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公開番号2025014587
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2023117272
出願日2023-07-19
発明の名称チップ製造方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250123BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】接合体を分割予定ラインに沿って分割してチップを製造する生産性を向上させる。
【解決手段】チップ製造方法は、接合体のウェーハの表面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードで切り込み、接合体をプラズマ化したガスでプラズマエッチングする際の妨げとなる接合材を切削ブレードで除去して支持基板を露出させる接合材除去ステップ1100と、接合材除去ステップ1100の前または後に、ウェーハの表面に保護膜を被覆してマスクを形成するマスク形成ステップ1200と、接合材除去ステップ1100およびマスク形成ステップ1200の後で、ウェーハの表面側から分割予定ラインに沿って支持基板にプラズマ化したガスで異方性のプラズマエッチングを施して接合体を複数のチップに分割するプラズマエッチングステップ1300と、プラズマエッチングステップ1300の後で、ウェーハからマスクを除去するマスク除去ステップ1400と、を備える。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
表面に格子状に設定された複数の分割予定ラインを備えるウェーハの裏面が接合材によって支持基板に接合された接合体を、該分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを製造するチップ製造方法であって、
該接合体の該ウェーハの該表面側から該分割予定ラインに沿って切削ブレードで切り込み、該接合体をプラズマ化したガスでプラズマエッチングする際の妨げとなる該接合材を該切削ブレードで除去して該支持基板を露出させる接合材除去ステップと、
該接合材除去ステップの前または後に、該ウェーハの該表面に保護膜を被覆してマスクを形成するマスク形成ステップと、
該接合材除去ステップおよび該マスク形成ステップの後で、該ウェーハの該表面側から該分割予定ラインに沿って該支持基板に該プラズマ化したガスで異方性の該プラズマエッチングを施して該接合体を複数のチップに分割するプラズマエッチングステップと、
該プラズマエッチングステップの後で、該ウェーハから該マスクを除去するマスク除去ステップと、
を備えることを特徴とするチップ製造方法。
続きを表示（約 400 文字）【請求項２】
該マスク形成ステップは、該接合材除去ステップの前に、耐水性の該保護膜を被覆して該マスクを形成することを特徴とする請求項１に記載のチップ製造方法。
【請求項３】
該マスク形成ステップは、フッ化炭素を含む該保護膜を被覆して該マスクを形成することを特徴とする請求項１に記載のチップ製造方法。
【請求項４】
該マスク形成ステップは、該接合材除去ステップの後で、－５℃から－３０℃のチャンバ室温で該保護膜を被覆することを特徴とする請求項３に記載のチップ製造方法。
【請求項５】
該ウェーハ又は該支持基板は、該複数の分割予定ラインによって区画された領域にＭＥＭＳデバイスを備えることを特徴とする請求項１に記載のチップ製造方法。
【請求項６】
該切削ブレードは、刃幅が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のチップ製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
加速度センサ、圧力センサ、マイクロフォン等のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスの製造プロセスでは、シリコンやガラス等の支持基板に接合され、複数のＭＥＭＳデバイスが形成されたシリコンウェーハを分割予定ラインに沿って分割して個々のＭＥＭＳデバイスチップを製造している（例えば、特許文献１）。
【０００３】
近年、携帯電話等の小型端末に加速度センサ等のＭＥＭＳデバイスを搭載するため、ＭＥＭＳデバイスチップの小型化が進んでいる。そのため、分割予定ラインの幅をできるだけ細くして１枚のウェーハにＭＥＭＳデバイスチップをできるだけ多く製造したいというニーズがある。そのため、切削ブレードを用いて分割する際は、刃幅が細い切削ブレードで切断する必要がある。しかし、ＭＥＭＳデバイス製造では、ウェーハが支持基板に接合されて厚さが厚い接合体となるため、切削ブレードの切削刃の刃先出し量を長くしなければならない。しかし、このように刃幅が細く、刃先出し長さが長い切削ブレードを用いる場合、切削ブレードを高速回転させるときに切削ブレードが空気抵抗によってブレながら回転して蛇行を引き起こす問題がある。そのため、プラズマ化したガスによってウェーハや支持基板をエッチングする手法が提案されている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００７－２１００８３号公報
特開２００６－２１０５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来技術では、接合体を形成するための接合材に樹脂や酸化膜などの機能膜が用いられる場合、プラズマ化したガスでエッチングする際にエッチングがしづらく、プラズマエッチングの妨げとなるという問題がある。そのため、表面に格子状に設定された複数の分割予定ラインを備えるウェーハの裏面が接合材（機能膜）によって支持基板に接合された接合体を分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを製造するチップ製造方法において、分割予定ラインが細く、接合体として厚さが厚い際においても、生産性が高くチップに分割することができる方法を提供すべきという課題がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、接合体を分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを製造する生産性を向上させることができるチップ製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のチップ製造方法は、表面に格子状に設定された複数の分割予定ラインを備えるウェーハの裏面が接合材によって支持基板に接合された接合体を、該分割予定ラインに沿って分割して複数のチップを製造するチップ製造方法であって、該接合体の該ウェーハの該表面側から該分割予定ラインに沿って切削ブレードで切り込み、該接合体をプラズマ化したガスでプラズマエッチングする際の妨げとなる該接合材を該切削ブレードで除去して該支持基板を露出させる接合材除去ステップと、該接合材除去ステップの前または後に、該ウェーハの該表面に保護膜を被覆してマスクを形成するマスク形成ステップと、該接合材除去ステップおよび該マスク形成ステップの後で、該ウェーハの該表面側から該分割予定ラインに沿って該支持基板に該プラズマ化したガスで異方性の該プラズマエッチングを施して該接合体を複数のチップに分割するプラズマエッチングステップと、該プラズマエッチングステップの後で、該ウェーハから該マスクを除去するマスク除去ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
前記チップ製造方法において、該マスク形成ステップは、該接合材除去ステップの前に、耐水性の該保護膜を被覆して該マスクを形成してもよい。
【０００９】
前記チップ製造方法において、該マスク形成ステップは、フッ化炭素を含む該保護膜を被覆して該マスクを形成してもよい。
【００１０】
前記チップ製造方法において、該マスク形成ステップは、該接合材除去ステップの後で、－５℃から－３０℃のチャンバ室温で該保護膜を被覆してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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