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公開番号2025010717
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-23
出願番号2023112854
出願日2023-07-10
発明の名称電気光学装置および電子機器
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G02F 1/1343 20060101AFI20250116BHJP(光学)
要約【課題】温度上昇を抑制できる電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、互いに隣り合う第1画素電極としての画素電極10aおよび第2画素電極としての画素電極10bと、平面視において、画素電極10aと画素電極10bとの間に設けられた第1遮光層としての容量電極231と、画素電極10a及び画素電極10bと容量電極231との間の層に設けられた絶縁層としての層間絶縁層20と、を備え、平面視において、層間絶縁層20は、画素電極10aと画素電極10bとの間に第1空洞としての空洞131を有する。
【選択図】図10
特許請求の範囲【請求項１】
互いに隣り合う第１画素電極および第２画素電極と、
平面視において、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に設けられた第１遮光層と、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記第１遮光層との間の層に設けられた絶縁層と、を備え、
平面視において、前記絶縁層は、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に第１空洞を有する、
電気光学装置。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記絶縁層は、前記第１画素電極と前記第１遮光層とを電気的に接続するためのコンタクトホールを有し、
前記コンタクトホールは、平面視において、前記第１画素電極および前記第１遮光層と重なり、前記第１空洞と離隔する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記絶縁層は、平面視において、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間と重なる溝を有する第１絶縁層と、前記溝内に設けられ、前記第１画素電極の屈折率と前記第１絶縁層の屈折率との間の屈折率を有する第２絶縁層と、を含み、
前記第１空洞は、前記溝内に設けられる、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１画素電極および前記第２画素電極は、ＩＴＯからなり、
前記第１絶縁層は、ＳｉＯ
2
からなり、
前記第２絶縁層は、ＳｉＯＮまたはＳｉＮｘからなる、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記溝のアスペクト比は２以上である、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１遮光層は、第１遮光部と、前記第１遮光部から第１方向に沿って突出する第２遮光部と、前記第１遮光部から前記第１方向に交差する第２方向に沿って突出する第３遮光部と、を有し、
前記第１遮光部は、平面視において、前記第１空洞と重なり、
前記第２遮光部は、平面視において、前記第１空洞と前記第１方向に隣り合う第２空洞と重なり、
前記第３遮光部は、平面視において、前記第１空洞と前記第２方向に隣り合う第３空洞と重なる、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１空洞は、第１空洞部と、前記第１空洞部から第３方向に沿って突出する第２空洞部と、前記第１空洞部から前記第３方向に交差する第４方向に沿って突出する第３空洞部と、を有し、
前記第１空洞部は、平面視において、前記第１遮光層と重なり、
前記第２空洞部は、平面視において、前記第１遮光層と前記第３方向に隣り合う第２遮光層と重なり、
前記第３空洞部は、平面視において、前記第１遮光層と前記第４方向に隣り合う第３遮光層と重なる、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、前記第１空洞の第１方向に設けられた第２空洞と、前記第１空洞の前記第１方向に交差する第２方向に設けられた第３空洞と、を有し、
前記第１遮光層は、平面視において、前記第１空洞と重なる第１遮光部と、前記第１遮光部から前記第１方向に沿って突出し、平面視において、前記第２空洞と重なる第２遮光部と、前記第１遮光部から前記第２方向に沿って突出し、平面視において、前記第３空洞と重なる第３遮光部と、を有し、
前記第１空洞は、平面視において、前記第１遮光層と重なる第１空洞部と、前記第１空洞部から前記第１方向の反対の第３方向に沿って突出し、平面視において、前記第１遮光層の前記第３方向に隣り合う第２遮光層と重なる第２空洞部と、前記第１空洞部から前記第２方向の反対の第４方向に沿って突出し、平面視において、前記第１遮光層の前記第４方向に隣り合う第３遮光層と重なる第３空洞部と、を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電気光学装置を備えた電子機器に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
従来の電気光学装置としては、例えば、特許文献１に記載されたものが知られている。
特許文献１には、複数の画素電極と、画素電極同士の境界に相当する領域に沿って形成された遮光膜とを備え、遮光膜は、第１および第２の基板のうちの一方の基板側から入射した光の一部を反射させる反射面を備えている液晶パネルが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０００－１０１２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
遮光膜は、チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン、パラジウム、アルミニウム、これらの金属の合金、およびシリコンのうちのいずれかにより形成される。
これらの遮光膜は、入射した光の８割から５割程度を反射するが、残りの２割から５割程度の光は、遮光膜によって吸収されるため、液晶パネルの温度を上昇させる原因となる、という課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願の一態様に係る電気光学装置は、互いに隣り合う第１画素電極および第２画素電極と、平面視において、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に設けられた第１遮光層と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記第１遮光層との間の層に設けられた絶縁層と、を備え、平面視において、前記絶縁層は、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に第１空洞を有する。
【０００６】
本願の一態様に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態１に係る電気光学装置の平面図。
図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う電気光学装置の断面図。
素子基板の電気的な構成を示す等価回路図。
素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図。
素子基板の表示領域の平面構造を示す説明図。
素子基板の表示領域の平面構造を示す説明図。
素子基板の表示領域の平面構造を示す説明図。
素子基板の表示領域の平面構造を示す説明図。
素子基板の表示領域の平面構造を示す説明図。
素子基板の表示領域の平面構造を示す説明図。
図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う空洞周辺の断面図。
空洞の製造工程を示すフローチャート。
製造工程の一態様を示す断面図。
製造工程の一態様を示す断面図。
製造工程の一態様を示す断面図。
製造工程の一態様を示す断面図。
実施形態２に係る電子機器の一例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向から見ることを「断面視」とする。
【０００９】
さらに、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。また、「基板の上面」との記載は、基板のＺ１方向側の面を示すものとする。
【００１０】
１．実施形態１
本実施形態では、電気光学装置として、液晶装置の例を説明する。
液晶装置は、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブ駆動型の透過型液晶装置である。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置において、光変調装置として用いられる。なお、本実施形態において、投射型表示装置は、電子機器の一例である。
（【００１１】以降は省略されています）

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