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公開番号2024176127
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-19
出願番号2023094406
出願日2023-06-07
発明の名称セラミックスサセプタ
出願人日本特殊陶業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20241212BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】GHz帯域の半導体製造プロセスに使用でき、大熱量が基板に流入してもセラミックスサセプタと半導体基板支持部材等との応力や歪を緩和することができるセラミックスサセプタを提供する。
【解決手段】セラミックスサセプタ100であって、半導体基板支持部材を載置する載置面18を有し、SiCを主成分とするセラミックス焼結体により形成された基材10を備え、前記セラミックス焼結体は、0.2GHzでの誘電正接tanδが0.45以下であり、0.5GHzでの誘電正接tanδが0.70以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
セラミックスサセプタであって、
半導体基板支持部材を載置する載置面を有し、ＳｉＣを主成分とするセラミックス焼結体により形成された基材を備え、
前記セラミックス焼結体は、０．２ＧＨｚでの誘電正接ｔａｎδが０．４５以下であり、
０．５ＧＨｚでの誘電正接ｔａｎδが０．７０以下であることを特徴とするセラミックスサセプタ。
続きを表示（約 450 文字）【請求項２】
前記セラミックス焼結体は、２０℃での体積抵抗率が１０
７
Ωｃｍより小さいことを特徴とする請求項１に記載のセラミックスサセプタ。
【請求項３】
前記セラミックス焼結体は、０．５ＧＨｚでの誘電正接ｔａｎδが０．４０以上であり、
２０℃での体積抵抗率が１０
５
Ωｃｍより小さいことを特徴とする請求項２に記載のセラミックスサセプタ。
【請求項４】
前記セラミックス焼結体は、Ａｌを０．２ｍｏｌ％以上１．１ｍｏｌ％以下含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のセラミックスサセプタ。
【請求項５】
前記基材に埋設された高周波用電極をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のセラミックスサセプタ。
【請求項６】
前記基材は、内部に媒体流路が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のセラミックスサセプタ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックスサセプタに関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
近年の半導体プロセスの高出力化に伴い、半導体基板を支持するサセプタに対する要求が高まってきている。そして、従来Ａｌ合金によって構成されていたサセプタをＳｉＣセラミックスに代替することが検討されている。これにより、プロセスにより大熱量が基板に流入しても基台の熱膨張がＡｌ合金製のサセプタと比較して小さく抑制されるため、サセプタの上に固定される主にセラミックス焼結体からなるヒーターや静電チャック等との応力や歪を緩和することができ、基板の処理が安定化する。
【０００３】
特許文献１は、焼結により炭化珪素焼結体を生成する原料粉末中の窒化ホウ素の配合量を制御することによって、炭化珪素原料粉末中の窒化ホウ素の配合量を１．０重量％以上とし、焼結体の誘電正接を低く制御する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００４－１３１２９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、このような高出力化プロセスとして高密度プラズマ源としてＥＣＲプラズマなどＧＨｚ帯域の利用がなされるようになると、ＳｉＣ自体がＧＨｚ帯域での電波吸収体でもあるためＳｉＣ製のサセプタ自体に発熱が生じ、静電チャックやヒーター等、さらに処理される基板の温度分布に影響を及ぼすことが無視できなくなってきた。
【０００６】
特許文献１は、焼結体の誘電正接を１３．５６ＭＨｚで測定しているのみであるため、ＧＨｚ帯域のプロセスで使用できるかどうか不明である。そこで、このような高出力のプロセスでも温度分布に対する影響を抑制できる半導体基板支持部材用のセラミックスサセプタが要望されてきた。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ＧＨｚ帯域の半導体製造プロセスに使用でき、大熱量が基板に流入してもセラミックスサセプタと半導体基板支持部材等との応力や歪を緩和することができるセラミックスサセプタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）上記の目的を達成するため、本発明は、以下のような手段を講じた。すなわち、本発明の適用例のセラミックスサセプタは、セラミックスサセプタであって、半導体基板支持部材を載置する載置面を有し、ＳｉＣを主成分とするセラミックス焼結体により形成された基材を備え、前記セラミックス焼結体は、０．２ＧＨｚでの誘電正接ｔａｎδが０．４５以下であり、０．５ＧＨｚでの誘電正接ｔａｎδが０．７０以下であることを特徴としている。
【０００９】
これにより、セラミックスサセプタの誘電特性を向上させることができ、セラミックスサセプタ自体の発熱を抑制することができる。
【００１０】
（２）また、上記（１）の適用例のセラミックスサセプタにおいて、前記セラミックス焼結体は、２０℃での体積抵抗率が１０
７
Ωｃｍより小さいことを特徴としている。
（【００１１】以降は省略されています）

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