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公開番号2024180300
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-26
出願番号2024078088
出願日2024-05-13
発明の名称集積回路素子
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人弁理士法人共生国際特許事務所
主分類H01L 21/768 20060101AFI20241219BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】複数の導電領域間の短絡を防止し、信頼性が向上した集積回路素子を提供する。
【解決手段】集積回路素子100は、エッチング停止パターン194を含むバックサイド絶縁構造物BISと、バックサイド絶縁構造物上に配置され、夫々エッチング停止パターンと垂直方向にオーバーラップしている複数のゲートライン160と、複数のゲートライン夫々の間に1つずつ配置された複数のソース/ドレイン領域130と、エッチング停止パターンを垂直方向に貫通して複数のソース/ドレイン領域のうちから選択された第1ソース/ドレイン領域に連結され、バックサイド絶縁構造物のうち、複数のゲートラインに最も近い第1垂直レベルLV1から垂直方向に沿って第1距離D1だけ離隔され、エッチング停止パターンに隣接した第2垂直レベルLV2でバックサイドビアコンタクトの水平方向の幅が変化する段差部ST1を含むバックサイドビアコンタクトMPVと、を含む。
【選択図】図3A
特許請求の範囲【請求項１】
エッチング停止パターンを含むバックサイド絶縁構造物と、
前記バックサイド絶縁構造物上に配置され、それぞれ前記エッチング停止パターンと垂直方向にオーバーラップしている複数のゲートラインと、
前記複数のゲートラインのそれぞれの間に１つずつ配置された複数のソース／ドレイン領域と、
前記エッチング停止パターンを前記垂直方向に貫通し、前記複数のソース／ドレイン領域のうちから選択された第１ソース／ドレイン領域に連結されるように構成されたバックサイドビアコンタクトと、を含み、
前記バックサイドビアコンタクトは、前記バックサイド絶縁構造物のうち、前記複数のゲートラインに最も近い第１垂直レベルから前記垂直方向に沿って第１距離だけ離隔して前記エッチング停止パターンに隣接した第２垂直レベルで、前記バックサイドビアコンタクトの水平方向の幅が変化する段差部を含むことを特徴とする集積回路素子。
続きを表示（約 3,200 文字）【請求項２】
前記複数のソース／ドレイン領域のうちから選択され、前記第１ソース／ドレイン領域から前記水平方向に離隔された第２ソース／ドレイン領域と前記垂直方向にオーバーラップしているプレースホルダー（ｐｌａｃｅｈｏｌｄｅｒ）をさらに含み、
前記プレースホルダーは、前記第２ソース／ドレイン領域に接するホルダー上面と、前記水平方向で前記バックサイド絶縁構造物の一部を挟んで前記バックサイドビアコンタクトと対面するホルダー側壁と、前記垂直方向で前記ホルダー上面の反対側表面であるホルダー底面と、を含み、
前記プレースホルダーの前記ホルダー側壁及び前記ホルダー底面は、前記バックサイド絶縁構造物に接することを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子。
【請求項３】
前記バックサイド絶縁構造物は、前記エッチング停止パターンと前記複数のゲートラインとの間に配置されて前記エッチング停止パターンの構成物質とは異なる物質からなる内側バックサイド絶縁パターンをさらに含み、
前記プレースホルダーの前記ホルダー側壁は、前記内側バックサイド絶縁パターンに接し、
前記プレースホルダーの前記ホルダー底面は、前記エッチング停止パターンに接することを特徴とする請求項２に記載の集積回路素子。
【請求項４】
前記バックサイド絶縁構造物は、前記エッチング停止パターンと前記複数のゲートラインとの間に配置されて前記エッチング停止パターンの構成物質とは異なる物質からなる内側バックサイド絶縁パターンをさらに含み、
前記エッチング停止パターンは、前記内側バックサイド絶縁パターンに接する第１ライナー部分と、前記プレースホルダーの前記ホルダー底面に接する第２ライナー部分と、を含み、
前記第２ライナー部分は、前記プレースホルダーに向かって凹状断面を有することを特徴とする請求項２に記載の集積回路素子。
【請求項５】
前記バックサイド絶縁構造物は、前記エッチング停止パターンを挟んで前記複数のゲートラインから前記垂直方向に離隔されて前記エッチング停止パターンの構成物質とは異なる物質からなる外側バックサイド絶縁パターンをさらに含み、
前記エッチング停止パターンは、前記バックサイドビアコンタクトと前記プレースホルダーとの間の空間を満たすギャップフィルパターンからなり、
