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公開番号2025008736
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023111163
出願日2023-07-06
発明の名称発光素子の製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H10H 20/00 20250101AFI20250109BHJP()
要約【課題】設計上の発光素子領域の形状と得られる発光素子領域の形状との間の誤差を小さくすることができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、基板と、前記基板上に配置された半導体構造体とを有するウェハを準備する工程と、前記半導体構造体を分割して複数の発光素子領域を形成する工程と、を有し、前記発光素子領域を形成する工程は、前記半導体構造体の上に複数の第1マスクを形成する工程と、前記半導体構造体の前記第1マスクから露出する部分を除去して前記基板を前記半導体構造体から露出させる工程と、を有し、前記第1マスクを形成する工程において、前記複数の第1マスクの各々は、前記複数の発光素子領域のうちの1つを形成する予定の第1領域を覆うとともに、平面視で前記第1領域よりも大きい面積を有する。
【選択図】図10
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、前記基板上に配置された半導体構造体とを有するウェハを準備する工程と、
前記半導体構造体を分割して複数の発光素子領域を形成する工程と、
を有し、
前記発光素子領域を形成する工程は、
前記半導体構造体の上に複数の第１マスクを形成する工程と、
前記半導体構造体の前記第１マスクから露出する部分を除去して前記基板を前記半導体構造体から露出させる工程と、
を有し、
前記第１マスクを形成する工程において、前記複数の第１マスクの各々は、前記複数の発光素子領域のうちの１つを形成する予定の第１領域を覆うとともに、平面視で前記第１領域よりも大きい面積を有する、発光素子の製造方法。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
平面視における前記第１領域の形状は、互いに平行な２つの第１辺と、前記第１辺よりも長く互いに平行な２つの第２辺とを有する形状であり、
平面視における前記第１マスクの形状は、前記第１領域と重なり、前記第１辺に平行な２つの第３辺と、前記第３辺よりも長く前記第２辺に平行な２つの第４辺とを有する形状である基部と、前記第１領域の前記第２辺の外側に位置する第１部分と、前記第１領域の前記第１辺の外側に位置する第２部分と、を有し、
平面視で、前記第１部分の外縁と前記基部の前記第４辺との間の最大距離は、前記第２部分の外縁と前記基部の前記第３辺との間の最大距離よりも大きい、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記半導体構造体は、前記基板の上に配置されたｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の上に配置された活性層と、前記活性層の上に配置されたｐ側半導体層と、を有し、
前記発光素子領域を形成する工程は、前記第１マスクを形成する工程の前に、
前記半導体構造体の上に複数の第２マスクを形成する工程と、
前記半導体構造体の前記第２マスクから露出する部分を、前記ｐ側半導体層及び前記活性層の総厚さよりも大きく、前記ｎ側半導体層の厚さよりも小さい厚さで除去して、前記ｎ側半導体層を前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出させる工程と、
を有する、請求項１又は２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記複数の第２マスクを形成する工程において、平面視で、前記複数の第２マスクの各々の外縁は、前記ｐ側半導体層及び前記活性層を残す予定の第２領域の外縁と一致し、
前記ｎ側半導体層を前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出させる工程において、前記第２マスクが前記第２領域を覆う状態が維持される、請求項３に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１マスクの厚さは、前記第２マスクの厚さよりも大きい、請求項３に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
平面視で、前記第１部分の外縁と前記基部の前記第４辺との間の最大距離は、前記第２部分の外縁と前記基部の前記第３辺との間の最大距離の１．２倍以上２．０倍以下である、請求項２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
平面視において、前記第１部分の外縁の一部は、前記基部の前記第４辺を二等分する垂直二等分線上において前記基部の前記第４辺から外側に凸である弧状である、請求項２に記載の発光素子の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板上に複数の発光セルが配置された発光素子が提案されている。このような発光素子の製造過程では、基板上に配置された半導体構造体を分割して複数の発光セルを形成している。半導体構造体の分割の際には、半導体構造体の発光セルを形成しようとする部分を覆い、他の部分を露出するレジストマスクを用いたエッチングが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１７－１９５３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の発光素子の製造方法のように、比較的厚い半導体構造をエッチングする場合、設計上の発光素子領域の形状と得られる発光素子領域の形状との間の誤差が大きくなりやすい。
【０００５】
本開示は、設計上の発光素子領域の形状と得られる発光素子領域の形状との間の誤差を小さくすることができる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
開示の技術の一態様によれば、発光素子の製造方法は、基板と、前記基板上に配置された半導体構造体とを有するウェハを準備する工程と、前記半導体構造体を分割して複数の発光素子領域を形成する工程と、を有し、前記発光素子領域を形成する工程は、前記半導体構造体の上に複数の第１マスクを形成する工程と、前記半導体構造体の前記第１マスクから露出する部分を除去して前記基板を前記半導体構造体から露出させる工程と、を有し、前記第１マスクを形成する工程において、前記複数の第１マスクの各々は、前記複数の発光素子領域のうちの１つを形成する予定の第１領域を覆うとともに、平面視で前記第１領域よりも大きい面積を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、設計上の発光素子領域の形状と得られる発光素子領域の形状との間の誤差を小さくすることができる発光素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その１）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その２）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その３）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その４）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その５）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その６）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その７）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す上面図（その８）である。
発光素子領域を形成する予定の第１領域を示す上面図である。
第１マスクを示す上面図である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その１）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その２）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その３）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その４）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その５）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その６）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その７）である。
実施形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図（その８）である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら、本開示を実施するための実施形態を説明する。以下の説明は、本開示の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本開示を以下の記載に限定するものではない。
【００１０】
各図面中、同一の機能を有する部材には、同一符号を付している場合がある。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態に分けて示す場合があるが、異なる実施形態や実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。後に示す実施形態では、先に示した実施形態との異なる事項について主に説明し、先に示した実施形態と共通の事柄について重複する説明を省略することがある。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張して示している場合がある。図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略したり、断面図として切断面のみを示す端面図を用いたりする場合がある。また、以下の説明では、ＸＹＺ直交座標系を用いるが、当該座標系は、説明のために定めるものであって、基板等の姿勢について限定するものではない。また、任意の点からみて、＋Ｚ側を上方、上側または上ということがあり、－Ｚ側を下方、下側または下ということがある。
（【００１１】以降は省略されています）

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