TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
公開番号2024175035
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-17
出願番号2024159274,2022124517
出願日2024-09-13,2018-01-26
発明の名称発光素子
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10K 50/11 20230101AFI20241210BHJP()
要約【課題】、素子特性や信頼性を高める上で有効な新規の有機化合物を提供する。
【解決手段】アントラセン骨格およびカルバゾール骨格を有し、下記一般式(G1)で表される有機化合物である。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>JPEG</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2024175035000038.jpg</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">60</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">167</com:WidthMeasure> </com:Image>
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、蛍光材料と、アントラセン骨格およびビカルバゾール骨格を有する有機化合物と、を有する発光素子。
続きを表示(約 1,200 文字)【請求項2】
請求項1において、
前記有機化合物は、第1のカルバゾール骨格と、第2のカルバゾール骨格とを有し、
前記第1のカルバゾール骨格の2位と、前記第2のカルバゾール骨格とが結合する発光素子。
【請求項3】
請求項1において、
前記有機化合物は、第1のカルバゾール骨格と、第2のカルバゾール骨格とを有し、
前記第1のカルバゾール骨格の2位と、前記第2のカルバゾール骨格の9位または3位または2位とが結合する発光素子。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第1のカルバゾール骨格は、アリーレン基を介してアントラセン骨格と結合する、発光素子。
【請求項5】
請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記有機化合物は、一般式(G1)で表される有機化合物である、発光素子。
JPEG
2024175035000036.jpg
65
166
(式中、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、前記アリーレン基が置換基を有する場合、前記置換基は互いに結合して環を形成していてもよい。また、Czは、置換もしくは無置換のカルバゾール骨格を表す。また、R

~R

、及びR
11
~R
17
は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3~6のシクロアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれかを表す。)
【請求項6】
請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記有機化合物は、一般式(G1)で表される有機化合物である、発光素子。
JPEG
2024175035000037.jpg
65
166
(式中、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリーレン基を表し、前記アリーレン基が置換基を有する場合、前記置換基は互いに結合して環を形成していてもよい。また、Czは、置換もしくは無置換のカルバゾール骨格を表す。また、R

~R

、及びR
11
~R
17
は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3~6のシクロアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれかを表す。また、R
12
とR
13
、R
14
とR
15
、R
15
とR
16
、またはR
16
とR
17
の少なくとも一は、縮環している。)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置に関す
る。但し、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。すなわち、本発明の一態
様は、物、方法、製造方法、または駆動方法に関する。または、本発明の一態様は、プロ
セス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に
関する。また、具体的には、半導体装置、表示装置、液晶表示装置などを一例として挙げ
ることができる。
続きを表示(約 1,900 文字)【背景技術】
【0002】
一対の電極間にEL層を挟んでなる発光素子(有機EL素子ともいう)は、薄型軽量、入
力信号に対する高速な応答性、低消費電力などの特性を有することから、これらを適用し
たディスプレイは、次世代のフラットパネルディスプレイとして注目されている。
【0003】
発光素子は、一対の電極間に電圧を印加することにより、各電極から注入された電子およ
びホールがEL層において再結合し、EL層に含まれる発光物質(有機化合物)が励起状
態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。なお、励起状態の種類としては
、一重項励起状態(S

)と三重項励起状態(T

)とがあり、一重項励起状態からの発
光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光素子におけるそ
れらの統計的な生成比率は、S

:T

=1:3であると考えられている。発光物質から
得られる発光スペクトルはその発光物質特有のものであり、異なる種類の有機化合物を発
光物質として用いることによって、様々な発光色の発光素子を得ることができる。
【0004】
この様な発光素子に関しては、その素子特性を向上させる為に、素子構造の改良や材料開
発等が盛んに行われている(例えば、特許文献1参照。)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2010-182699号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
発光素子の開発において、発光素子に用いる有機化合物は、その特性や信頼性を高める上
で非常に重要である。そこで、本発明の一態様では、新規な有機化合物を提供する。すな
わち、素子特性や信頼性を高める上で有効な新規の有機化合物を提供する。また、本発明
の一態様では、発光素子に用いることができる新規な有機化合物を提供する。また、本発
明の一態様では、発光素子のEL層に用いることができる、新規な有機化合物を提供する
。また、本発明の一態様である新規な有機化合物を用いた高効率で信頼性の高い新規な発
光素子を提供する。また、新規な発光装置、新規な電子機器、または新規な照明装置を提
供する。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本
発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以
外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明
細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様は、アントラセン骨格およびカルバゾール骨格を有し、下記一般式(G1
)で表される有機化合物である。
【0008】
JPEG
2024175035000002.jpg
63
167
【0009】
なお、一般式(G1)において、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリー
レン基を表し、アリーレン基が置換基を有する場合、該置換基は互いに結合して環を形成
していてもよい。また、Czは、置換もしくは無置換のカルバゾール骨格を表す。また、


~R

、及びR
11
~R
17
は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素
数1~6のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3~6のシクロアルキル基、または
置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリール基のいずれかを表す。また、R
12
とR
13
、R
14
とR
15
、R
15
とR
16
、またはR
16
とR
17
の少なくとも一は、縮環
していても良い。
【0010】
また、本発明の別の一態様は、上記一般式(G1)中のCzで表されるカルバゾール骨格
の9位、3位または2位が、カルバゾール骨格と結合する有機化合物である。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

個人
集積回路
11日前
個人
集積回路
22日前
シチズン電子株式会社
発光装置
5日前
富士電機株式会社
半導体装置
11日前
HOYA株式会社
光照射装置
11日前
個人
低ノイズ超高速イメージセンサ
21日前
株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置
4日前
三菱電機株式会社
半導体装置
11日前
ソニーグループ株式会社
光検出装置
22日前
個人
スーパージャンクションMOSFET
18日前
株式会社半導体エネルギー研究所
記憶装置
4日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
22日前
ローム株式会社
半導体集積回路
25日前
ローム株式会社
半導体装置
12日前
株式会社カネカ
太陽電池製造方法
12日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
22日前
ローム株式会社
窒化物半導体装置
5日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
22日前
ローム株式会社
発光装置
12日前
サンケン電気株式会社
半導体装置
25日前
サンケン電気株式会社
半導体装置
11日前
東ソー株式会社
積層体及びそれを備えた熱電変換材料
5日前
日亜化学工業株式会社
発光素子の製造方法
22日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
11日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
18日前
ローム株式会社
半導体装置
4日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
12日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
25日前
住友電気工業株式会社
光センサ
22日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
11日前
厦門普為光電科技有限公司
高光効率発光ダイオード光源
22日前
富士電機株式会社
半導体装置
22日前
株式会社アイシン
ペロブスカイト太陽電池
4日前
株式会社デンソー
半導体装置
22日前
株式会社デンソー
半導体装置
5日前
日本電気株式会社
量子デバイスおよびその製造方法
25日前
続きを見る