前記プレースホルダーの前記ホルダー側壁は、前記エッチング停止パターンに接し、
前記プレースホルダーの前記ホルダー底面は、前記外側バックサイド絶縁パターンに接することを特徴とする請求項２に記載の集積回路素子。
【請求項６】
前記バックサイド絶縁構造物は、前記エッチング停止パターンを挟んで前記複数のゲートラインから前記垂直方向に離隔されて前記エッチング停止パターンの構成物質とは異なる物質からなる外側バックサイド絶縁パターンをさらに含み、
前記外側バックサイド絶縁パターンは、前記プレースホルダーの前記ホルダー底面に向かって凹状の表面を有することを特徴とする請求項２に記載の集積回路素子。
【請求項７】
前記バックサイド絶縁構造物は、
前記エッチング停止パターンを挟んで前記複数のゲートラインから前記垂直方向に離隔されて前記エッチング停止パターンに接し、前記エッチング停止パターンの構成物質とは異なる物質からなる外側バックサイド絶縁パターンをさらに含み、
前記エッチング停止パターンと前記外側バックサイド絶縁パターンとの界面は、前記バックサイドビアコンタクトの前記段差部周囲で前記水平方向に沿って平坦に延びた部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子。
【請求項８】
バックサイド絶縁構造物と、
前記バックサイド絶縁構造物上に配置され、垂直方向に互いに離隔した位置で前記垂直方向にオーバーラップしている複数のチャネル領域と、
前記バックサイド絶縁構造物上に配置され、前記複数のチャネル領域に接する一対のソース／ドレイン領域と、
前記複数のチャネル領域を取り囲むゲートラインと、
前記バックサイド絶縁構造物を前記垂直方向に貫通し、前記１対のソース／ドレイン領域のうちから選択された第１ソース／ドレイン領域に連結されるように構成されたバックサイドビアコンタクトと、を含み、
前記バックサイド絶縁構造物は、
前記バックサイドビアコンタクトのうちの一部を取り囲み、前記ゲートラインと前記垂直方向にオーバーラップしているエッチング停止パターンと、前記バックサイドビアコンタクトのうちの他の一部を取り囲み、前記エッチング停止パターンを挟んで前記ゲートラインから前記垂直方向に離隔されて前記エッチング停止パターンの構成物質とは異なる物質からなる外側バックサイド絶縁パターンと、を含み、
前記バックサイドビアコンタクトは、前記バックサイド絶縁構造物のうち、前記ゲートラインに最も近い第１垂直レベルから前記垂直方向に沿って第１距離だけ離隔して前記エッチング停止パターンに隣接した第２垂直レベルで、前記バックサイドビアコンタクトの水平方向の幅が変化する段差部を含むことを特徴とする集積回路素子。
【請求項９】
前記１対のソース／ドレイン領域のうちから選択され、前記第１ソース／ドレイン領域から前記水平方向に離隔された第２ソース／ドレイン領域と前記垂直方向にオーバーラップしているプレースホルダーをさらに含み、
前記プレースホルダーは、前記第２ソース／ドレイン領域に接するホルダー上面と、前記水平方向で前記バックサイド絶縁構造物の一部を挟んで前記バックサイドビアコンタクトと対面するホルダー側壁と、前記垂直方向で前記ホルダー上面の反対側表面であるホルダー底面と、を含み、
前記エッチング停止パターンは、前記プレースホルダーの前記ホルダー側壁及び前記ホルダー底面のうちから選択されるいずれか１つに接することを特徴とする請求項８に記載の集積回路素子。
【請求項１０】
互いに異なる物質からなり、垂直方向にオーバーラップしているエッチング停止パターン及びバックサイド絶縁パターンを含むバックサイド絶縁構造物と、
前記バックサイド絶縁構造物上に配置された複数のソース／ドレイン領域と、
前記複数のソース／ドレイン領域のうちから選択される少なくとも１つのソース／ドレイン領域に連結された少なくとも１つのナノシートをそれぞれ含む複数のナノシートスタックと、
前記バックサイド絶縁構造物上に配置され、それぞれ前記少なくとも１つのナノシートを取り囲み、それぞれ前記エッチング停止パターンと前記垂直方向にオーバーラップしている複数のゲートラインと、
前記エッチング停止パターン及び前記バックサイド絶縁パターンを前記垂直方向に貫通し、前記複数のソース／ドレイン領域のうちから選択された第１ソース／ドレイン領域に連結されるように構成されたバックサイドビアコンタクトと、
前記複数のソース／ドレイン領域のうちから選択された第２ソース／ドレイン領域に接し、水平方向で前記バックサイド絶縁構造物を挟んで前記バックサイドビアコンタクトと対面するプレースホルダーと、を含み、
前記バックサイドビアコンタクトは、前記バックサイド絶縁構造物のうち、前記ゲートラインに最も近い第１垂直レベルから離隔して前記エッチング停止パターンに隣接した垂直レベルで、前記バックサイドビアコンタクトの前記水平方向の幅が変化する段差部を含むことを特徴とする集積回路素子。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路素子に関し、より詳しくは、バックサイドコンタクト構造物を含む集積回路素子に関する。
