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公開番号2025016573
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-04
出願番号2024187724,2021502075
出願日2024-10-24,2020-02-19
発明の名称製膜方法、製膜装置および電極箔の製造方法
出願人パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人弁理士法人河崎特許事務所
主分類C23C 16/40 20060101AFI20250128BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】金属箔の両方の主面に、効率的に誘電体層を形成する手段を提供する。
【解決手段】第1金属を含む金属箔の一部を1以上の発熱体に接触させて、前記金属箔を加熱する加熱工程と、前記金属箔の一部が支持された状態で、前記金属箔の両面に第2金属を含む第1ガスを接触させる第1接触工程と、前記金属箔の一部が支持された状態で、前記金属箔の前記両面に酸化剤を含む第2ガスを接触させる第2接触工程と、を備える、金属酸化物を含む層の製膜方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１金属を含む金属箔の一部を１以上の発熱体に接触させて、前記金属箔を加熱する加熱工程と、
前記金属箔の一部が支持された状態で、前記金属箔の両面に第２金属を含む第１ガスを接触させる第１接触工程と、
前記金属箔の一部が支持された状態で、前記金属箔の前記両面に酸化剤を含む第２ガスを接触させる第２接触工程と、を備える、金属酸化物を含む層の製膜方法。
続きを表示（約 910 文字）【請求項２】
前記加熱工程は、前記発熱体に対応する位置に配置された押さえ部材で、前記金属箔を前記発熱体に向けて押圧しながら行われる、請求項１に記載の製膜方法。
【請求項３】
前記第１接触工程において、前記金属箔の一部は、前記発熱体により支持されている、請求項１または２に記載の製膜方法。
【請求項４】
前記第２接触工程において、前記金属箔の一部は、発熱体により支持されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の製膜方法。
【請求項５】
前記発熱体は、搬送ロールである、請求項１～４のいずれか一項に記載の製膜方法。
【請求項６】
前記加熱工程では、前記金属箔を２以上の前記発熱体に接触させる、請求項１～５のいずれか一項に記載の製膜方法。
【請求項７】
前記加熱工程と前記第１接触工程とは、同じチャンバの空間内で行われる、請求項１～６のいずれか一項に記載の製膜方法。
【請求項８】
前記第１接触工程の前に、前記金属箔の表面を改質する表面改質工程をさらに備える、請求項１～７のいずれか一項に記載の製膜方法。
【請求項９】
少なくとも１つのチャンバと、
前記チャンバ内の圧力を減圧雰囲気に制御する圧力制御部と、
前記チャンバに第２金属を含む第１ガスを供給する第１供給口と、
前記チャンバに酸化剤を含む第２ガスを供給する第２供給口と、
前記チャンバから前記第１ガスを排出する第１排気口と、
前記チャンバから前記第２ガスを排出する第２排気口と、
前記チャンバ内に配置され、製膜対象物である金属箔の一部に接触して前記金属箔を加熱する、１以上の発熱体と、を備え、
前記第１ガスおよび前記第２ガスは、前記金属箔の両方の主面に接触するように供給される、製膜装置。
【請求項１０】
さらに、前記発熱体に対応する位置に配置され、前記金属箔を前記発熱体に向けて押圧するための押さえ部材を備える、請求項９に記載の製膜装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、原子層堆積法を利用した製膜方法、製膜装置および電極箔の製造方法に関し、金属箔の両面に金属酸化物を含む層（誘電体層）を形成する方法および装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
電解コンデンサの電極箔として用いられる金属箔の表面には、金属酸化物（誘電体）の層が形成されている。特許文献１は、金属箔の主面に、原子層堆積法（ＡＬＤ法）により誘電体層を形成することを教示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１７－１５４４６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
誘電体層は、通常、金属箔の両方の主面に形成される。生産性の観点から、金属箔の両方の主面に、効率的に誘電体層を形成することが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第一の局面は、第１金属を含む金属箔の一部を１以上の発熱体に接触させて、前記金属箔を加熱する加熱工程と、前記金属箔の一部が支持された状態で、前記金属箔の両面に第２金属を含む第１ガスを接触させる第１接触工程と、前記金属箔の一部が支持された状態で、前記金属箔の前記両面に酸化剤を含む第２ガスを接触させる第２接触工程と、を備える、金属酸化物を含む層の製膜方法に関する。
【０００６】
本発明の第二の局面は、少なくとも１つのチャンバと、前記チャンバ内の圧力を減圧雰囲気に制御する圧力制御部と、前記チャンバに第２金属を含む第１ガスを供給する第１供給口と、前記チャンバに酸化剤を含む第２ガスを供給する第２供給口と、前記チャンバから前記第１ガスを排出する第１排気口と、前記チャンバから前記第２ガスを排出する第２排気口と、前記チャンバ内に配置され、製膜対象物である金属箔の一部に接触して前記金属箔を加熱する、１以上の発熱体と、を備え、前記第１ガスおよび前記第２ガスは、前記金属箔の両方の主面に接触するように供給される、製膜装置に関する。
【０００７】
本発明の第三の局面は、第１金属を含む金属箔を準備する準備工程と、前記金属箔の両方の主面を粗面化する粗面化工程と、粗面化された前記金属箔の一部を１以上の発熱体に接触させて、前記金属箔を加熱する加熱工程と、前記金属箔の一部が支持された状態で、前記金属箔の両面に第２金属を含む第１ガスを接触させる第１接触工程と、前記金属箔の一部が支持された状態で、前記金属箔の前記両面に酸化剤を含む第２ガスを接触させて、誘電体層を形成する第２接触工程と、を備える、電極箔の製造方法に関する。
【０００８】
本発明の第四の局面は、第１金属を含む金属箔の両面に第２金属を含む第１ガスを接触させる第１接触工程と、前記金属箔の前記両面に酸化剤を含む第２ガスを接触させる第２接触工程と、前記金属箔の一部を１以上の第１給電体に接触させて、前記第１ガスの存在下で前記金属箔に電圧を印加する第１印加工程と、を備える、金属酸化物を含む層の製膜方法に関する。
【０００９】
本発明の第五の局面は、第１金属を含む金属箔を準備する準備工程と、前記金属箔の両方の主面を粗面化する粗面化工程と、粗面化された金属箔の両面に第２金属を含む第１ガスを接触させる第１接触工程と、前記金属箔の前記両面に酸化剤を含む第２ガスを接触させる第２接触工程と、前記金属箔の一部を１以上の第１給電体に接触させて、前記第１ガスの存在下で前記金属箔に電圧を印加する第１印加工程と、を備える、電極箔の製造方法に関する。
【００１０】
本発明の第六の局面は、第１金属を含む金属箔の両面に第２金属を含む第１ガスを接触させる第１接触工程と、前記金属箔の前記両面に酸化剤を含む第２ガスを接触させる第２接触工程と、前記金属箔の一部を１以上の給電体に接触させて、前記第２ガスの存在下で前記金属箔に電圧を印加する印加工程を備える、を備える、金属酸化物を含む層の製膜方法に関する。
（【００１１】以降は省略されています）

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