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公開番号2025008008
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023109814
出願日2023-07-04
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人愛宕綜合特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250109BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエーハの外周に残存した部分が後工程において脱落して汚染源になったり、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する際にデバイスチップの欠けの原因になり、品質を低下させたりするという問題を解決するウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該有効領域と該面取り部との境界部の内部に位置付けて照射して面取り部に沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハをスピンナーテーブルに保持して高速回転して遠心力によって面取り部を飛散させ除去する面取り部除去工程と、ウエーハの裏面を研削して所望の厚みに加工する加工工程と、を含み構成される。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
表面に形成された有効領域と、該有効領域を囲繞して外周に面取り部を有するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該有効領域と該面取り部との境界部の内部に位置付けて照射して面取り部に沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハをスピンナーテーブルに保持して高速回転して遠心力によって面取り部を飛散させ除去する面取り部除去工程と、
ウエーハの裏面を研削して所望の厚みに加工する加工工程と、
を含み構成されるウエーハの加工方法。
続きを表示（約 510 文字）【請求項２】
該改質層形成工程において、
該レーザー光線の集光点を該有効領域と該面取り部との境界部の内部に位置付けて照射しクラックがウエーハの表面に至る比較的深い第一の改質層を形成する第一のステップと、
該第一の改質層に隣接して外側又は内側に該表面には至らない比較的浅い第二の改質層を形成する第二のステップと、を含み、
該第一の改質層を起点として該面取り部を該有効領域から裏面側に反らす請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
ウエーハは、第一のウエーハと第二のウエーハとが積層された積層ウエーハであり、
第一のウエーハに対して、該改質層形成工程と、該面取り部除去工程と、該加工工程と、を実施する請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該第二のステップにおいて、第二の改質層は該加工工程において研削されて除去される位置に形成される請求項２に記載のウエーハの加工方法。
【請求項５】
該面取り部除去工程において、該スピンナーテーブルの回転数は、１０００～３０００ｒｐｍである請求項１に記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に形成された有効領域と、該有効領域を囲繞して外周に面取り部を有するウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域が表面に形成されたウエーハは、裏面が研削されて所望の厚みに薄化された後、切削装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
また、ウエーハの外周には面取り部が形成されていて、ウエーハの裏面を研削して薄化すると、該面取り部がナイフエッジのように鋭利となり、オペレータが怪我をしたり、ウエーハの外周から亀裂が入りデバイスを損傷させたりするという問題がある。
【０００４】
そこで、ウエーハの裏面を研削する前に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を面取り部の内側に位置付けて照射し、リング状にウエーハの内部に改質層を形成することで、研削加工を実施する際に面取り部が除去される技術が本出願人によって提案されている（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２０－０８８１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記した特許文献１に記載の技術によれば、研削加工時に加わる外力によって面取り部が除去されることになるが、ウエーハの外周から面取り部が完全に除去されずに僅かに残存することがあり、残存した部分が後工程において脱落して汚染源になったり、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する際にデバイスチップの欠けの原因になったりする等の問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの外周から面取り部を完全に除去することであり、残存した部分が後工程において脱落して汚染源になったり、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する際にデバイスチップの欠けの原因になり、品質を低下させたりするという問題を解決することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に形成された有効領域と、該有効領域を囲繞して外周に面取り部を有するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該有効領域と該面取り部との境界部の内部に位置付けて照射して面取り部に沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハをスピンナーテーブルに保持して高速回転して遠心力によって面取り部を飛散させ除去する面取り部除去工程と、ウエーハの裏面を研削して所望の厚みに加工する加工工程と、を含み構成されるウエーハの加工方法が提供される。
【０００９】
該改質層形成工程において、該レーザー光線の集光点を該有効領域と該面取り部との境界部の内部に位置付けて照射しクラックがウエーハの表面に至る比較的深い第一の改質層を形成する第一のステップと、該第一の改質層に隣接して外側又は内側に該表面には至らない比較的浅い第二の改質層を形成する第二のステップと、を含み、該第一の改質層を起点として該面取り部を該有効領域から裏面側に反らすことが好ましい。また、ウエーハは、第一のウエーハと第二のウエーハとが積層された積層ウエーハであり、第一のウエーハに対して、該改質層形成工程と、該面取り部除去工程と、該加工工程と、を実施することができる。さらに、該第二のステップにおいて、第二の改質層は該加工工程において研削されて除去される位置に形成されることが好ましい。該面取り部除去工程において、該スピンナーテーブルの回転数は、１０００～３０００ｒｐｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該有効領域と該面取り部との境界部の内部に位置付けて照射して面取り部に沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハをスピンナーテーブルに保持して高速回転して遠心力によって面取り部を飛散させ除去する面取り部除去工程と、ウエーハの裏面を研削して所望の厚みに加工する加工工程と、を含み構成されていることから、ウエーハの裏面を研削して所望の厚みに加工する加工工程を実施する前に、ウエーハの外周端から面取り部を完全に除去することが可能になり、面取り部がウエーハの外周に残存して、後の工程で脱落して汚染源になったり、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する際にデバイスチップの欠けの原因になったりして、デバイスの品質を低下させる等の問題を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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