続きを表示（約 7,300 文字）【背景技術】
【０００２】
電子技術の発達によって集積回路素子のダウンスケーリング（ｄｏｗｎ－ｓｃａｌｉｎｇ）が急速に進められている。高度にダウンスケーリングされた集積回路素子において速い動作速度のみならず、動作に関する正確性も要求されるので、比較的小さい面積内で安定的かつ最適化された配置構造を有する導電ラインを含む配線構造物と、複数の導電領域相互間の意図しない短絡を防止するための絶縁構造物を提供する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－９１８９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ダウンスケーリングによって縮小された面積内に配置される複数の配線構造物を含む集積回路素子において導電領域間に十分な絶縁距離を確保して複数の導電領域相互間の意図しない短絡を防止することにより、信頼性が向上した構造を有する集積回路素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するためになされた本発明の一様態による集積回路素子は、エッチング停止パターンを含むバックサイド絶縁構造物と、前記バックサイド絶縁構造物上に配置され、それぞれ前記エッチング停止パターンと垂直方向にオーバーラップしている複数のゲートラインと、前記複数のゲートラインのそれぞれの間に１つずつ配置された複数のソース／ドレイン領域と、前記エッチング停止パターンを前記垂直方向に貫通し、前記複数のソース／ドレイン領域のうちから選択された第１ソース／ドレイン領域に連結されるように構成されたバックサイドビアコンタクトを含み、前記バックサイドビアコンタクトは、前記バックサイド絶縁構造物のうち、前記複数のゲートラインに最も近い第１垂直レベルから前記垂直方向に沿って第１距離だけ離隔して前記エッチング停止パターンに隣接した第２垂直レベルにおいて、前記バックサイドビアコンタクトの水平方向の幅が変化する段差部を含む。
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の様態による集積回路素子は、バックサイド絶縁構造物と、前記バックサイド絶縁構造物上に配置され、垂直方向に互いに離隔した位置で前記垂直方向にオーバーラップしている複数のチャネル領域と、前記バックサイド絶縁構造物上に配置され、前記複数のチャネル領域に接する一対のソース／ドレイン領域と、前記複数のチャネル領域を取り囲むゲートラインと、前記バックサイド絶縁構造物を前記垂直方向に貫通し、前記１対のソース／ドレイン領域のうちから選択された第１ソース／ドレイン領域に連結されるように構成されたバックサイドビアコンタクトを含み、前記バックサイド絶縁構造物は、前記バックサイドビアコンタクトのうちの一部を取り囲み、前記ゲートラインと前記垂直方向にオーバーラップしているエッチング停止パターンと、前記バックサイドビアコンタクトのうちの他の一部を取り囲み、前記エッチング停止パターンを挟んで前記ゲートラインから前記垂直方向に離隔されて前記エッチング停止パターンの構成物質とは異なる物質からなる外側バックサイド絶縁パターンを含み、前記バックサイドビアコンタクトは、前記バックサイド絶縁構造物のうち、前記ゲートラインに最も近い第１垂直レベルから前記垂直方向に沿って第１距離だけ離隔して前記エッチング停止パターンに隣接した第２垂直レベルにおいて、前記バックサイドビアコンタクトの水平方向の幅が変化する段差部を含む。
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明のさらに他の様態による集積回路素子は、互いに異なる物質からなり、垂直方向にオーバーラップしているエッチング停止パターン及びバックサイド絶縁パターンを含むバックサイド絶縁構造物と、前記バックサイド絶縁構造物上に配置された複数のソース／ドレイン領域と、前記複数のソース／ドレイン領域のうちから選択される少なくとも１つのソース／ドレイン領域に連結された少なくとも１枚のナノシートをそれぞれ含む複数のナノシートスタックと、前記バックサイド絶縁構造物上に配置され、それぞれ前記少なくとも１枚のナノシートを取り囲み、それぞれ前記エッチング停止パターンと前記垂直方向にオーバーラップしている複数のゲートラインと、前記エッチング停止パターン及び前記バックサイド絶縁パターンを前記垂直方向に貫通し、前記複数のソース／ドレイン領域のうちから選択された第１ソース／ドレイン領域に連結されるように構成されたバックサイドビアコンタクトと、前記複数のソース／ドレイン領域のうちから選択された第２ソース／ドレイン領域に接し、水平方向において、前記バックサイド絶縁構造物を挟んで前記バックサイドビアコンタクトと対面するプレースホルダーを含み、前記バックサイドビアコンタクトは、前記バックサイド絶縁構造物のうち、前記ゲートラインに最も近い第１垂直レベルから離隔して前記エッチング停止パターンに隣接した垂直レベルにおいて、前記バックサイドビアコンタクトの前記水平方向の幅が変化する段差部を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明による集積回路素子によれば、ダウンスケーリングによって縮小された面積内に配置される複数の配線構造物を含む集積回路素子において、導電領域間に十分な絶縁距離を確保して複数の導電領域相互間の意図しない短絡を防止し、集積回路素子の信頼性を向上させることができる。