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公開番号2024173854
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-13
出願番号2023090489
出願日2023-05-31
発明の名称波長可変レーザ
出願人日本電気株式会社
代理人個人
主分類H01S 5/14 20060101AFI20241205BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】レーザ用半導体光増幅器に光増幅用導波路を結合するために光路を分岐する光学素子を備える波長可変レーザを提供する。
【解決手段】半導体で光を増幅する第1の光増幅用導波路の両端が無反射終端端面である同一の素子端面にあるように配置された半導体光増幅素子と、素子端面で第1の光増幅用導波路の両端と接続する2つの光導波路素子と、第1の2×2分岐部と、を備え、2つの光導波路素子は、第1の2×2分岐部の一方の片側2ポートと接続する、波長可変レーザを提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体で光を増幅する第１の光増幅用導波路の両端が無反射終端端面である同一の素子端面にあるように配置された半導体光増幅素子と、
前記素子端面で前記第１の光増幅用導波路の両端と接続する２つの光導波路素子と、
第１の２×２分岐部と、を備え、
前記２つの光導波路素子は、前記第１の２×２分岐部の一方の片側２ポートと接続する、波長可変レーザ。
続きを表示（約 750 文字）【請求項２】
前記第１の２×２分岐部の他方の片側２ポートの一方は、反射型波長可変フィルタと接続される、請求項１に記載の波長可変レーザ。
【請求項３】
前記第１の２×２分岐部の他方の片側２ポートの他方は、第２の光増幅用導波路の一端と接続されている、請求項１に記載の波長可変レーザ。
【請求項４】
前記第１の光増幅用導波路は、レーザ用半導体光増幅器であり、
前記第２の光増幅用導波路は、光出力用半導体光増幅器である、請求項３に記載の波長可変レーザ。
【請求項５】
前記第１の光増幅用導波路は、前記第２の光増幅用導波路と同一の半導体チップに形成されている、請求項３に記載の波長可変レーザ。
【請求項６】
前記第２の光増幅用導波路の他端は、前記半導体チップの無反射終端端面と接続される、請求項５に記載の波長可変レーザ。
【請求項７】
前記第１の２×２分岐部は、５０％で分岐しない、請求項１に記載の波長可変レーザ。
【請求項８】
前記第１の２×２分岐部は、方向性結合器である、請求項１に記載の波長可変レーザ。
【請求項９】
前記半導体チップは、第３の光増幅用導波路と、第４の光増幅用導波路と、を備え、
前記第３の光増幅用導波路は、両端が第２の２×２分岐部の一方の片側２ポートと接続され、
前記第４の光増幅用導波路の一端は、前記第２の２×２分岐部の他方の片側２ポートの他方と接続されている、請求項５に記載の波長可変レーザ。
【請求項１０】
前記第２の２×２分岐部の他方の片側２ポートの一方は、反射型波長可変フィルタと接続される、請求項９に記載の波長可変レーザ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は波長可変レーザに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体チップ上に形成された導波路型の波長可変レーザが開発されている。特許文献１は、レーザが出力される第１反射部と、第１反射部とともにレーザ共振器を構成する第２反射部と、第１反射部と第２反射部との間に設けられた利得部と、を備える導波路型の波長可変レーザが開示されている。波長可変レーザは、第１反射部と第２反射部との間で、光路が実質的に１８０度の角度で折り返しをするように導波路が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１９／１５６２２６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記波長可変レーザの光出力強度をさらに強めるため、あるいは光出力強度を所望の値に調整するために、上記波長可変レーザをさらなる光増幅用導波路と接続することは開示されていない。したがって、本開示の目的は、導波路型波長可変レーザに光増幅用導波路を結合するために光路を分岐する光学素子を備える波長可変レーザを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の波長可変レーザは、
半導体で光を増幅する第１の光増幅用導波路の両端が無反射終端面である同一の素子端面にあるように配置された半導体光増幅素子と、
前記素子端面で前記第１の光増幅用導波路の両端と接続する２つの光導波路素子と、を備え、
前記２つの光導波路素子は、第１の２×２分岐の一方の片側２ポートと接続する、波長可変レーザである。
【発明の効果】
【０００６】
本開示により、レーザ用半導体光増幅器に光増幅用導波路を結合するために光路を分岐する光学素子を備える波長可変レーザが提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施の形態１にかかる波長可変レーザの構成を示すブロック図である。
実施の形態１にかかる波長可変レーザの構成を示す概略図である。
実施の形態２にかかる波長可変レーザの構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
実施の形態
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。しかしながら、特許請求の範囲にかかる発明を以下の実施の形態に限定するものではない。また、実施の形態で説明する構成の全てが課題を解決するための手段として必須であるとは限らない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
【０００９】
（実施の形態１にかかる波長可変レーザの説明）
図１は、実施の形態１にかかる波長可変レーザの構成を示すブロック図である。図２は、実施の形態１にかかる波長可変レーザの構成を示す概略図である。図１及び２を参照しながら、実施の形態１にかかる波長可変レーザを説明する。波長可変レーザ１００は、波長を変えることができる半導体レーザである。
【００１０】
図１及び２に示されるように、波長可変レーザ１００は、第１の光増幅用導波路１０１を備える半導体光増幅素子と、２つの光導波路素子１０２と、第１の２×２分岐部１０３と、を備える。図２に示されるように、波長可変レーザ１００は、さらに反射型波長可変フィルタ１０４と、第２の光増幅用導波路１０５とを備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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