特許ウォッチ

公開番号2024174840
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-17
出願番号2024088507
出願日2024-05-31
発明の名称イメージセンサー
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人個人,個人
主分類H01L 27/146 20060101AFI20241210BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】トラップ特性が改善された画素を提供する。
【解決手段】イメージセンサーは光電変換領域を含む基板、基板上に提供される半導体パターン、半導体パターン上に提供されるゲート電極、及び半導体パターンとゲート電極との間に提供されるゲート絶縁膜、を含み、半導体パターンは、第1ソース/ドレーン領域を含む第1サブパターン、第2ソース/ドレーン領域を含む第2サブパターン、及び第1サブパターンと第2サブパターンとの間に提供される第3サブパターンを含み、ゲート電極は第3サブパターン上に提供され、第1サブパターン、第2サブパターン、及び第3サブパターンは互いに異なる方向に沿って延長する。
【選択図】図4A
特許請求の範囲【請求項１】
光電変換領域を含む基板と、
前記基板上に提供される半導体パターンと、
前記半導体パターン上に提供されるゲート電極と、
前記半導体パターンと前記ゲート電極との間に提供されるゲート絶縁膜と、を含み、
前記半導体パターンは、第１ソース／ドレーン領域を含む第１サブパターン、第２ソース／ドレーン領域を含む第２サブパターン、及び前記第１サブパターンと前記第２サブパターンとの間に提供される第３サブパターンを含み、
前記ゲート電極は、前記第３サブパターン上に提供され、
前記第１サブパターン、前記第２サブパターン、及び前記第３サブパターンは、互いに異なる方向に沿って延長する、イメージセンサー。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記ゲート電極は、前記第３サブパターンの第１側面上に延長する、請求項１に記載のイメージセンサー。
【請求項３】
前記第１側面は、｛３１０｝面又は｛２１０｝面である、請求項２に記載のイメージセンサー。
【請求項４】
前記半導体パターンは、前記第２サブパターン及び前記第３サブパターンの間に提供される第４サブパターンをさらに含み、
前記ゲート電極は、前記第４サブパターン上に提供され、
前記第４サブパターンは、前記第１サブパターン、前記第２サブパターン、及び前記第３サブパターンと異なる方向に沿って延長する、請求項１に記載のイメージセンサー。
【請求項５】
前記ゲート電極は、前記第４サブパターンの第３側面及び前記第３側面の反対側に位置する前記第４サブパターンの第４側面上に延長する、請求項４に記載のイメージセンサー。
【請求項６】
前記第３側面及び前記第４側面は｛３１０｝面又は｛２１０｝面である、請求項５に記載のイメージセンサー。
【請求項７】
前記半導体パターンは、前記第１サブパターン及び前記第２サブパターンの間に提供される第５サブパターンをさらに含み、
前記第５サブパターンは、前記第３サブパターンと並んで配列され、
前記ゲート電極は、前記第５サブパターン上に提供される、請求項１に記載のイメージセンサー。
【請求項８】
前記第３サブパターンは、互いに反対側に配置される第１側面及び第２側面を有し、
前記第５サブパターンは、互いに反対側に配置される第５側面及び第６側面を有し、
前記ゲート電極は、前記第１側面、前記第２側面、前記第５側面、及び前記第６側面上に延長する、請求項７に記載のイメージセンサー。
【請求項９】
前記第１側面、前記第２側面、前記第５側面、及び前記第６側面は｛３１０｝面又は｛２１０｝面である、請求項８に記載のイメージセンサー。
【請求項１０】
第１画素と、
第２画素と、含み、
前記第１及び第２画素の各々は、光電変換領域及びフローティング拡散領域を含む基板、前記基板上に提供される半導体パターン、前記半導体パターン上に提供されるゲート電極、及び前記半導体パターンと前記ゲート電極との間に提供されるゲート絶縁膜を含み、
前記第１及び第２画素の各々において、
前記半導体パターンは、第１ソース／ドレーン領域を含む第１サブパターン、第２ソース／ドレーン領域を含む第２サブパターン、及び前記第１サブパターンと前記第２サブパターンとの間に提供される第３サブパターンを含み、前記第１サブパターン、前記第２サブパターン、及び前記第３サブパターンは、互いに異なる方向に沿って延長し、前記ゲート電極は、前記第３サブパターンの側面上に提供され、
前記第１及び第２画素の前記フローティング拡散領域は、前記第１画素の前記ゲート電極又は前記第２画素の前記ゲート電極に電気的に連結される、イメージセンサー。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明はイメージセンサーに関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
イメージセンサーは光学イメージ信号を電気信号に変換させる装置として、ＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅｃｏｕｐｌｅｄｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサーとＣＭＯＳ（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサー等がある。イメージセンサーは複数の画素を含む。各画素は各々の画素は入射される光を受光して電気信号に転換する受光領域及び受光領域で生成された電荷を利用して画素信号を出力する画素回路を含む。
【０００３】
最近イメージセンサーの集積度が増加されることによって各々の画素のサイズが小さくなっている。これを具現化するための画素内の構成要素の配置及び形状に応じてイメージ伝送遅延等が生じるイメージセンサーの品質が低下される問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
米国特許７，５８２，５１６Ｂ２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
解決しようとする課題はトラップ特性が改善された画素を提供することにある。
【０００６】
解決しようとする課題はノイズ特性が改善されたイメージセンサーを提供することにある。
【０００７】
但し、解決しようとする課題は前記開示に前記限定されない。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一側面において、光電変換領域を含む基板、前記基板上に提供される半導体パターン、前記半導体パターン上に提供されるゲート電極、及び前記半導体パターンと前記ゲート電極との間に提供されるゲート絶縁膜、を含み、前記半導体パターンは、第１ソース／ドレーン領域を含む第１サブパターン、第２ソース／ドレーン領域を含む第２サブパターン、及び前記第１サブパターンと前記第２サブパターンとの間に提供される第３サブパターンを含み、前記ゲート電極は前記第３サブパターン上に提供され、前記第１サブパターン、前記第２サブパターン、及び前記第３サブパターンは互いに異なる方向にしたがって延長するイメージセンサーが提供されることができる。
【０００９】
前記ゲート電極は前記第３サブパターンの第１側面上に延長することができる。
【００１０】
前記第１側面は｛３１０｝面又は｛２１０｝面であり得る。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許