特に、本発明による集積回路素子において、複数のソース／ドレイン領域のうち、一部のソース／ドレイン領域は、バックサイド側にあるバックサイドビアコンタクトに連結され、他の一部のソース／ドレイン領域は、フロントサイド側にあるソース／ドレインコンタクトに連結されるように構成される。したがって、バックサイド側にある複数のバックサイドビアコンタクトそれぞれの間と、フロントサイド側にある複数のソース／ドレインコンタクトそれぞれの間に、十分な絶縁距離を確保して寄生キャパシタンスを抑制することができる。また、本発明による集積回路素子において、バックサイドビアコンタクトを取り囲むバックサイド絶縁構造物は、エッチング停止パターンを含む。バックサイドビアコンタクトは、エッチング停止パターンを垂直方向に貫通してソース／ドレイン領域に連結されるように構成される。本発明による集積回路素子の製造過程で、バックサイドビアコンタクトを形成するために、バックサイド側からバックサイド絶縁構造物の一部を垂直方向に貫通するビアホールを形成するとき、ビアホールの位置を所望のターゲット位置にアライメントするために厳格なデザインルールを適用せずとも、ビアホールが意図せずにフロントサイド側の他の導電ライン、例えば、ゲートライン、ソース／ドレイン領域、またはそれらに隣接した領域まで到達してしまう問題をエッチング停止パターンによって防止することができる。したがって、本発明による集積回路素子は、ダウンスケーリングによって縮小された面積内でも安定的かつ最適化された構造の配線構造物を提供し、これにより、集積回路素子の集積度及び信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の実施形態による集積回路素子の例示的なセルブロックの概略的な平面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子を説明するための平面レイアウト図である。
図２のＸ１－Ｘ１’線に沿った断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に沿った断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に沿った断面図である。
本発明の他の実施形態による集積回路素子を説明するための断面図である。
本発明の他の実施形態による集積回路素子を説明するための断面図である。
本発明のさらに他の実施形態による集積回路素子の断面図である。
本発明のさらに他の実施形態による集積回路素子の断面図である。
本発明のさらに他の実施形態による集積回路素子の断面図である。
本発明のさらに他の実施形態による集積回路素子を説明するための断面図である。
本発明のさらに他の実施形態による集積回路素子を説明するための断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の他の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の他の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の他の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の他の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
本発明の他の実施形態による集積回路素子の製造方法を説明するために工程順序によって示す図であって、図２のＸ１－Ｘ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ１－Ｙ１’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
図２のＹ２－Ｙ２’線に対応する部分の工程順序による例示的な断面構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。図面上の同じ構成要素には、同じ参照符号を使用し、それらについての重複説明は省略する。
（【００１１】以降は省略されています）

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