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公開番号
2025004610
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-01-15
出願番号
2023104406
出願日
2023-06-26
発明の名称
定電圧生成回路
出願人
ローム株式会社
代理人
弁理士法人 佐野特許事務所
主分類
G05F
3/30 20060101AFI20250107BHJP(制御;調整)
要約
【課題】出力精度の高い定電圧生成回路を提供する。
【解決手段】定電圧生成回路1は、温度に比例する電流Iを生成する電流源CSと、電流Iが流される第1トランジスタM2と、を備える。定電圧生成回路1は、第1トランジスタM2の制御電極と第1主電極との間における電極間電圧Vgs2又はこれに応じた電圧を出力電圧VOUTとして出力する。
【選択図】図18
特許請求の範囲
【請求項1】
温度に比例する基準電流を生成するように構成された電流源と、
前記基準電流が流されるように構成された第1トランジスタと、
を備え、
前記第1トランジスタの制御電極と第1主電極との間における電極間電圧又はこれに応じた電圧を出力電圧として出力する、定電圧生成回路。
続きを表示(約 980 文字)
【請求項2】
前記第1トランジスタの第1主電極に接続されて前記基準電流が流されるように構成された第1抵抗をさらに備え、
前記第1トランジスタの制御電極と第1主電極との間における電極間電圧と前記第1抵抗の両端間電圧が足し合わされた電圧又はこれに応じた電圧を前記出力電圧として出力する、請求項1に記載の定電圧生成回路。
【請求項3】
前記第1トランジスタの第2主電極は、直接的に又は電圧フォロワを介して前記出力電圧の印加端に接続される、請求項2に記載の定電圧生成回路。
【請求項4】
前記電圧フォロワは、第1主電極が前記出力電圧の印加端に接続されて第2主電極が入力電圧の印加端に接続されて制御電極が前記第1トランジスタの第2主電極に接続される第2トランジスタを含む、請求項3に記載の定電圧生成回路。
【請求項5】
前記第1トランジスタの制御電極は、直接的に又は抵抗分圧器を介して前記出力電圧の印加端に接続される、請求項2に記載の定電圧生成回路。
【請求項6】
前記電流源は、
第1カレントミラーと、
入力端が前記第1カレントミラーの出力端に接続されて第1出力端が前記第1カレントミラーの入力端に接続されて第2出力端が前記第1トランジスタの第2主電極に接続される第2カレントミラーと、
前記第1カレントミラーの出力電流が流されるように構成された第2抵抗と、
を含む、請求項2に記載の定電圧生成回路。
【請求項7】
前記第1抵抗は、第1端が前記第1トランジスタの第1主電極に接続されて第2端が直接的に又は前記第2抵抗を介して基準電位端に接続される、請求項6に記載の定電圧生成回路。
【請求項8】
前記第1カレントミラーを形成する複数のトランジスタは、いずれもnpn型又はNチャネル型である、請求項6に記載の定電圧生成回路。
【請求項9】
前記第2カレントミラーを形成する複数のトランジスタは、いずれもpnp型又はPチャネル型である、請求項6に記載の定電圧生成回路。
【請求項10】
前記第1トランジスタは、Nチャネル型又はnpn型である、請求項1~9のいずれか一項に記載の定電圧生成回路。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、定電圧生成回路に関する。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
従来、定電圧生成回路の一種として、デプレッション型NMOSFET[metal oxide semiconductor field effect transistor]とエンハンスメント型NMOSFETを組み合わせたED型定電圧源が広く一般に知られている。
【0003】
なお、上記に関連する従来技術の一例としては、本願出願人により提案される特許文献1及び2を挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
国際公開第2021/172001号
国際公開第2021/241257号
【0005】
[概要]
しかしながら、上記従来の定電圧生成回路では、出力精度を向上する余地があった。
【0006】
例えば、本開示に係る定電圧生成回路は、温度に比例する基準電流を生成するように構成された電流源と、前記基準電流が流されるように構成された第1トランジスタと、を備え、前記第1トランジスタの制御電極と第1主電極との間における電極間電圧又はこれに応じた電圧を出力電圧として出力する。
【0007】
なお、その他の特徴、要素、ステップ、利点、及び、特性については、以下に続く詳細な説明及びこれに関する添付の図面によって、さらに明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、定電圧生成回路の比較例を示す図である。
図2は、比較例における出力電圧の温度特性を示す図である。
図3は、定電圧生成回路の第1実施形態を示す図である。
図4は、第1実施形態における出力電圧の温度特性を示す図である。
図5は、定電圧生成回路の第2実施形態を示す図である。
図6は、第1、第2実施形態における出力電圧のばらつきを示す図である。
図7は、定電圧生成回路の第3実施形態を示す図である。
図8は、第3実施形態における出力電圧のばらつきを示す図である。
図9は、定電圧生成回路の第4実施形態を示す図である。
図10は、定電圧生成回路の第5実施形態を示す図である。
図11は、定電圧生成回路の第6実施形態を示す図である。
図12は、定電圧生成回路の第7実施形態を示す図である。
図13は、定電圧生成回路の第8実施形態を示す図である。
図14は、定電圧生成回路の第9実施形態を示す図である。
図15は、定電圧生成回路の第10実施形態を示す図である。
図16は、定電圧生成回路の第11実施形態を示す図である。
図17は、定電圧生成回路の第12実施形態を示す図である。
図18は、定電圧生成回路の第13実施形態を示す図である。
【0009】
[詳細な説明]
<比較例>
図1は、定電圧生成回路の比較例(後出の実施形態と対比される基本構成)を示す図である。本比較例の定電圧生成回路1は、いわゆるED型基準電圧源である。本図に即して述べると、定電圧生成回路1は、トランジスタM1(例えばデプレッション型NMOSFET)と、トランジスタM2(例えばエンハンスメント型NMOSFET)とを備える。
【0010】
なお、デプレッション型とは、ゲート・ソース間電圧が0Vであってもドレイン電流が流れるものを指す。一方、エンハンスメント型とは、ゲート・ソース間電圧が0Vであるときにはドレイン電流が流れないものを指す。
(【0011】以降は省略されています)
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