５のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記積層体は、平面視において、前記中央領域と前記外周領域との間に位置する中間領域を有し、
前記マスクは、平面視において、前記中間領域に対応する第３領域を有し、
前記剥離する工程において、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域に前記レーザ光を同じ照射強度で照射し、
前記第２領域を透過し前記中央領域に照射される前記レーザ光の照射強度は、前記第３領域を透過し前記中間領域に照射される前記レーザ光の照射強度よりも高く、
前記第３領域を透過し前記中間領域に照射される前記レーザ光の照射強度は、前記第１領域を透過し前記外周領域に照射される前記レーザ光の照射強度よりも高い、請求項２～５のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記剥離する工程の後に、配線基板に前記半導体層を実装する工程をさらに備え、
前記実装する工程において、前記半導体層の前記基板から剥離した面とは反対側の面が前記配線基板の上面に対向するように、前記半導体層を実装する、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
基板と、前記基板に積層された半導体層と、を有し、平面視において、外周領域と、前記外周領域の内側に位置する中央領域と、を有する積層体に対して、レーザ光を照射して前記半導体層から前記基板を剥離する方法であって、
前記中央領域及び前記外周領域に前記レーザ光を同時に照射し、
前記中央領域に照射される前記レーザ光の照射強度は、前記外周領域に照射される前記レーザ光の照射強度よりも高い、剥離方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、発光装置の製造方法、及び剥離方法に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
発光装置を製造する際に、半導体層から基板を剥離することが知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－４２１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、歩留まりを向上できる発光装置の製造方法及び剥離方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法は、基板と、前記基板に積層された半導体層と、を有し、平面視において、外周領域と、前記外周領域の内側に位置する中央領域と、を有する積層体を準備する工程と、前記積層体にレーザ光を照射して前記半導体層から前記基板を剥離する工程と、を備える。前記剥離する工程において、前記中央領域及び前記外周領域に前記レーザ光を同時に照射する。前記中央領域に照射される前記レーザ光の照射強度は、前記外周領域に照射される前記レーザ光の照射強度よりも高い。
【０００６】
本発明の一実施形態に係る剥離方法は、基板と、前記基板に積層された半導体層と、を有し、平面視において、外周領域と、前記外周領域の内側に位置する中央領域と、を有する積層体に対して、レーザ光を照射して前記半導体層から前記基板を剥離する方法である。前記中央領域及び前記外周領域に前記レーザ光を同時に照射する。前記中央領域に照射される前記レーザ光の照射強度は、前記外周領域に照射される前記レーザ光の照射強度よりも高い。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、歩留まりを向上できる発光装置の製造方法及び剥離方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態に係る発光装置の製造方法の積層体を示す模式平面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法の準備する工程を示す模式断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法の剥離する工程を示す模式断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法の支持する工程を示す模式断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法の除去する工程を示す模式断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法の切断する工程を示す模式断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法の実装する工程を示す模式断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法の配置する工程を示す模式断面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法に用いられるマスクを示す模式平面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法に用いられるマスクの一部を示す模式拡大平面図である。
実施形態に係る発光装置の製造方法に用いられるマスクの一部を示す模式拡大断面図である。
実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法の積層体を示す模式平面図である。
実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法に用いられるマスクを示す模式平面図である。
実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法に用いられるマスクの一部を示す模式拡大平面図である。
実施形態の他の変形例に係る発光装置の製造方法に用いられるマスクの一部を示す模式拡大平面図である。
実施形態の他の変形例に係る発光装置の製造方法に用いられるマスクの一部を示す模式拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１０】
また、以下では、説明をわかりやすくするために、ＸＹＺ直交座標系を用いて、各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交している。またＸ軸が延びる方向を「Ｘ方向」とし、Ｙ軸が延びる方向を「Ｙ方向」とし、Ｚ軸が延びる方向を「Ｚ方向」とする。また、説明をわかりやすくするために、Ｚ方向のうち矢印の方向を上方、その逆方向を下方とするが、これらの方向は、重力方向とは無関係である。また、Ｚ方向に沿う向きで見ることを「平面視」とする。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を用いる場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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