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公開番号2024170090
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-06
出願番号2023087057
出願日2023-05-26
発明の名称キャパシタおよびキャパシタの製造方法
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H01G 4/33 20060101AFI20241129BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ディッシング発生の影響を抑制または回避できる、キャパシタおよびキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ1は、第1主面3および第2主面4を有する基材2と、基材2を厚さ方向Zに貫通する複数の貫通電極6と、貫通電極6の周囲において第1主面3および第2主面4を形成する第1絶縁膜16、ならびに第1絶縁膜16を被覆する第1絶縁膜16とは膜質の異なる第2絶縁膜17の積層構造18とを含む。キャパシタ1は、隣り合う貫通電極6の間の容量部7を利用している。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１主面およびその反対側の第２主面を有する基材と、
前記基材を厚さ方向に貫通する複数の貫通電極と、
前記貫通電極の周囲において少なくとも前記第１主面および前記第２主面の一方を形成する第１絶縁膜、ならびに前記第１絶縁膜を被覆する前記第１絶縁膜とは膜質の異なる第２絶縁膜の積層構造とを含み、
隣り合う前記貫通電極の間の容量部を利用した、キャパシタ。
続きを表示（約 870 文字）【請求項２】
前記第２絶縁膜の表面から前記第２絶縁膜と前記貫通電極との境界を横切って前記貫通電極へ向かって下り傾斜する凹面を有する凹部が形成されており、
前記凹部の周囲において前記第２絶縁膜の前記表面は、研磨により形成された平滑面である、請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記凹部の底部が、前記基材の厚さ方向に前記第１絶縁膜と間隔を空けて形成されている、請求項２に記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記第２絶縁膜が、前記第１絶縁膜を被覆して前記第１主面および前記第２主面の前記一方を形成しており、
前記第１絶縁膜が前記貫通電極に接しており、
前記第２絶縁膜が、前記第１絶縁膜と前記貫通電極との境界よりも外側において、前記貫通電極に接している、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。
【請求項５】
前記第２絶縁膜が、前記第１絶縁膜を被覆して前記第１主面および前記第２主面の前記一方を形成する第１領域と、前記第１絶縁膜と前記貫通電極とによって前記第１主面に沿う方向に挟まれた第２領域とを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。
【請求項６】
前記第２領域の膜厚が、前記第１領域の膜厚よりも薄い、請求項５に記載のキャパシタ。
【請求項７】
前記基材が、導電部を有し、
前記第１絶縁膜が、前記基材において前記導電部を被覆する、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。
【請求項８】
前記基材が前記第１絶縁膜によって形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。
【請求項９】
前記第２絶縁膜の膜厚が、５００ｎｍ以上である、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。
【請求項１０】
前記第１絶縁膜が、熱酸化膜によって形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャパシタ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、キャパシタおよびキャパシタの製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、複数の貫通孔を有する基板と、貫通孔に充填された貫通電極と、基板の第１主面上に形成された絶縁性カバー膜と、絶縁性カバー膜の上に形成されたキャパシタ構造と、キャパシタ構造を覆う保護絶縁膜と、キャパシタ構造と電気的に接続され、かつ対応する貫通電極と電気的に接続される複数の接続パッドとを備える、貫通電極付きキャパシタを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２００９／１１０２８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の一実施形態は、ディッシング発生の影響を抑制または回避できる、キャパシタおよびキャパシタの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一実施形態は、第１主面およびその反対側の第２主面を有する基材と、前記基材を厚さ方向に貫通する複数の貫通電極と、前記貫通電極の周囲において少なくとも前記第１主面および前記第２主面の一方を形成する第１絶縁膜、ならびに前記第１絶縁膜を被覆する前記第１絶縁膜とは膜質の異なる第２絶縁膜の積層構造とを含む、キャパシタを提供する。前記キャパシタが、隣り合う前記貫通電極の間の容量部を利用している。
【０００６】
本開示の一実施形態は、一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する基板に、前記基板を厚さ方向に貫通する複数の貫通穴を形成する第１工程と、複数の前記貫通穴が形成されている前記基板を熱酸化して、前記基板における前記貫通穴の周囲の部分に第１絶縁膜を形成する第２工程と、少なくとも前記第１主面および前記第２主面の一方において、前記第１絶縁膜と膜質の異なる第２絶縁膜であって前記第１絶縁膜を被覆する第２絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜の積層構造を形成する第３工程と、前記第１主面および前記第２主面の前記一方において前記第２絶縁膜を覆う導電膜を形成し、前記導電膜によって複数の前記貫通穴の内部を埋める第４工程と、少なくとも前記第１主面および前記第２主面の前記一方が露出するまで前記導電膜を研磨する第５工程とを含む、キャパシタの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の一実施形態によれば、ディッシング発生の影響を抑制または回避できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、本開示の第１実施形態に係るキャパシタの模式的な平面図である。
図２は、図１のII-II線に沿う模式的な断面図である。
図３は、図２の一点鎖線IIIで囲まれた部分の拡大図である。
図４は、図２の一点鎖線IVで囲まれた部分の拡大図である。
図５Ａは、本開示の第１実施形態に係るキャパシタの製造工程の一部を示す断面図であって、図２に対応する図である。
図５Ｂは、図５Ａの次の工程を示す断面図である。
図５Ｃは、図５Ｂの次の工程を示す断面図である。
図５Ｄは、図５Ｃの次の工程を示す断面図である。
図５Ｅは、図５Ｄの次の工程を示す断面図である。
図５Ｆは、図５Ｅの次の工程を示す断面図である。
図５Ｇは、図５Ｆの次の工程を示す断面図である。
図５Ｈは、図５Ｇの次の工程を示す断面図である。
図５Ｉは、図５Ｈの次の工程を示す断面図である。
図５Ｊは、図５Ｉの次の工程を示す断面図である。
図５Ｋは、図５Ｊの次の工程を示す断面図である。
図６は、参考形態に係るキャパシタの模式的な断面図であって、図３に対応する図である。
図７は、本開示の第２実施形態に係るキャパシタの模式的な断面図であって、図２に対応する図である。
図８は、図７の一点鎖線VIIIで囲まれた部分の拡大図である。
図９Ａは、本開示の第２実施形態に係るキャパシタの製造工程の一部を示す断面図であって、図７に対応する図である。
図９Ｂは、図９Ａの次の工程を示す断面図である。
図９Ｃは、図９Ｂの次の工程を示す断面図である。
図９Ｄは、図９Ｃの次の工程を示す断面図である。
図１０は、本開示の第３実施形態に係るキャパシタの模式的な平面図である。
図１１は、図１０のXI-XI線に沿う模式的な断面図である。
図１２は、図１０のXII-XII線に沿う模式的な断面図である。
図１３は、図１１の一点鎖線XIIIで囲まれた部分の拡大図である。
図１４は、図１１の一点鎖線XIVで囲まれた部分の拡大図である。
図１５は、本開示の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、本開示の第１実施形態に係るキャパシタ１の模式的な平面図である。図２は、図１のII-II線に沿う模式的な断面図である。
【００１０】
キャパシタ１は、直方体形状の基材２を含む。基材２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに第１主面３および第２主面４を接続する側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄを有している。キャパシタ１は、ディスクリートキャパシタとも称される。
（【００１１】以降は省略されています）

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